맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

자외선 광 검출기

  • 기술번호 : KST2023006368
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판과 쇼트키 금속 박막 사이에 AZO 층을 포함하는 자외선 파장대의 광의 검출이 가능한 자외선 광 검출기에 관한 것으로, 상기 자외선 광 검출기는 400 nm 이하의 자외선 파장대에서 광 검출기의 응답도(Responsivity)와 검출도(detectivity)의 효율이 높다.
Int. CL H01L 31/108 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/09 (2006.01.01)
CPC H01L 31/108(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/09(2013.01)
출원번호/일자 1020220018823 (2022.02.14)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0122314 (2023.08.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.02.14)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최철종 전라북도 전주시 덕진구
2 심규환 전라북도 전주시 덕진구
3 육심훈 전라북도 전주시 덕진구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2022-0162042-14
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.02.28 수리 (Accepted) 4-1-2023-5049578-11
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2023.07.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2023-5197067-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판 상의 AZO 층; 상기 AZO 층 상의 쇼트키 전극 층; 및,상기 반도체 기판 상의 AZO 층과 이격된 오믹 전극 층을 포함하는 자외선 광 검출기
2 2
제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판은 GaN(질화갈륨)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 광 검출기
3 3
제 1 항에 있어서,상기 AZO 층은 계면 상태 밀도를 줄여 응답도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 자외선 광 검출기
4 4
제 1 항에 있어서,상기 자외선 광 검출기는 400 nm 이하의 자외선 파장대의 광 검출이 가능한 것을 특징으로 하는 자외선 광 검출기
5 5
반도체 기판을 준비하는 단계;상기 반도체 기판 상면의 일부에 AZO 층을 증착하는 단계;상기 AZO 층 상에 쇼트키 전극 층을 증착하는 단계; 및,상기 반도체 기판 상면의 일부에 상기 AZO 층과 이격된 오믹 전극 층을 증착하는 단계를 포함하는 자외선 광 검출기의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 쇼트키 전극 층 및 오믹 전극 층은 포토-리소그래피(phoro lithography)공정을 통해서 증착하는 것을 특징으로 하는 자외선 광 검출기의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 반도체 기판은 GaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 광 검출기의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소벤처기업부 전북대학교 산학협력단 중소기업기술혁신개발사업(시장확대형) 광대역 무지향성 UV - IR Si 광센서 기술 개발