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i) 제 1 황화물; ii) 제 2 황화물, 셀레늄 화합물 및 텔레늄 화합물 중 적어도 하나;iii) 산화물; 및 iv) 할로겐화물을 포함하는 전구체를 각각 준비하는 단계;준비된 전구체를 300 내지 1200 rpm으로 5 내지 100 시간 동안 볼 밀링하여 분말을 형성하는 단계; 및상기 분말을 1 내지 50시간 동안 1 내지 20℃의 가열속도로 300 내지 600℃에서 열처리하는 단계를 포함하고, 제 1 황화물은 알칼리 금속 황화물이며, 제 2 황화물은 제 1 황화물과 상이한 황화물인 황화물 고체 전해질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,아지로다이트형 결정구조를 가지는 황화물 고체 전해질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,제 1 황화물은 Li2S, Na2S 및 K2S으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 황화물 고체 전해질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,제 2 황화물은 P2S5, Al2S3, SiS2, SeS2, GeS2, TiS2, Sb2S3, Sb2S5, SnS2, Nb2S5, Y2S3, MoS2, MoS3, WS2, WS3, CrS3, MnS3, RuS3, ZrS2, Sc2S3 및 In2S3으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 황화물 고체 전해질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,셀레늄 화합물은 P2Se5, P2Se3-, Al2Se3, Sc2Se3, B2Se3, Y2Se3, Sb2Se3, Bi2Se3, In2Se3, Ga2Se3, SiSe2, SnSe2, GeSe2, SeSe2, NbSe2, MoSe2, Sb2Se5, Nb2Se5, Bi2Se5, Ta2Se5, MoSe3, WSe3, RuSe3, CrSe3 및 MnSe3으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 황화물 고체 전해질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,텔레늄 화합물은 P2Te3, Al2Te3, Sc2Te3, B2Te3, Y2Te3, Sb2Te3, Bi2Te3, In2Te3, Ga2Te3, SiTe2, SnTe2, GeTe2, SeTe2, NbTe2, MoTe2, Sb2Te5, Nb2Te5, Bi2Te5, Ta2Te5, MoTe3, WTe3, RuTe3, CrTe3 및 MnTe3으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 황화물 고체 전해질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,산화물은 P2O5, SiO2, SeO-2, GeO2, TiO2, Sb2O3, Sb2O5, SnO2, Nb2O5, MoO2, MoO3, WO2, WO3, RuO2, Al2O3, Ga2O3, Sc2O3 및 ZrO2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 황화물 고체 전해질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,할로겐화물은 Cl, Br, I 및 F으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 황화물 고체 전해질의 제조 방법
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하기 화학식 1을 만족하는 황화물 고체 전해질
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하기 화학식 2를 만족하는 황화물 고체 전해질
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하기 화학식 3을 만족하는 황화물 고체 전해질
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하기 화학식 4를 만족하는 황화물 고체 전해질
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하기 화학식 5를 만족하는 황화물 고체 전해질
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하기 화학식 6을 만족하는 황화물 고체 전해질
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하기 화학식 7을 만족하는 황화물 고체 전해질
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하기 화학식 8을 만족하는 황화물 고체 전해질
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제 9 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,이온 전도도는 건조 공기 노출 상태에서 1 내지 15 mScm-1인 황화물 고체 전해질
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제 9 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,임계 전류 밀도가 0
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음극재; 양극재; 및 상기 음극재과 양극재 사이에 배치되며, 청구항 9 내지 청구항 16 중 어느 한 항의 황화물 고체 전해질을 포함하는 배터리
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제 19 항에 있어서,0
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