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복수의 단위 스트립을 갖는 미스트 회수 구조체로서, 상기 복수의 단위 스트립은, 초소수성층이 배치된 전면과, 상기 초소수성층의 표면 젖음성보다 높은 표면 젖음성을 갖는 후면과, 상기 전면과 상기 후면이 서로 연결되는 측면을 포함하고, 상기 전면 및 후면의 폭은 상기 측면의 폭보다 크며, 상기 전면에 포집된 미스트의 액적은, 공기의 유동에 의해 상기 측면을 따라 상기 후면으로 이동되고, 상기 미스트 회수 구조체는, 상기 복수의 스트립을 동일 평면상에 메쉬 구조로 배열하여 상기 복수의 단위 스트립 사이마다 공극을 형성하고, 상기 미스트 회수 구조체의 전면에는 상기 복수의 단위 스트립의 전면만이 배치되고, 상기 미스트 회수 구조체의 후면에는 상기 복수의 단위 스트립의 후면만이 배치되어, 상기 공극을 제외한 상기 미스트 회수 구조체의 모든 전면은 동일한 초소수성을 갖고, 상기 공극을 제외한 상기 미스트 회수 구조체의 모든 후면은 상기 초소수성의 표면 젖음성보다 높은 동일한 표면 젖음성을 갖는 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 복수의 단위 스트립의 종방향 단면은, 사각형 또는 육각형 중 어느 하나로서, 상기 전면과 상기 후면의 표면 젖음성 차이가 발생하는 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 공극의 크기는 5mm Х 5mm 이상인 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 미스트 회수 구조체 중 상기 복수의 단위 스트립의 전면의 총 면적은, 상기 미스트 회수 구조체 총 면적의 10% 내지 20%인 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 초소수성층은, 상기 전면 위에 배치되는 복수의 나노 구조체, 및 상기 복수의 나노 구조체 위에 배치되는 코팅층을 포함하고, 상기 코팅층은 소수성 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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제 5 항에 있어서, 상기 복수의 나노 구조체의 높이는 50nm 내지 150nm이고, 상기 복수의 나노 구조체의 폭은 5nm 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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제 5 항에 있어서, 상기 코팅층은 5nm 내지 100nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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제 5 항에 있어서, 상기 복수의 나노 구조체는, 플라즈마 식각, 반응성 이온 식각, 이온 밀링, 또는 방전가공 중에서 선택된 방법으로 상기 단위 스트립의 전면에 배치되는 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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제 5 항에 있어서, 상기 코팅층은, 플라즈마 화학기상증착, 상압 화학기상증착, 저압 화학기상증착, 유기금속 화학기상증착, 초고진공 화학기상증착, 또는 원자층 증착 중에서 선택된 방법으로, 상기 복수의 나노 구조체 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 미스트 회수 구조체
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