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실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 배치된 클래드층; 상기 클래드층 상에 배치된 중간막; 상기 중간막 상에 배치된 KTN(KTaNbO3) 도파로; 상기 KTN 도파로를 덮도록 상기 중간막 상에 배치된 보호막; 및 상기 KTN 도파로를 사이에 두고 상기 중간막 상에 서로 이격되어 배치되는 제1 전극과 제2 전극을 포함하되, 상기 클래드층 내에는, 상기 중간막을 사이에 두고 상기 KTN 도파로와 이격된 실리콘 도파로가 배치된 것을 포함하는 광 위상 이동기
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제1 항에 있어서, 상기 광 위상 이동기에 전압이 인가되는 경우 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 전기장이 형성되고, 상기 전기장에 의해 상기 KTN 도파로의 굴절률이 변화되며,상기 굴절률 변화에 의해 상기 KTN 도파로를 통과하는 빛의 위상이 제어되는 것을 포함하는 광 위상 이동기
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제1 항에 있어서, 상기 실리콘 기판, 상기 실리콘 도파로, 및 상기 KTN 도파로는 모두 제1 방향으로 연장되되, 상기 실리콘 도파로는 상기 제1 방향을 따라 면적이 변화되는 것을 포함하는 광 위상 이동기
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제3 항에 있어서, 상기 실리콘 도파로는 상기 제1 방향을 따라 면적이 점차적으로 좁아지거나 또는 점차적으로 넓어지도록 변화되는 것을 포함하는 광 위상 이동기
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제1 항에 있어서, 상기 광 위상 이동기는 광변조기의 옵티컬 인풋(Optical Input)과 인접한 제1 전이 영역, 옵티컬 아웃풋(Optical Output)과 인접한 제2 전이 영역, 및 상기 제1 전이 영역과 상기 제2 전이 영역 사이의 KTN 영역을 포함하되, 상기 제1 전이 영역 및 상기 제2 전이 영역 내 상기 실리콘 도파로의 면적은, 상기 KTN 영역 내 상기 실리콘 도파로의 면적보다 넓은 것을 포함하는 광 위상 이동기
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제5 항에 있어서, 상기 KTN 영역에는, 상기 클래드층 내 상기 실리콘 도파로가 없는 것을 포함하는 광 위상 이동기
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제5 항에 있어서, 상기 제1 전이 영역은, 상기 옵티컬 인풋과 인접한 제1-1 전이 영역 및 상기 KTN 영역과 인접한 제1-2 전이 영역을 포함하되, 상기 제1-1 전이 영역 내 상기 실리콘 도파로의 면적은, 상기 제1-2 전이 영역 내 상기 실리콘 도파로의 면적보다 넓은 것을 포함하는 광 위상 이동기
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제5 항에 있어서, 상기 제2 전이 영역은, 상기 옵티컬 아웃풋과 인접한 제2-1 전이 영역 및 상기 KTN 영역과 인접한 제2-2 전이 영역을 포함하되, 상기 제2-1 전이 영역 내 상기 실리콘 도파로의 면적은, 상기 제2-2 전이 영역 내 상기 실리콘 도파로의 면적보다 넓은 것을 포함하는 광 위상 이동기
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제1 항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 보호막을 두께 방향으로 관통하고 상기 KTN 도파로와 이격되도록 배치되되, 상기 제1 전극은 상기 KTN 도파로의 일측과 인접하도록 배치되고 상기 제2 전극은 상기 KTN 도파로의 타측과 인접하도록 배치되는 것을 포함하는 광 위상 이동기
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제1 항에 있어서, TE(Transverse Electric) 모드와 TM(Transverse Magnetic) 모드 중 TE(transverse electric) 모드로 동작되는 것을 포함하는 광 위상 이동기
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실리콘 기판, 상기 실리콘 기판 상에 배치된 클래드층, 상기 클래드층 상에 배치된 중간막, 및 상기 중간막과 접촉되도록 상기 클래드층 내에 배치된 실리콘(Si) 도파로를 포함하는 기판 구조체를 준비하는 단계; 폭 방향을 따라 커팅 라인이 형성된 KTN(KTaNbO3) 기판을 준비하는 단계; 상기 중간막과 접촉되도록, 상기 기판 구조체와 KTN 기판을 접합하는 단계;상기 KTN 기판의 상기 커팅 라인 하부 영역을 제거하여, 상기 기판 구조체 상에 상기 커팅 라인 상부 영역으로 이루어진 KTN 박막을 잔존시키는 단계; 상기 중간막의 중앙부를 제외한 영역이 노출되도록 상기 KTN 박막을 식각하여, 상기 중간막을 사이에 두고 상기 실리콘 도파로와 이격되는 KTN 도파로를 형성하는 단계; 상기 중간막 상에 상기 KTN 도파로를 덮는 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막을 관통하되 상기 KTN 도파로를 사이에 두고 서로 이격되도록 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 광 위상 이동기의 제조 방법
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제11 항에 있어서, 상기 커팅 라인이 형성된 KTN 기판을 준비하는 단계는, KTN 기판을 준비하는 단계; 상기 KTN 기판 상에 하드마스크를 증착하는 단계; 및 하드마스크가 증착된 상기 KTN 기판 내에 이온을 주입하는 단계를 포함하는 광 위상 이동기의 제조 방법
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제11 항에 있어서, 상기 실리콘 도파로는 길이 방향을 따라 면적이 점차적으로 작아진 후 다시 점차적으로 증가하도록 형성된 것을 포함하는 광 위상 이동기의 제조 방법
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KTN(KTaNbO3) 도파로;상기 KTN 도파로 상에 배치된 비정질 실리콘 도파로; 상기 KTN 도파로 상에 배치되고 상기 비정질 실리콘 도파로의 일측과 이격되도록 배치되는 제1 전극; 및 상기 KTN 도파로 상에 배치되고 상기 비정질 실리콘 도파로의 타측과 이격되도록 배치되는 제2 전극을 포함하되, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성된 전기장에 의해 상기 KTN 도파로의 굴절률이 변화되고, 상기 굴절률 변화에 의해 상기 KTN 도파로를 통과하는 빛의 위상이 제어되는 것을 포함하는 광 위상 이동기
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