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g-C3N4 및 SiO2 복합체를 형성하는 단계; 및g-C3N4 및 SiO2 복합체로부터 SiO2 템플릿을 제거하는 단계;를 포함하는 흑연질화탄소의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,SiO2 템플릿을 제거하는 단계 후, SiO2 템플릿이 제거된 잔여물을 원심분리하는 단계;pH가 7이 될 때까지 증류수로 세척하는 단계; 및오븐에서 60 내지 80 ℃에서 건조하는 단계를 추가로 포함하는제조 방법
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콜로이드 SiO2 분산액을 건조한 후 분쇄하여 SiO2 클러스터 템플릿을 제조하는 단계;SiO2 템플릿과 멜라민을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계;혼합물을 가열하여, g-C3N4 및 SiO2 복합체를 형성하는 단계; 및g-C3N4 및 SiO2 복합체로부터 SiO2 템플릿을 제거하는 단계;를 포함하는 흑연질화탄소의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,콜로이드 SiO2 분산액을 80 내지 120 ℃의 오븐에서 건조하는 제조 방법
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제 3 항에 있어서,콜로이드 SiO2 분산액을 10 내지 14 시간 동안 건조하는 제조 방법
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제 3 항에 있어서,SiO2 템플릿과 멜라민을 1 : 1 내지 1
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제 3 항에 있어서,혼합물을 550 ℃까지 가열하고 2 내지 4 시간 유지하여, g-C3N4 및 SiO2 복합체를 형성하는 제조 방법
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8
제 3 항에 있어서,불화 수소(HF) 용액을 첨가하여 g-C3N4 및 SiO2 복합체로부터 SiO2 템플릿을 제거하는 제조 방법
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9
SiO2 미소구체를 준비하는 단계; SiO2 미소구체에 용융 시안아미드(cyanamide)를 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계;혼합물을 가열하여, g-C3N4 및 SiO2 복합체를 형성하는 단계; 및g-C3N4 및 SiO2 복합체로부터 SiO2 템플릿을 제거하는 단계;를 포함하는 흑연질화탄소의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,시안아미드 및 실리카 미소구체의 중량비는 1 : 0
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제 9 항에 있어서,실리카 미소구체의 평균 직경은 200 내지 400 nm인 제조 방법
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제 9 항에 있어서,혼합물을 70 내지 90℃에서 20 내지 40분 동안 혼합하고, 냉각 후 다시 500 내지 600 ℃에서 가열하여 g-C3N4 및 SiO2 복합체를 형성하는 제조 방법
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제 9 항에 있어서,불화 수소 암모늄(ammonium hydrogen difluoride) 용액을 첨가하여 g-C3N4 및 SiO2 복합체로부터 SiO2 템플릿을 제거하는 제조 방법
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제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해 제조된 흑연질화탄소
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제 14 항에 있어서,기공의 평균 볼륨은 0
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제 14 항에 있어서,기공의 평균 직경은 10 내지 20 nm인 흑연질화탄소
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제 14 항에 있어서,BET 비표면적은 30 내지 70 m2g-1인 흑연질화탄소
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제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항의 흑연질화탄소를 포함하는 가시광선 광촉매
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