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바나듐 산화물(V2O5)을 포함하는 베이스 구조체를 준비하는 단계; 상기 베이스 구조체를 질소(N)를 포함하는 제1 소스 분위기에서 열처리하여, 상기 베이스 구조체가 나노 구조화된 중간 구조체를 형성하는 단계; 및상기 중간 구조체를 황(S)을 포함하는 제2 소스 분위기에서 열처리하여, 상기 중간 구조체에 바나듐 황화물(V1
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제1 항에 있어서, 상기 중간 구조체는, 상기 베이스 구조체와 비교하여 표면적이 넓고 기공률이 큰 것을 포함하는 슈퍼커패시터 전극 소재의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 베이스 구조체는 단결정(single crystalline) 구조를 갖고, 상기 중간 구조체는 다결정(polycrystalline) 구조를 갖는 것을 포함하는 슈퍼커패시터 전극 소재의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 중간 구조체는, 바나듐 옥시나이트라이드(VOxNy, x,y003e#0)를 포함하는 슈퍼커패시터 전극 소재의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 복합체는, 상기 바나듐 황화물(V1
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제1 항에 있어서, 상기 중간 구조체를 상기 제2 소스 분위기에서 열처리하는 시간이 증가함에 따라, 상기 복합체 내 상기 바나듐 황화물(V1
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7
제1 항에 있어서, 상기 중간 구조체를 상기 제2 소스 분위기에서 열처리하는 시간이 제어됨에 따라, 상기 복합체의 전기 화학적 특성이 향상되는 것을 포함하는 슈퍼커패시터 전극 소재의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 중간 구조체는 상기 제2 소스 분위기에서 15분 초과 60분 미만의 시간 동안 열처리되는 것을 포함하는 슈퍼커패시터 전극 소재의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 베이스 구조체는 상기 제1 소스 분위기에서 650℃의 온도로 열처리되고, 상기 중간 구조체는 상기 제2 소스 분위기에서 300℃의 온도로 열처리되는 것을 포함하는 슈퍼커패시터 전극 소재의 제조 방법
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10
제1 항에 있어서, 상기 제1 소스는 암모니아(NH3)를 포함하고, 상기 제2 소스는 황화 수소(H2S)를 포함하는 슈퍼커패시터 전극 소재의 제조 방법
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바나듐 옥시나이트라이드(VOxNy, x,y003e#0)와 바나듐 황화물(V1
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제11 항에 있어서, 상기 바나듐 황화물의 함량이 10
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제11 항에 있어서, 다결정(polycrystalline) 구조를 갖는 것을 포함하는 슈퍼커패시터 전극 소재
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제13 항에 있어서, 일부 영역에서 비정질(amorphous) 구조가 관측되는 것을 포함하는 슈퍼커패시터 전극 소재
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