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경화성 유기 반도체;상기 경화성 유기 반도체와 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-) 네트워크 구조를 형성하는 유기 실리카 전구체;를 포함하고,상기 경화성 유기 반도체는 가교 기능단을 포함하고,상기 유기 실리카 전구체는 하기 화학식 9 내지 화학식 19 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 수송 복합체
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제1항에 있어서,상기 가교 기능단은 비닐기, 비닐기 유도체, 옥세탄기, 보론산기(Boronic acid), 트라이플루오로 비닐 에테르, 벤조사이클로부텐 및 에폭사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 수송 복합체
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제2항에 있어서,상기 가교 기능단은 하기 화학식 3 내지 화학식 8 중 어느 하나로 표시되는 기능기를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 수송 복합체
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제1항에 있어서,상기 경화성 유기 반도체는 상기 가교 기능단이 결합된 정공 수송 화합물이고,상기 정공 수송 화합물은 트릴페닐 아민 유도체, 방향족 디아민 유도체, 아릴렌 디아민계 유도체, 카바졸 유도체, 스피로-아릴렌 디아민 유도체, 스타버스트형 아민계 유도체, 트리아릴아민 유도체, 티오펜 유도체 및 트리아릴포스핀 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 수송 복합체
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제4항에 있어서,상기 경화성 유기 반도체는 QUPD(N4,N4'-Bis(4-(6-((3-ethyloxetan-3-yl)methoxy)hexyloxy)phenyl)-N4,N4'-bis(4-methoxyphenyl)biphenyl-4,4'-diamine), OTPD(N4,N4'-Bis(4-(6-((3-ethyloxetan-3-yl)methoxy)hexyl)phenyl)-N4,N4'-diphenylbiphenyl-4,4'-diamine), Oxe-DCDPA(N,N-bis(4-(6-((3-ethyloxetane-3-yl)methoxy)hexyloxy)phenyl)-3,5-di(9H-carbazol-9-yl)benzenamine), Vinylbenzyl(VB)-TCTA(Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), DV-TPD(N,N'-bis(tolyl)-N,N'-bis(vinylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine), TPA-TFVE(tris[(p-trifluorovinyloxy-biphenyl)]amine), MUPD 및 AUPD 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 수송 복합체
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제1항에 있어서,상기 경화성 유기 반도체는 상기 가교 기능단이 결합된 전자 수송 화합물이고, 상기 전자 수송 화합물은 옥사디아졸(oxadiazole) 유도체, 트리아졸(triazole) 유도체, 페난트롤린(phenanthroline) 유도체, 벤족사졸(benzoxazole) 유도체, 벤조티아졸(benzothiazole) 유도체, 벤조이미다졸 유도체, 트리아진 유도체, 벤조퀴논 유도체, 피리딘(Pyridine) 유도체, 안트라퀴논 유도체, 폴리퀴놀린 유도체 및 폴리플루오렌 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 수송 복합체
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7
제6항에 있어서,상기 경화성 유기 반도체는 DV-46PymTAZ(4,6-bis[4-(5-{4-[(4-vinylbenzyloxy)methyl]phenyl}-4-(4-tert-butyl-phenyl)-4H-1,2,4-triazol-3-yl)phenyl]-2-methylpyrimidie), SMH-E-10, TV-TmPY(1,3,5-tris(5(4-vinylphenyl)pyridin-3-yl)benzene) 및 U-BmPyPB 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 수송 복합체
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제1항에 있어서,상기 전하 수송 복합체는 상기 유기 실리카 전구체의 농도에 따라 발광 강도 및 내구성이 조절되는 것을 특징으로 하는 전하 수송 복합체
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9
제8항에 있어서,상기 유기 실리카 전구체의 농도는 상기 전하 수송 복합체를 기준으로 1
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삭제
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제1항에 있어서,상기 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-) 네트워크 구조는 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-)이 결합된 SPN(Single Phase Network) 및 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-)이 결합된 IPN (Interpenetrating Polymer Network) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전하 수송 복합체
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기판 상에 제1항 내지 제9항 및 제11항 중 어느 한 항에 따른 전하 수송 복합체를 포함하는 전하 수송층을 형성하는 단계;상기 전하 수송층 상에 포토레지스트를 형성하는 단계;상기 포토레지스트를 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로서 이용하여 상기 전하 수송층을 건식 식각하여 전하 수송층 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 수송층의 패터닝 방법
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제12항에 있어서,상기 전하 수송 복합체는 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-) 네트워크 구조를 포함하고,상기 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-) 네트워크 구조는 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-)이 결합된 SPN(Single Phase Network) 및 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-)이 결합된 IPN (Interpenetrating Polymer Network) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전하 수송층의 패터닝 방법
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제12항에 있어서,상기 전하 수송층을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 유기 실리카 전구체의 농도가 상이한 적어도 둘 이상의 서브 전하 수송층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전하 수송층의 패터닝 방법
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제12항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로서 이용하여 상기 전하 수송층을 건식 식각하여 전하 수송층 패턴을 형성하는 단계는,상기 전하 수송층이 상기 전하 수송 복합체의 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-) 네트워크 구조에 의해 상기 전하 수송층 패턴의 측면에 비휘발성 블로킹 층(non-volatile blocking layer)이 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 수송층의 패터닝 방법
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제15항에 있어서,상기 비휘발성 블로킹 층은 SixOy 및 SixOyFz(상기 x, y 및 z는 1 내지 4의 정수임)중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 수송층의 패터닝 방법
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제12항에 있어서,상기 전하 수송층 패턴의 크기는 10 nm 내지 1000 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 전하 수송층의 패터닝 방법
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18
기판 상에 형성되는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성되는 유기 발광층;상기 유기 발광층 상에 형성되는 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 유기 발광층의 계면 및 상기 유기 발광층과 상기 제2 전극의 계면 중 적어도 어느 하나에 형성되고, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 전하 수송 복합체를 포함하는 전하 수송층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
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제18항에 있어서,상기 전하 수송층은 유기 실리카 전구체의 농도에 따라 발광 강도 및 내구성이 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
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제19항에 있어서,상기 전하 수송층은 상기 유기 실리카 전구체의 농도가 상이한 적어도 둘 이상의 서브 전하 수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
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제20항에 있어서,상기 전하 수송층은 상기 제1 전극과 상기 유기 발광층의 계면에 제1 서브 전하 수송층 및 제2 서브 전하 수송층을 포함하고,상기 제2 서브 전하 수송층의 유기 실리카 전구체의 농도가 상기 제1 서브 전하 수송층보다 높은 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
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경화성 유기 반도체; 및유기 실리카 전구체;를 포함하고,상기 유기 실리카 전구체는 하기 화학식 9 내지 화학식 19 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함하는 전하 수송층 조성물
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제22항에 있어서, 상기 전하 수송층 조성물은,상기 경화성 유기 반도체를 92
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