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(a) 옥살산아연을 염산에 용해시켜 옥살산아연 포화 염산 용액을 제조하는 것; 및(b) 상기 옥살산아연 포화 염산 용액을 냉각시켜 염화아연 염산 용액과 옥살산을 수득하는 것을 포함하는, 옥살산 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (a)에서, 상기 염산의 농도는 5 M 내지 12 M인 것인, 옥살산 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (a)에서, 상기 염산의 온도는 60℃ 내지 120℃인 것인, 옥살산 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b)에서, 상기 냉각은 -10℃ 내지 30℃의 온도 범위로 수행되는 것인, 옥살산 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 이후, 상기 염화아연 염산 용액을 단증류하여 염산 용액과 염화아연을 수득하고, 상기 염화아연을 이용한 전해도금을 통하여 아연을 수득하는 것을 추가 포함하는, 옥살산 제조 방법
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이산화탄소로부터 옥살산으로의 전환을 위한, 순환 공정 시스템으로서,이산화탄소를 옥살산아연으로 전기화학적 전환하는 제 1 공정; 및(ㄱ) 상기 제 1 공정으로부터 수득된 상기 옥살산아연을 염산에 용해시켜 옥살산아연 포화 염산 용액을 제조하고, 및 (ㄴ) 상기 옥살산아연 포화 염산 용액을 냉각시켜 염화아연 염산 용액과 옥살산을 수득하는 것을 포함하는, 제 2 공정을 포함하는, 순환 공정 시스템
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 공정은,제 1 금속-함유 전극을 포함하는 제 1 환원 전극부;희생 전극을 포함하는 제 1 산화 전극부; 및비양자성 극성 유기용매(aprotic polar organic solvent) 및 제 1 보조 전해질을 포함하며, 상기 환원 전극부와 상기 산화 전극부에 접촉되어 있는 제 1 전해질부를 포함하는 것인, 순환 공정 시스템
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제 7 항에 있어서,상기 제 1 금속-함유 전극은 Hg, Ag, Sn, Cu, Zn, Sb, Pb, Bi, 및 이들의 합금에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 순환 공정 시스템
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제 7 항에 있어서,상기 비양자성 극성 유기용매는 디메틸 설폭사이드, 디메틸 포름아마이드 및 아세토니트릴에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 순환 공정 시스템
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제 7 항에 있어서,상기 제 1 보조 전해질은 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트 (TBA·PF6), 테트라부틸암모늄 퍼클로레이트 (TBAP), 및 테트라부틸암모늄 테트라플루오로보레이트 (TBA·BF4)에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 순환 공정 시스템
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제 6 항에 있어서,상기 (ㄱ)에서, 상기 염산의 농도는 5 M 내지 12 M인 것인, 순환 공정 시스템
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제 6 항에 있어서,상기 (ㄱ)에서, 상기 염산의 온도는 60℃ 내지 120℃인 것인, 순환 공정 시스템
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제 6 항에 있어서,상기 (ㄴ)에서, 상기 냉각은 -10℃ 내지 30℃의 온도 범위로 수행되는 것인, 순환 공정 시스템
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제 6 항에 있어서,상기 (ㄴ) 이후, 상기 염화아연 염산 용액을 단증류하여 염산 용액과 염화아연을 수득하고, 상기 염화아연을 이용한 전해도금을 통하여 아연을 수득하는 것을 추가 포함하는, 순환 공정 시스템으로서,상기 아연은 상기 제 1 공정의 희생 전극으로서 사용되는 것인, 순환 공정 시스템
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