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박막 내 여기된 캐리어를 형성할 수 있는 레이저광을 입사하는 단계;박막 내 여기된 캐리어가 재결합하는 동안 박막에 전자기파를 조사하는 단계;박막 내 여기된 캐리어와 반응하는 전자기파의 특성 정보를 측정하는 단계; 및측정된 전자기파의 특성 정보를 이용한 결과를 기준 데이타와 비교하여 박막의 정상 여부를 판별하는 단계;를 포함하는,공정 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,전자기파의 특성 정보는 전자기파의 투과율 또는 반사율을 포함하는,공정 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,측정된 전자기파의 특성 정보를 이용한 결과는 시간에 따른 전자기파의 투과율 감쇠 함수에 대하여 라플라스 역변환 연산을 통해 산출된 캐리어 재결합 시상수를 포함하는,공정 모니터링 방법
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제 3 항에 있어서,캐리어 재결합 시상수는, 박막 내 결함의 유형 별로 분리될 수 있으며, 박막 내 결함 밀도와 반비례하는,공정 모니터링 방법
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제 4 항에 있어서,캐리어 재결합 시상수는 박막 내 제1 유형의 결함에 따른 제1 캐리어 재결합 시상수 및 박막 내 제2 유형의 결함에 따른 제2 캐리어 재결합 시상수로 분리될 수 있는,공정 모니터링 방법
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제 5 항에 있어서,제1 캐리어 재결합 시상수는 제1 유형의 결함에 따른 제1 결함 밀도와 반비례하고, 제2 캐리어 재결합 시상수는 제2 유형의 결함에 따른 제2 결함 밀도와 반비례하되, 제1 캐리어 재결합 시상수와 제2 캐리어 재결합 시상수의 대소 관계는 박막 내 제1 결함 밀도와 제2 결함 밀도의 대소 관계와 서로 반대인,공정 모니터링 방법
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제 4 항에 있어서,박막 내 결함의 유형 별로 분리된 캐리어 재결합 시상수를 기준 데이터와 비교하여 박막이 비정상으로 판별되는 결함 유형이 도출되는 경우, 도출된 결함 유형과 관련된 공정 조건을 제어하는 단계;를 더 포함하는,공정 모니터링 방법
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제 3 항에 있어서,시간에 따른 전자기파의 투과율 감쇠 함수는 하기의 수학식 1에 의하여 모사될 수 있는,공정 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,레이저광은 펨토초 레이저광을 포함하는,공정 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,전자기파는 테라헤르츠 파를 포함하는,공정 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,박막 내 여기된 캐리어는 박막 내 여기된 자유전자 또는 정공을 포함하는,공정 모니터링 방법
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박막 내 여기된 캐리어를 형성할 수 있도록 박막에 입사하는 레이저광을 생성하는 발광부;박막 내 여기된 캐리어가 재결합하는 동안 박막에 전자기파를 조사하는 전자기파 조사부;박막 내 여기된 캐리어와 반응하는 전자기파의 특성 정보를 측정하는 측정부; 및측정된 전자기파의 특성 정보를 이용한 결과를 기준 데이타와 비교하여 박막의 정상 여부를 판별하는 연산제어부;를 포함하는,공정 모니터링 장치
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제 12 항에 있어서,측정부는 전자기파의 특성 정보로서 전자기파의 투과율 또는 반사율을 측정하는,공정 모니터링 장치
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제 12 항에 있어서,연산제어부는 측정된 전자기파의 특성 정보를 이용한 결과로서 시간에 따른 전자기파의 투과율 감쇠 함수에 대하여 라플라스 역변환 연산을 통해 캐리어 재결합 시상수를 산출하는,공정 모니터링 장치
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제 14 항에 있어서,캐리어 재결합 시상수는, 박막 내 결함의 유형 별로 분리될 수 있으며, 박막 내 결함 밀도와 반비례하는,공정 모니터링 장치
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제 15 항에 있어서,캐리어 재결합 시상수는 박막 내 제1 유형의 결함에 따른 제1 캐리어 재결합 시상수 및 박막 내 제2 유형의 결함에 따른 제2 캐리어 재결합 시상수로 분리될 수 있는,공정 모니터링 장치
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제 16 항에 있어서,제1 캐리어 재결합 시상수는 제1 유형의 결함에 따른 제1 결함 밀도와 반비례하고, 제2 캐리어 재결합 시상수는 제2 유형의 결함에 따른 제2 결함 밀도와 반비례하되, 제1 캐리어 재결합 시상수와 제2 캐리어 재결합 시상수의 대소 관계는 박막 내 제1 결함 밀도와 제2 결함 밀도의 대소 관계와 서로 반대인,공정 모니터링 장치
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제 15 항에 있어서,연산제어부는 박막 내 결함의 유형 별로 분리된 캐리어 재결합 시상수를 기준 데이터와 비교하여 박막이 비정상으로 판별되는 결함 유형이 도출되는 경우, 도출된 결함 유형과 관련된 공정 조건을 제어하는 것을 특징으로 하는,공정 모니터링 장치
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제 12 항에 있어서,발광부는 레이저광으로서 펨토초 레이저광을 생성하는,공정 모니터링 장치
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제 12 항에 있어서,전자기파 조사부는 전자기파로서 테라헤르츠 파를 조사하는,공정 모니터링 장치
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