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베이스 부재; 상기 베이스 부재 상에 배치된 인듐 부재; 및상기 인듐 부재 상에 배치된 복수개의 갈륨-산화막 부재들;을 포함하는, 적층식 액체금속 박막 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 베이스 부재는 플랙서블(flexible)한 재질인, 적층식 액체금속 박막 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 인듐 부재는 인듐(In)을 구성성분으로 하고, 소정의 두께를 갖는 층인, 적층식 액체금속 박막 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 인듐 부재는, 상기 베이스 부재 상에, 열 증착 공정으로 형성되는, 적층식 액체금속 박막 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 갈륨-산화막 부재는 갈륨(Ga)을 구성성분으로 하는 층(이를 '갈륨 층'이라 한다)과, 상기 갈륨 층 위에 배치된 산화막을 포함하는, 적층식 액체금속 박막 구조체
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제 5 항에 있어서,상기 갈륨 층은 열 증착 공정으로 형성되는, 적층식 액체금속 박막 구조체
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제 5 항에 있어서,상기 산화막은 상기 갈륨 층이 공기에 노출되어 형성되고, 상기 갈륨 층을 덮는, 적층식 액체금속 박막 구조체
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제 5 항에 있어서,상기 갈륨-산화막 부재는, 열 증착 공정으로 갈륨 층이 형성되고 상기 갈륨 층이 공기에 노출되어 상기 갈륨 층 상에 산화막이 형성되는 갈륨-산화막 부재 형성과정에 의해, 형성되는, 적층식 액체금속 박막 구조체
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제 8 항에 있어서,복수개로 적층된 상기 갈륨-산화막 부재들은 상기 갈륨-산화막 부재 형성과정이 반복됨으로써 형성되는, 적층식 액체금속 박막 구조체
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베이스 부재 상에 인듐 부재가 형성되는, 인듐 부재 형성 단계; 상기 인듐 부재 상에 갈륨 층이 형성되는, 제1 갈륨 층 형성 단계; 상기 제1 갈륨 층 형성 단계에서 형성된 상기 갈륨 층 상에 산화막이 형성되는, 제1 산화막 형성 단계;상기 제1 산화막 형성 단계에서 형성된 상기 산화막 상에 갈륨 층이 형성되는, 제2 갈륨 층 형성 단계; 및상기 제2 갈륨 층 형성 단계에서 형성된 상기 갈륨 층 상에 산화막이 형성되는, 제2 산화막 형성 단계;를 포함하는, 적층식 액체금속 박막 구조체를 제조하는 방법
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제 10 항에 있어서,상기 인듐 부재 형성 단계에서, 상기 베이스 부재는 플랙서블(flexible)한 재질이고,상기 인듐 부재는 인듐(In)을 구성성분으로 하고, 소정의 두께를 갖는 층이고,상기 인듐 부재는, 상기 베이스 부재 상에, 열 증착 공정으로 형성되는, 적층식 액체금속 박막 구조체를 제조하는 방법
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제 10 항에 있어서,상기 제1 갈륨 층 형성 단계 및 제2 갈륨 층 형성 단계에서,상기 갈륨 층은 갈륨(Ga)을 구성성분으로 하는 층이고,상기 갈륨 층은 열 증착 공정으로 형성되는, 적층식 액체금속 박막 구조체를 제조하는 방법
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제 10 항에 있어서,상기 제1 산화막 형성 단계 및 제2 산화막 형성 단계에서,상기 산화막은 상기 갈륨 층이 공기에 노출되어 형성되고, 상기 갈륨 층을 덮는, 적층식 액체금속 박막 구조체를 제조하는 방법
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제 10 항에 있어서,상기 제2 산화막 형성 단계 이후에, 상기 제2 갈륨 층 형성 단계와 제2 산화막 형성 단계를 반복하여, 갈륨 층과 산화막이 복수개로 적층된 구조를 생성하는, 적층식 액체금속 박막 구조체를 제조하는 방법
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