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1
사각링부, 및 상기 사각링부의 적어도 하나의 변과 수직을 이루고, 상기 사각링부의 내측 방향으로 연장된 제1 내지 제4 돌출부를 포함하는 도체패턴을 포함하는 제1 금속층;상기 제1 금속층의 하면에 배치되고 폴리이미드로 구성되는 제1 중간층;상기 제1 중간층의 하면에 배치되는 저항체층;상기 저항체층의 하면에 배치되고 폴리이미드로 구성되는 제2 중간층; 및상기 제2 중간층의 하면에 배치되는 제2 금속층을 포함하고,상기 저항체층은 동작주파수의 동작 대역폭을 증가시키고,상기 저항체층의 두께는 0
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2
제1항에 있어서,상기 동작주파수의 상기 동작 대역폭은 중심주파수 5
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3
제1항에 있어서,상기 제1 금속층은 상기 사각링부의 적어도 하나의 변의 길이는 11 mm 내지 14 mm이고, 상기 사각링부의 폭이 0
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4
제3항에 있어서,상기 제1 중간층의 가로 길이는 11 mm 내지 14 mm이고,상기 제1 중간층의 세로 길이는 11 mm 내지 14 mm이고,상기 제1 중간층의 두께는 1
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5
제4항에 있어서,상기 저항체층의 가로 길이는 11 mm 내지 14 mm이고,상기 저항체층의 세로 길이는 11 mm 내지 14 mm인 것을 특징으로 하는,메타물질 흡수체의 단위셀
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6
제5항에 있어서,상기 제2 중간층의 가로 길이는 11 mm 내지 14 mm이고,상기 제2 중간층의 세로 길이는 11 mm 내지 14 mm이고,상기 제2 중간층의 두께는 0
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7
제6항에 있어서,상기 제1 중간층 및 상기 제2 중간층의 유전 상수(dielectric constant)는 3
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8
제3항에 있어서,상기 제2 금속층의 가로 길이는 11 mm 내지 14 mm이고,상기 제2 금속층의 세로 길이는 11 mm 내지 14 mm이고,상기 제2 금속층의 두께는 30 μm 내지 40 μm인 것을 특징으로 하는,메타물질 흡수체의 단위셀
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9
제1항에 있어서,상기 동작주파수의 상기 동작 대역폭은 중심주파수 10 GHz, 및 9
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10
제1항에 있어서,상기 제1 금속층은 상기 사각링부의 적어도 하나의 변의 길이는 8 mm 내지 11 mm이고, 상기 사각링부의 폭이 0
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11
제10항에 있어서,상기 제1 중간층의 가로 길이는 8 mm 내지 11 mm이고,상기 제1 중간층의 세로 길이는 8 mm 내지 11 mm이고,상기 제1 중간층의 두께는 1
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12
제11항에 있어서,상기 저항체층의 가로 길이는 8 mm 내지 11 mm이고,상기 저항체층의 세로 길이는 8 mm 내지 11 mm인 것을 특징으로 하는,메타물질 흡수체의 단위셀
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13
제12항에 있어서,상기 제2 중간층의 가로 길이는 8 mm 내지 11 mm이고,상기 제2 중간층의 세로 길이는 8 mm 내지 11 mm이고,상기 제2 중간층의 두께는 0
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14
제13항에 있어서,상기 제1 중간층 및 상기 제2 중간층의 유전 상수(dielectric constant)는 3
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15
제14항에 있어서,상기 제2 금속층의 가로 길이는 8 mm 내지 11 mm이고,상기 제2 금속층의 세로 길이는 8 mm 내지 11 mm이고,상기 제2 금속층의 두께는 30 μm 내지 40 μm인 것을 특징으로 하는,메타물질 흡수체의 단위셀
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16
복수의 단위셀을 포함하고,상기 복수의 단위셀은 동일 평면상에 배열되어 평판 구조를 형성하고,상기 복수의 단위셀 각각은,사각링부, 및 상기 사각링부의 적어도 하나의 변과 수직을 이루고, 상기 사각링부의 내측 방향으로 연장된 제1 내지 제4 돌출부를 포함하는 도체패턴을 포함하는 제1 금속층;상기 제1 금속층의 하면에 배치되고 폴리이미드로 구성되는 제1 중간층;상기 제1 중간층의 하면에 배치되는 저항체층;상기 저항체층의 하면에 배치되고 폴리이미드로 구성되는 제2 중간층; 및상기 제2 중간층의 하면에 배치되는 제2 금속층을 포함하고,상기 저항체층은 동작주파수의 동작 대역폭을 증가시키고,상기 저항체층의 두께는 0
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