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중앙 전해질 분배관을 중심으로 스택을 적층하는 방법에 있어서,엔드 플레이트 상에 PVC경판을 적층하는 제1단계;상기 PVC경판에 제1 집전체를 적층하는 제2단계;상기 제1 집전체 상에 제1 양극판(바이폴라 플레이트, BP)를 적층하는 제3단계;상기 제1 양극판(바이폴라 플레이트, BP) 상에 셀을 적층하는 제4단계;상기 셀 상에 제2 양극판(바이폴라 플레이트, BP)를 적층하는 제5단계;상기 제2 양극판(바이폴라 플레이트, BP) 상에 제2 집전체를 적층하는 제6단계; 및상기 제2 집전체 상에 중앙 전해질 분배관을 적층하는 제7단계;를 포함하고,상기 셀을 적층하는 제4단계는,상기 제1 양극판(바이폴라 플레이트, BP)에 상기 양극 플로우 프레임을 적층하는 단계;상기 양극 플로우 프레임의 정면부에 제1전극을 삽입하는 단계;상기 제1전극 상에 분리막을 적층하는 단계;상기 양극 플로우 프레임의 정면부에 음극 플로우 프레임을 적층하는 단계; 및상기 음극 플로우 프레임의 후면부에 제2전극을 삽입하는 단계;를 포함하고,상기 음극 플로우 프레임을 적층하는 단계는제1 음극 플로우 프레임을 적층하는 단계 및 제2 음극 플로우 프레임을 적층하는 단계를 포함하고,상기 제1 음극 플로우 프레임을 적층하는 단계는,상기 제1 음극 플로우 프레임의 정면부에 외곽 실링제, 매니폴드 실링제 및 분리막 실링제를 삽입하고,상기 제1 음극 플로우 프레임의 후면부에 양극판(바이폴라 플레이트, BP) 실링제와 외곽 실링제를 삽입하는 것인, 실링이 강화된 레독스 흐름전지의 적층방법
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제1항에 있어서, 상기 셀을 적층하는 제4단계는 상기 양극 플로우 프레임 및 상기 음극 플로우 프레임을 형성하는 단계를 포함하는 것인,실링이 강화된 레독스 흐름전지의 적층방법
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제2항에 있어서, 상기 양극 플로우 프레임 및 상기 음극 플로우 프레임을 형성하는 단계는, 상기 양극 플로우 프레임 및 음극 플로우 프레임의 전해질 유로를 커버 플레이트로 접착하는 것인,실링이 강화된 레독스 흐름전지의 적층방법
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제1항에 있어서,상기 셀을 적층하는 제4단계는 셀을 연속적으로 적층하는 것으로,상기 연속적으로 적층되는 셀과 셀 사이에 양극판(바이폴라 플레이트, BP)을 포함하는 것인,실링이 강화된 레독스 흐름전지의 적층방법
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제1항에 있어서,상기 제1 양극판과 접촉하도록 형성된 셀은 제1 양극 플로우 프레임 및 제1 음극 플로우 프레임을 포함하는 것인,실링이 강화된 레독스 흐름전지의 적층방법
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제2항에 있어서,상기 제2 양극판과 접촉하도록 형성된 셀은 제2 양극 플로우 프레임 및 제2 음극 플로우 프레임을 포함하는 것인,실링이 강화된 레독스 흐름전지의 적층방법
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제1항에 있어서,상기 제1 양극판과 접촉하도록 형성된 셀이 제1 양극플로우 프레임이면 제2 양극판에 접촉하는 셀은 제2 음극 플로우 프레임이고, 제1 양극판과 접촉하도록 형성된 셀이 제1 음극플로우 프레임이면, 제2 양극판에 접촉하는 셀은 제2 양극 플로우 프레임인 것인,실링이 강화된 레독스 흐름전지의 적층방법
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제1항에 있어서,상기 스택을 적층하는 방법은 상기 중앙 전해질 분배관의 일면에 N개의 셀이 연속으로 적층되고, 상기 중앙 전해질 분배관의 타면에 N개의 셀이 연속으로 적층되는 것인,실링이 강화된 레독스 흐름전지의 적층방법
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