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방사선 검출 장치에 있어서,방사선을 섬광신호로 변환하는 M1xM2 배열의 섬광결정 및 상기 섬광결정 하단에 결합되어 상기 섬광신호를 전기신호로 변환하는 N1xN2 배열의 다채널 실리콘 광센서를 포함하는 신호 검출부; 및상기 신호 검출기로부터 출력된 상기 전기신호를 이용하여 상기 방사선이 입사한 위치를 판별하는 신호 처리부;를 포함하되,상기 N1xN2 배열의 다채널 실리콘 광센서는, 상기 다채널 실리콘 광센서에 포함된 복수의 채널 각각에 대해, (i) N1개의 행(row) 중 홀수번째 행에 포함되어 있는 홀수행 단위 채널 각각은, 자신의 전기신호를, 자신과 동일한 열(column)에 포함되어 있고 상기 홀수번째 행에 포함되어 있는 타 홀수행 단위 채널 각각의 전기신호와 합산하여 열방향 홀수채널 신호인 X1 내지 XN2 각각이 출력되도록 연결되고, (ii) 상기 N1개의 행(row) 중 짝수번째 행에 포함되어 있는 짝수행 단위 채널 각각은, 자신의 전기신호를, 자신과 동일한 열(column)에 포함되어 있고 상기 짝수번째 행에 포함되어 있는 타 짝수행 단위 채널 각각의 전기신호와 합산하여 열방향 짝수채널 신호인 X11 내지 XN2N2 각각이 출력되도록 연결되며, (iii) N2개의 열(column) 중 홀수번째 열에 포함되어 있는 홀수열 단위 채널 각각은, 자신의 전기신호를, 자신과 동일한 행(row)에 포함되어 있고 상기 홀수번째 열에 포함되어 있는 타 홀수열 단위 채널 각각의 전기신호와 합산하여 횡방향 홀수채널 신호인 Y1 내지 YN1 각각이 출력되도록 연결되고, (iv) 상기 N2개의 열(column) 중 짝수번째 열에 포함되어 있는 짝수열 단위 채널 각각은, 자신의 전기신호를, 자신과 동일한 행(row)에 포함되어 있고 상기 짝수번째 행에 포함되어 있는 타 짝수열 단위 채널 각각의 전기신호와 합산하여 횡방향 짝수채널 신호인 Y11 내지 YN1N1 각각이 출력되도록 연결되어 있는 개별 횡열방향 전하합산회로인 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치
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제1항에 있어서,상기 다채널 실리콘 광센서는, 상기 홀수행 단위 채널과 상기 홀수열 단위 채널의 교집합인 제1 타입 셀, 상기 홀수행 단위 채널과 상기 짝수열 단위 채널의 교집합인 제2 타입 셀, 상기 짝수행 단위 채널과 상기 홀수열 단위 채널의 교집합인 제3 타입 셀, 및 상기 짝수행 단위 채널과 상기 짝수열 단위 채널의 교집합인 제4 타입셀로 구성된 복수의 그리드 셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치
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제1항에 있어서,상기 신호 처리부는, 상기 개별 횡열방향 전하합산회로에서 출력되는 복수의 신호를 이용하여 상기 방사선이 입사된 위치 좌표인 X 좌표 및 Y 좌표를 계산하되,상기 신호 처리부는, 상기 열방향 홀수채널 신호 및 상기 열방향 짝수채널 신호를 이용하여 상기 X 좌표를 계산하고, 상기 횡방향 홀수채널 신호 및 상기 횡방향 짝수채널 신호를 이용하여 상기 Y 좌표를 계산하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치
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제3항에 있어서,상기 신호 처리부는, (i) (i-1) (i-1-1) 상기 열방향 홀수채널 신호 각각에 해당 열방향 홀수채널 신호의 기설정된 위치가중치 각각을 곱한 조정 열방향 홀수채널 신호 각각을 합한 값 및 (i-1-2) 상기 열방향 홀수채널 신호 각각을 합한 값을 참조로 하여, 열방향 홀수채널 좌표 값을 획득하는 프로세스, (i-2) (i-2-1) 상기 열방향 짝수채널 신호 각각에 해당 열방향 짝수채널 신호의 기설정된 위치가중치 각각을 곱한 조정 열방향 짝수채널 신호 각각을 합한 값 및 (i-2-2) 상기 열방향 짝수채널 신호 각각을 합한 값을 참조로 하여, 열방향 짝수채널 좌표 값을 획득하는 프로세스, (i-3) 상기 열방향 홀수채널 좌표 값과 상기 열방향 짝수채널 좌표 값을 참조로 하여 상기 X 좌표를 계산하는 프로세스, 및 (ii) (ii-1) (ii-1-1) 상기 횡방향 홀수채널 신호 각각에 해당 횡방향 홀수채널 신호의 기설정된 위치가중치 각각을 곱한 조정 횡방향 홀수채널 신호 각각을 합한 값 및 (ii-1-2) 상기 횡방향 홀수채널 신호 각각을 합한 값을 참조로 하여, 횡방향 홀수채널 좌표 값을 획득하는 프로세스, (ii-2) (ii-2-1) 상기 횡방향 짝수채널 신호 각각에 해당 횡방향 짝수채널 신호의 기설정된 위치가중치 각각을 곱한 조정 횡방향 짝수채널 신호 각각을 합한 값 및 (ii-2-2) 상기 횡방향 짝수채널 신호 각각을 합한 값을 참조로 하여, 횡방향 짝수채널 좌표 값을 획득하는 프로세스, (ii-3) 상기 횡방향 홀수채널 좌표 값과 상기 횡방향 짝수채널 좌표 값을 참조로 하여 상기 Y 좌표를 계산하는 프로세스를 수행하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치
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제4항에 있어서,상기 X 좌표는, 으로부터 구해지고,여기에서, Xa는 상기 열방향 홀수채널 좌표 값이고, Xb는 상기 열방향 짝수채널 좌표 값이며, 으로부터 상기 Xa 가 구해지고, 으로부터 상기 Xb가 구해지며,여기에서, Xi 및 Xk는 상기 열방향 홀수채널 신호이고, Xii 및 Xkk는 상기 열방향 짝수채널 신호이며, wk는 상기 열방향 홀수채널 신호의 상기 기설정된 위치가중치이고, wkk는 상기 열방향 짝수채널 신호의 상기 기설정된 위치가중치를 나타내고,상기 Y 좌표는, 으로부터 구해지고,여기에서, Ya는 상기 횡방향 홀수채널 좌표 값이고, Yb는 상기 횡방향 짝수채널 좌표 값이며, 으로부터 상기 Ya가 구해지고, 으로부터 상기 Yb가 구해지며,여기에서, Yi 및 Yk는 상기 횡방향 홀수채널 신호이고, Yii 및 Ykk는 상기 횡방향 짝수채널 신호이며, wk는 상기 횡방향 홀수채널 신호의 상기 기설정된 위치가중치이고, wkk는 상기 횡방향 짝수채널 신호의 상기 기설정된 위치가중치를 나타내는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치
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제1항에 있어서, 상기 다채널 실리콘 광센서는, 단일 픽셀로 이루어진 실리콘 광센서 복수개가 타일 형태로 서로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치
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제1항에 있어서, 상기 다채널 실리콘 광센서는, 복수의 픽셀로 이루어진 실리콘 광센서 복수개가 타일 형태로 서로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치
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