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ZPCCASm계 바리스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2023006608
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연(ZnO), 산화프라세오디뮴(PrO1.83), 산화코발트(CoO), 산화크롬(Cr2O3) 및 산화알루미늄(Al2O3)을 포함하며, 사마륨 산화물(Sm2O3)를 추가로 포함하는 ZPCCASm계 바리스터에 관한 것이다. 상기 ZPCCA 기반 바리스터는 미세구조에서 Sm2O3를 도핑하여, 결정립 크기를 감소시켜 결정립 성장을 제한하고 보다 조밀한 소결 세라믹으로 제조할 수 있고, 항복 전계를 증가하며, 비선형 특성을 개선할 수 있다. 또한, 본 발명의 ZPCCA 기반 바리스터는 도너 농도를 감소하고, 결정립계의 전위장벽 높이를 증가시키며, 계면 상태의 밀도 및 유전 상수를 감소시킬 수 있다.
Int. CL H01C 7/112 (2006.01.01) H01C 17/065 (2006.01.01) H01C 17/075 (2006.01.01) C04B 35/48 (2006.01.01) C04B 35/634 (2006.01.01) C04B 35/626 (2006.01.01) C04B 41/51 (2006.01.01)
CPC H01C 7/112(2013.01) H01C 17/06553(2013.01) H01C 17/075(2013.01) C04B 35/48(2013.01) C04B 35/63416(2013.01) C04B 35/62615(2013.01) C04B 35/62695(2013.01) C04B 41/5116(2013.01) C04B 2235/604(2013.01) C04B 2235/3227(2013.01) C04B 2235/96(2013.01)
출원번호/일자 1020220016135 (2022.02.08)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0119861 (2023.08.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.02.08)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남춘우 부산광역시 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 원대규 대한민국 서울특별시 금천구 디지털로 ***, ***호(세인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2022-0139355-60
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2023.03.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
산화아연(ZnO), 산화프라세오디뮴(PrO1
2 2
제1항에 있어서,상기 바리스터는 (98
3 3
제1항에 있어서, 상기 바리스터는 세라믹스 밀도(ρ)가 5
4 4
제1항에 있어서,상기 바리스터는 평균 입자 크기(d)가 4
5 5
제1항에 있어서,상기 바리스터는 Sm2O3를 2차 상으로 포함하는ZPCCASm계 바리스터
6 6
제1항에 있어서,상기 바리스터는 항복전압(V1mA)이 2,568 내지 6,800V/cm인ZPCCASm계 바리스터
7 7
제1항에 있어서,상기 바리스터는 비선형 지수(α)가 23
8 8
제1항에 있어서,상기 바리스터는 누설 전류 밀도(JL)가 0
9 9
제1항에 있어서, 상기 바리스터는 도너(donor) 농도가 1
10 10
제1항에 따른 ZPCCASm계 바리스터를 다수 개 적층하여 모듈화하고 그 내부에 은(Ag) 내부전극이 동시소성으로 형성된 칩 바리스터
11 11
제1항에 따른 ZPCCASm계 바리스터를 포함하는박막
12 12
1) 산화아연(ZnO), 산화프라세오디뮴(PrO1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.