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저출력을 위한 저전력 모드와 고출력을 위한 고전력 모드로 선택적으로 동작 가능한 듀얼모드 전력증폭기에 있어서,입력 트랜스포머;상기 입력 트랜스포머의 출력단에 직렬 연결되며, 제1 바이어스에 의해서 동작 여부가 결정되는 하나 이상의 트랜지스터를 포함하는 고전력 증폭기;상기 고전력 증폭기의 출력단에 직렬 연결되는 제1 트랜스포머;상기 입력 트랜스포머의 출력단에 직렬 연결되고, 제2 바이어스에 의해서 동작 여부가 결정되는 하나 이상의 트랜지스터를 포함하는 저전력 증폭기;상기 저전력 증폭기의 출력단에 직렬 연결되는 제2 트랜스포머; 및상기 제1 트랜스포머의 출력단 및 상기 제2 트랜스포머의 출력단에 각각 연결되는 증폭기 출력단; 을 포함하고,상기 제1 바이어스는 활성화되고 상기 제2 바이어스가 비활성화되면 상기 듀얼모드 전력증폭기는 상기 고전력 모드로 동작하며,상기 제1 바이어스는 비활성화되고 상기 제2 바이어스가 활성화되면 상기 듀얼모드 전력증폭기는 상기 저전력 모드로 동작하는,트랜스포머를 이용한 듀얼모드 전력증폭기
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제1항에 있어서,상기 제1 트랜스포머의 전단에 병렬 연결되는 제1 전단 커패시터;상기 제1 트랜스포머의 후단에 병렬 연결되는 제1 후단 커패시터;상기 제2 트랜스포머의 전단에 병렬 연결되는 제2 전단 커패시터; 및상기 제2 트랜스포머의 후단에 병렬 연결되는 제2 후단 커패시터; 를 더 포함하는,트랜스포머를 이용한 듀얼모드 전력증폭기
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제2항에 있어서,상기 제1 후단 커패시터와 상기 제2 후단 커패시터는,동일한 커패시터를 서로 공유하는,트랜스포머를 이용한 듀얼모드 전력증폭기
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제2항에 있어서,상기 고전력 모드로 동작할 때,상기 고전력 증폭기의 출력단에서 상기 증폭기 출력단을 바라본 임피던스는 상기 제1 트랜스포머의 1차 코일의 인덕턴스와 상기 제1 전단 커패시터의 커패시턴스로 결정되며, 상기 증폭기 출력단에서 상기 저전력 증폭기를 바라본 임피던스는 상기 제2 트랜스포머의 2차 코일의 인덕턴스와 상기 제2 후단 커패시터의 커패시턴스로 결정되는,트랜스포머를 이용한 듀얼모드 전력 증폭기
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제2항에 있어서,상기 저전력 모드로 동작할 때,상기 저전력 증폭기의 출력단에서 상기 증폭기 출력단을 바라본 임피던스는 상기 제2 트랜스포머의 1차 코일의 인덕턴스와 상기 제2 전단 커패시터의 커패시턴스로 결정되며, 상기 증폭기 출력단에서 상기 고전력 증폭기를 바라본 임피던스는 상기 제1 트랜스포머의 2차 코일의 인덕턴스와 상기 제1 후단 커패시터의 커패시턴스로 결정되는,트랜스포머를 이용한 듀얼모드 전력 증폭기
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제1항에 있어서,상기 제1 트랜스포머의 2차 코일 인덕턴스는,상기 저전력 모드로 동작할 때, 상기 제1 트랜스포머의 출력단에서 상기 고전력 증폭기를 바라본 임피던스의 크기를 증가시키는 방향으로 결정되는,트랜스포머를 이용한 듀얼모드 전력증폭기
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제1항에 있어서,상기 제2 트랜스포머의 2차 코일 인덕턴스는,상기 고전력 모드로 동작할 때, 상기 제2 트랜스포머의 출력단에서 상기 저전력 증폭기를 바라본 임피던스의 크기를 증가시키는 방향으로 결정되는,트랜스포머를 이용한 듀얼모드 전력증폭기
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제1항에 있어서,상기 고전력 증폭기 및 상기 저전력 증폭기는,InGaP/GaAs HBT 공정을 사용하여 하나의 MMIC 내부에 구현되는,트랜스포머를 이용한 듀얼모드 전력증폭기
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제8항에 있어서,상기 제1 트랜스포머 및 상기 제2 트랜스포머는,상기 MMIC가 실장된 PCB 상에 상기 MMIC의 주변에 마이크로스트립 패턴으로 구현되는,트랜스포머를 이용한 듀얼모드 전력증폭기
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