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산화아연(ZnO), 산화프라세오디뮴(PrO1
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제1항에 있어서,상기 바리스터는 (98
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제1항에 있어서, 상기 바리스터는 세라믹스 밀도(ρ)가 5
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제1항에 있어서,상기 바리스터는 평균 입자 크기(d)가 4
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제1항에 있어서,상기 바리스터는 Sm2O3를 2차 상으로 포함하는ZPCCASm계 바리스터
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제1항에 있어서,상기 바리스터는 항복전압(V1mA)이 2,568 내지 6,800V/cm인ZPCCASm계 바리스터
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7
제1항에 있어서,상기 바리스터는 비선형 지수(α)가 23
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제1항에 있어서,상기 바리스터는 누설 전류 밀도(JL)가 0
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9
제1항에 있어서, 상기 바리스터는 도너(donor) 농도가 1
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10
제1항에 따른 ZPCCASm계 바리스터를 다수 개 적층하여 모듈화하고 그 내부에 은(Ag) 내부전극이 동시소성으로 형성된 칩 바리스터
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제1항에 따른 ZPCCASm계 바리스터를 포함하는박막
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1) 산화아연(ZnO), 산화프라세오디뮴(PrO1
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