| 1 |
1
기판 상에 제1 층 및 제2 층을 포함하는 반도체 패턴을 형성하고,상기 제1 층의 표면에 코팅층을 형성하고,항체(antibody) 및 단백질 중 어느 하나와 형광체(fluorophore)가 결합된 염색 물질을 형성하고,상기 코팅층의 표면에 상기 염색 물질을 부착시켜 염색층을 형성하고,초고해상도 현미경을 이용하여 상기 형광체를 촬영하여 상기 반도체 패턴을 검출하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 제1 층은 실리콘 산화물층인 반도체 장치의 제조 방법
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 제1 층은 실리콘층인 반도체 장치의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서,상기 코팅층은 폴리-L-라이신(Poly-L-Lysine)을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,상기 코팅층은 나피온(Nafion)을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 항체는 단일클론 항체(monoclonal antibody), 다중클론 항체(polyclonal antibody), 항원결합분절(fragment antigen binding), 낙타 중쇄 항체(camel heavy-chain antibody) 및 나노바디(nanobody) 중 어느 하나인 반도체 장치의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 코팅층 및 상기 염색층은 상기 제1 층의 표면 이외의 부분에 미형성되는 반도체 장치의 제조 방법
|
| 8 |
8
기판 상에 실리콘 산화물층을 포함하는 반도체 패턴을 형성하고,상기 실리콘 산화물층의 표면에 양전하를 갖는 코팅층을 형성하고,음전하를 갖는 항체(antibody) 및 음전하를 갖는 단백질 중 어느 하나와 형광체(fluorophore)가 결합된 염색 물질을 형성하고,상기 코팅층의 표면에 상기 염색 물질을 부착시켜 염색층을 형성하고,STORM(Stochastic Optical Reconstruction Microscopy), STED(Stimulated Emission Depletion), SSIM(Saturated Structured Illumination Microscopy) 및 PALM(Photoactivated Localization Microscopy) 중 어느 하나를 이용하여 상기 형광체를 촬영하여 상기 반도체 패턴을 검출하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
|
| 9 |
9
기판 상에 실리콘층을 포함하는 반도체 패턴을 형성하고,상기 실리콘층의 표면에 형광체(fluorophore)를 포함하는 염색층을 형성하고,STORM(Stochastic Optical Reconstruction Microscopy), STED(Stimulated Emission Depletion), SSIM(Saturated Structured Illumination Microscopy) 및 PALM(Photoactivated Localization Microscopy) 중 어느 하나를 이용하여 상기 형광체를 촬영하여 상기 반도체 패턴을 검출하는 것을 포함하되,상기 염색층은 상기 실리콘층의 표면 이외의 부분에는 미형성되는 반도체 장치의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 9항에 있어서,상기 염색층을 형성하는 것은,상기 실리콘층의 표면에 하이드록시기(hydroxyl group)를 형성하고,상기 실리콘층의 표면에 아미노기(amino group)를 말단기(end group)로 갖는 타겟 물질을 결합시키고,상기 타겟 물질에 상기 형광체를 부착시켜 상기 염색층을 형성하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
|
