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하기 화학식 1로서 표시되는 유기 실리콘 전구체 및 유기 반도체를 가교하여 형성되는, 유기 실리콘-유기 반도체 복합체로서,상기 유기 실리콘 전구체는 서로 중합하여 유기 실리콘 네트워크를 형성하는 것인, 유기 실리콘-유기 반도체 복합체:[화학식 1];상기 화학식 1에서, A는 아자이드기, 설포닐아자이드기, 벤조페논기, 다이아지린기, 또는 다이조페닐에스터기이고,R은, 치환 또는 비치환된, 선형 또는 분지형의 C1-10의 알킬렌기, C3-10의 시클로알킬렌기, 선형 또는 분지형의 C1-10의 헤테로알킬렌기, 또는 C3-10의 헤테로시클로알킬렌기이고,X1, X2, 및 X3은, 각각 독립적으로, 수소; 하이드록시기; 할로겐기; 시아노기; 포르밀기; 카르복실기; 카르바모일기; 아미노기; 치환 또는 비치환된, C1-30의 알킬기, C3-30의 시클로알킬기, C2-30의 알케닐기, C3-30의 시클로알케닐기, C2-30의 알키닐기, C1-30의 알콕시기, C1-30의 알킬티오기, C3-30의 아릴에테르기, C3-30의 아릴티오에테르기, C3-30의 아릴기, C3-30의 헤테로아릴기, C1-30의 알킬카르보닐기, C3-30의 아릴카르보닐기, C1-30의 알콕시카르보닐기, C3-30의 아릴옥시카르보닐기, C1-30의 알킬카르보닐옥시기, 또는 C1-30의 아릴카르보닐옥시기이며,X1, X2, 및 X3 중 적어도 하나 이상은 하이드록시기, C1-30의 알콕시기 또는 할로겐기이며,상기 헤테로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 및 헤테로아릴기에 포함되는 헤테로 원자는 N, O, S, 및 P에서 선택되는 것이며,n은 0 내지 2임
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제 1 항에 있어서,상기 R은 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 시클로프로필렌기, 시클로부틸렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 시클로헵틸렌기, 또는 시클로옥틸렌기인 것인, 유기 실리콘-유기 반도체 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 X1, X2, 및 X3은, 각각 독립적으로, 하이드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, iso-프로필옥시기, iso-부틸옥시기, sec-부틸옥시기, tert-부틸옥시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 페닐옥시기, 염소, 브로민, 또는 아이오딘인 것인, 유기 실리콘-유기 반도체 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 유기 실리콘 전구체는 인 것인, 유기 실리콘-유기 반도체 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체는 이동도가 10-5 cm2/Vs 이상인 것인, 유기 실리콘 복합체
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제 1 항에 있어서, 상기 유기 반도체는 이동도가 10-5 cm2/Vs 내지 102 cm2/Vs인 것인, 유기 실리콘 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체는 TFB(poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4′-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)]), MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]), F8T2 (poly[[2,2′-bithiophene]-5,5′-diyl(9,9-dioctyl-9H-fluorene-2,7-diyl)]), poly-TPD(poly[bis(4-butypheny)-bis(phenyl)benzidine]), P3HT(poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)), DPP-DTT (poly[2,5-(2-octyldodecyl)-3,6-diketopyrrolopyrrole-alt-5,5-(2,5-di(thien-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene)]), TIPS-pentacene (6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene), PTCDI-C8 (N,N′-Dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide), Hex-Ir(phq)3 (tris[2-(4-n-hexylphenyl)quinoline)]iridium(Ⅲ)), 또는 C8-BTBT(2,7-dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene)인 것인, 유기 실리콘 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 유기 실리콘 전구체 및 상기 유기 반도체의 가교는, 상기 유기 반도체의 C-H 결합에 상기 A가 삽입되는 반응에 의해 수행되는 것인, 유기 실리콘-유기 반도체 복합체
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하기 화학식 1로서 표시되는 유기 실리콘 전구체 및 유기 반도체를 가교하여 형성되는, 유기 실리콘-유기 반도체 복합체를 포함하는, 유기 반도체 막에 관한 것으로서,상기 유기 실리콘 전구체는 서로 중합하여 유기 실리콘 네트워크를 형성하는 것인, 유기 반도체 막:[화학식 1];상기 화학식 1에서, A는 아자이드기, 설포닐아자이드기, 벤조페논기, 다이아지린기, 또는 다이조페닐에스터기이고,R은, 치환 또는 비치환된, 선형 또는 분지형의 C1-10의 알킬렌기, C3-10의 시클로알킬렌기, 선형 또는 분지형의 C1-10의 헤테로알킬렌기, 또는 C3-10의 헤테로시클로알킬렌기이고,X1, X2, 및 X3은, 각각 독립적으로, 수소; 하이드록시기; 할로겐기; 시아노기; 포르밀기; 카르복실기; 카르바모일기; 아미노기; 치환 또는 비치환된, C1-30의 알킬기, C3-30의 시클로알킬기, C2-30의 알케닐기, C3-30의 시클로알케닐기, C2-30의 알키닐기, C1-30의 알콕시기, C1-30의 알킬티오기, C3-30의 아릴에테르기, C3-30의 아릴티오에테르기, C3-30의 아릴기, C3-30의 헤테로아릴기, C1-30의 알킬카르보닐기, C3-30의 아릴카르보닐기, C1-30의 알콕시카르보닐기, C3-30의 아릴옥시카르보닐기, C1-30의 알킬카르보닐옥시기, 또는 C1-30의 아릴카르보닐옥시기이며,X1, X2, 및 X3 중 적어도 하나 이상은 하이드록시기, C1-30의 알콕시기 또는 할로겐기이며,상기 헤테로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 및 헤테로아릴기에 포함되는 헤테로 원자는 N, O, S, 및 P에서 선택되는 것이며,n은 0 내지 2임
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제 9 항에 있어서,상기 유기 반도체 막은 태양전지, 다이오드, 또는 트랜지스터의 전하수송층으로서 사용되는 것인, 유기 반도체 막
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