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하기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 유기 금속 화합물을 포함하는, 이종금속 칼코게나이드 박막형성을 위한 용액공정용 조성물
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제1항에 있어서,상기 A1 및 A2는 각각 동일하거나 상이하고 서로 독립적으로, P+(R1R2R3R4) 인 것을 특징으로 하는 용액 공정용 조성물
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제2항에 있어서,상기 R1 내지 R4는 각각 동일하거나 상이하고 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환의 C6-C20의 아릴기; 및 치환 또는 비치환의 C2-C20의 헤테로아릴기; 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 용액 공정용 조성물
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4
제3항에 있어서,상기 R1 내지 R4는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 용액 공정용 조성물
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제1항에 있어서,상기 M은 Ni, Co, Fe, Ru, Rh, Pd, Os, Ir 및 Pt 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 원소인 것을 특징으로 하는 용액 공정용 조성물
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6
제1항에 있어서,상기 용액 공정용 조성물은 유기 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 용액 공정용 조성물
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7
제6항에 있어서,전체 조성물을 기준으로, 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 유기 금속 화합물을 0
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8
(a) 제1항 내지 제7항 중에서 선택되는 어느 하나의 용액 공정용 조성물을 기판에 코팅하는 단계; 및(b) 상기 용액 공정용 조성물이 코팅된 기판을 열처리 또는 외부의 에너지를 인가하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종금속 칼코게나이드 박막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 열처리 하는 단계는 300 내지 700 ℃의 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이종금속 칼코게나이드 박막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 (a) 단계 이전에, 상기 기판은 기판의 표면을 친수성 처리한 것을 특징으로 하는 이종금속 칼코게나이드 박막의 제조방법
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11
제8항에 따른 이종금속 칼코게나이드 박막의 제조방법에 의해 제조된, 이종금속 칼코게나이드 박막
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제11항의 이종금속 칼코게나이드 박막을 포함하는 광센서
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제11항의 이종금속 칼코게나이드 박막을 포함하는 전자 소자(electronic device)
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