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반도체 구조체 내에 여기된 캐리어를 형성할 수 있도록 레이저광을 반도체 구조체에 입사하는 단계;반도체 구조체 내 여기된 캐리어가 재결합하는 동안 반도체 구조체에 전자기파를 조사하는 단계;반도체 구조체 내 여기된 캐리어와 반응하는 전자기파의 특성 정보를 측정하는 단계; 및측정된 전자기파의 특성 정보를 포함하는 파라미터를 이용하여 반도체 구조체의 결함 밀도 또는 결함 분포를 판별하는 단계;를 포함하는,반도체 구조체 결함 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,레이저광을 반도체 구조체에 입사하는 단계는, 레이저광의 반도체 구조체 내 투과 깊이를 제어하도록 레이저광의 파장을 조절하는 단계를 포함하는,반도체 구조체 결함 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,레이저광을 반도체 구조체에 입사하는 단계는, 레이저광의 반도체 구조체 내 투과 깊이를 제어하도록 레이저광이 반도체 구조체에 입사하는 입사각을 조절하는 단계를 포함하는,반도체 구조체 결함 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,전자기파의 특성 정보는 전자기파의 투과율 또는 반사율을 포함하는,반도체 구조체 결함 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,측정된 전자기파의 특성 정보를 포함하는 파라미터는 시간에 따른 전자기파의 투과율 감쇠 변화량인,반도체 구조체 결함 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,측정된 전자기파의 특성 정보를 포함하는 파라미터는 시간에 따른 전자기파의 투과율 감쇠 함수에 대하여 라플라스 역변환 연산을 통해 산출된 캐리어 재결합 시상수인,반도체 구조체 결함 모니터링 방법
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7
제 6 항에 있어서,캐리어 재결합 시상수는, 반도체 구조체 내 결함의 유형 별로 분리될 수 있으며, 반도체 구조체 내 결함 밀도와 반비례하는,반도체 구조체 결함 모니터링 방법
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8
제 7 항에 있어서,캐리어 재결합 시상수는 반도체 구조체 내 제1 유형의 결함에 따른 제1 캐리어 재결합 시상수 및 반도체 구조체 내 제2 유형의 결함에 따른 제2 캐리어 재결합 시상수로 분리될 수 있는,반도체 구조체 결함 모니터링 방법
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제 6 항에 있어서,시간에 따른 전자기파의 투과율 감쇠 함수는 하기의 수학식 1에 의하여 모사될 수 있는,반도체 구조체 결함 모니터링 방법
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10
제 1 항에 있어서,레이저광은 펨토초 레이저광을 포함하고, 전자기파는 테라헤르츠 파를 포함하는,반도체 구조체 결함 모니터링 방법
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11
제 1 항에 있어서,반도체 구조체 내 여기된 캐리어는 반도체 구조체 내 여기된 자유전자 또는 정공을 포함하는,반도체 구조체 결함 모니터링 방법
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반도체 구조체 내에 여기된 캐리어를 형성할 수 있도록 반도체 구조체에 입사하는 레이저광을 생성하는 발광부;반도체 구조체 내 여기된 캐리어가 재결합하는 동안 반도체 구조체에 전자기파를 조사하는 전자기파 조사부;반도체 구조체를 투과하거나 반사된 전자기파를 수신하는 전자기파 수신부;전자기파 수신부로 수신된 전자기파의 특성 정보를 측정하는 측정부; 및측정된 전자기파의 특성 정보를 포함하는 파라미터를 이용하여 반도체 구조체의 결함 밀도 또는 결함 분포를 판별하는 연산제어부;를 포함하는,반도체 구조체 결함 모니터링 장치
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13
제 12 항에 있어서,발광부는 레이저광의 반도체 구조체 내 투과 깊이를 제어하도록 레이저광의 파장을 조절하는 파장 제어유닛을 구비하는,반도체 구조체 결함 모니터링 장치
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14
제 12 항에 있어서,발광부는 레이저광의 반도체 구조체 내 투과 깊이를 제어하도록 레이저광이 반도체 구조체에 입사하는 입사각을 조절하는 입사각 제어유닛을 구비하는,반도체 구조체 결함 모니터링 장치
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15
제 12 항에 있어서,발광부는 레이저광의 반도체 구조체 내 투과 깊이를 제어하도록 레이저광의 파장을 조절하는 파장 제어유닛 및 레이저광이 반도체 구조체에 입사하는 입사각을 조절하는 입사각 제어유닛을 구비하는,반도체 구조체 결함 모니터링 장치
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제 12 항에 있어서,전자기파 조사부는 기판의 상방에 위치하고, 전자기파 수신부는 반도체 구조체를 투과한 전자기파를 수신하기 위하여 기판의 하방에 위치하는,반도체 구조체 결함 모니터링 장치
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제 12 항에 있어서,전자기파 조사부는 기판의 상방에 위치하고, 전자기파 수신부는 반도체 구조체에서 반사된 전자기파를 수신하기 위하여 기판의 상방에 위치하는,반도체 구조체 결함 모니터링 장치
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제 12 항에 있어서,측정부는 전자기파의 특성 정보로서 전자기파의 투과율 또는 반사율을 측정하는,반도체 구조체 결함 모니터링 장치
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제 12 항에 있어서,연산제어부는 측정된 전자기파의 특성 정보를 이용한 결과로서 시간에 따른 전자기파의 투과율 감쇠 함수에 대하여 라플라스 역변환 연산을 통해 캐리어 재결합 시상수를 산출하되, 캐리어 재결합 시상수는, 반도체 구조체 내 결함의 유형 별로 분리될 수 있으며, 반도체 구조체 내 결함 밀도와 반비례하는,반도체 구조체 결함 모니터링 장치
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20
제 12 항에 있어서,발광부는 펨토초 레이저광을 생성하며, 전자기파 조사부는 테라헤르츠 파를 조사하는,반도체 구조체 결함 모니터링 장치
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