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볼록렌즈; 및 상기 볼록렌즈의 후면에 형성되고, 반사형 회절격자부 및 제1 평면반사부가 동일 면에 배열된 후면반사 회절격자층을 포함하는 렌즈부; 상기 렌즈부와 이격되어 배치되고, 광입사 마이크로 슬릿이 형성된 기판층; 상기 기판층 상에 형성된 제2 평면반사부; 및상기 렌즈부에서 반사된 광이 집속되는 CMOS 센서; 를 포함하는, 초박형 마이크로 분광기
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제1항에 있어서,상기 후면반사 회절격자층은,베이스 기판; 상기 베이스 기판의 일면에 형성된 반사형 회절격자부 영역; 및 상기 반사형 회절격자부 영역과 동일한 면에 형성된 제1 평면반사부 영역;을 포함하는 것인, 초박형 마이크로 분광기
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제2항에 있어서,상기 회절격자는, 상기 베이스 기판 상에 형성된 복수개의 선형 패턴이며, 상기 선형 패턴은, 산화물을 포함하는 것인, 초박형 마이크로 분광기
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제1항에 있어서,상기 제1 평면반사부 및 상기 반사형 회절격자부는, 금속 코팅층을 포함하고, 상기 반사형 회절격자부는, 상기 제1 평면반사부와 동일하거나 또는 상이한 금속 코팅층을 포함하는 것인,초박형 마이크로 분광기
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제4항에 있어서,상기 금속 코팅층은,은(Ag), 팔라듐(Pd), 금 (Au), 구리 (Cu), 비스무트 (Bi), 게르마늄 (Ge), 갈륨 (Ga), 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것인, 초박형 마이크로 분광기
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제4항에 있어서,상기 금속 코팅층의 두께는, 50 nm 내지 100 nm이고,상기 금속 코팅층은, 단일층 또는 복수층인 것인,초박형 마이크로 분광기
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제3항에 있어서,상기 선형 패턴은, 1 ㎛ 내지 2 ㎛의 주기(period), 100 nm 내지 200 nm 높이 및 500 nm 내지 900 nm 선 두께 및 0
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제2항에 있어서,상기 베이스 기판은, 투명 기판이며,상기 투명 기판은, 유리, 사파이어, 투명 웨이퍼 및 투명 플라스틱 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것인,초박형 마이크로 분광기
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제1항에 있어서,상기 마이크로 슬릿은, 상기 제1 평면반사부로 광 입사하는 것인, 초박형 마이크로 분광기
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제1항에 있어서,상기 마이크로 슬릿과 상기 제1 평면반사부 간의 거리는,4 mm 내지 8 mm인 것인,초박형 마이크로 분광기
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제1항에 있어서,상기 마이크로 슬릿을 통해 입사된 광은, 상기 제1 평면반사부에서 상기 제2 평면반사부로 시준되고,상기 제2 평면반사부에서 반사된 광은, 상기 후면반사 회절격자층를 통해 CMOS 센서로 집속되는 것인, 초박형 마이크로 분광기
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제11항에 있어서,상기 CMOS 센서에 집속되는 광은, 350 nm 내지 800 nm 파장의 가시광선이고, 다중 파장의 광이 집속되는 것인, 초박형 마이크로 분광기
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후면반사 회절격자층을 형성하는 단계; 및렌즈 상에 상기 후면반사 회절격자층을 배치하는 단계;를 포함하고, 상기 후면반사 회절격자층을 형성하는 단계는, 베이스 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 기판 상에 산화물층을 형성하는 단계;상기 산화물층의 적어도 일부분에 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층에 포토리소그래피 공정을 진행하는 단계;상기 산화물층을 패터닝하여 회절격자 구조를 형성하는 단계; 및 상기 산화물층 상에 포토레지스트를 제거한 이후 회절격자 영역과 평면반사 영역에 금속층을 증착하는 단계; 를 포함하는 것인, 초박형 마이크로 분광기의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 렌즈 상에 상기 후면반사 회절격자층을 배치하는 단계는,상기 렌즈의 후면 상에 상기 후면반사 회절격자층의 베이스 기판 면을 위치시키는 것인, 초박형 마이크로 분광기의 제조방법
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