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페로브스카이트 장치 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2023007434
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 페로브스카이트 장치 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 페로브스카이트 장치는 페로브스카이트 패턴을 포함하고, 상기 페로브스카이트 패턴은, 기판 위에 희생 패턴을 형성하는 단계, 상기 기판 위에 페로브스카이트층을 형성하는 단계, 및 상기 희생 패턴을 팽창시켜 상기 페로브스카이트층을 패터닝하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법에 의해 형성된다.
Int. CL H10K 30/00 (2023.01.01) H10K 99/00 (2023.01.01)
CPC H10K 30/10(2013.01) H10K 30/30(2013.01) H10K 71/12(2013.01)
출원번호/일자 1020220026287 (2022.02.28)
출원인 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0128850 (2023.09.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.02.28)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김대형 서울특별시 관악구
2 이웅찬 서울특별시 관악구
3 박진홍 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강문호 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ** (반포동) 우주빌딩 *층(다민특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2022-0225755-60
2 보정요구서
Request for Amendment
2022.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2022-0037857-02
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2022.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2022-0293457-97
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.04.04 수리 (Accepted) 4-1-2022-5079741-71
5 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2022-5189083-38
6 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.10.07 수리 (Accepted) 4-1-2022-5235636-01
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번호 청구항
1 1
페로브스카이트 패턴을 포함하고,상기 페로브스카이트 패턴은,기판 위에 희생 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 위에 페로브스카이트층을 형성하는 단계; 및상기 희생 패턴을 팽창시켜 상기 페로브스카이트층을 패터닝하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트층을 패터닝하는 단계는 상기 희생 패턴에 역용매를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치
3 3
제 2 항에 있어서,상기 희생 패턴은 상기 기판 위에 배치되는 제1 희생 패턴 및 상기 제1 희생 패턴 위에 배치되는 제2 희생 패턴을 포함하고,상기 역용매에 의해 상기 제1 희생 패턴이 용해되고, 상기 제2 희생 패턴이 팽창하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치
4 4
제 3 항에 있어서,상기 제1 희생 패턴은 폴리(메틸 메타크릴레이트)를 포함하고, 상기 제2 희생패턴은 폴리이미드를 포함하며,상기 역용매는 클로로포름을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치
5 5
제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 패턴 아래에 배치되는 제1 전하 수송층,상기 제1 전하 수송층 아래에 배치되는 제1 전극,상기 페로브스카이트 패턴 위에 배치되는 제2 전하 수송층, 및상기 제2 전하 수송층 위에 배치되는 상부 전극을 더 포함하고,상기 패턴 형성 방법은 상기 페로브스카이트층을 형성하기 전에 상기 기판 위에 예비 전하 수송층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 희생 패턴의 팽창에 의해 상기 예비 전하 수송층이 패터닝되어 상기 제1 전하 수송층이 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치
6 6
제 5 항에 있어서,상기 예비 전하 수송층과 상기 페로브스카이트층은 동시에 패터닝되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치
7 7
제 5 항에 있어서,상기 제2 전하 수송층과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치
8 8
제 5 항에 있어서,상기 제1 전극 아래에 배치되는 제1 나방-눈 구조체, 및상기 제2 전극 위에 배치되는 제2 나방-눈 구조체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치
9 9
기판 위에 희생 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 위에 페로브스카이트층을 형성하는 단계; 및상기 희생 패턴을 팽창시켜 상기 페로브스카이트층을 패터닝하는 단계를 포함하는 페로브스카이트 장치의 형성 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 페로브스카이트층을 패터닝하는 단계는 상기 희생 패턴에 역용매를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치의 형성 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 희생 패턴을 형성하는 단계는,상기 기판 위에 제1 희생층을 형성하는 단계,상기 제1 희생층 위에 제2 희생층을 형성하는 단계, 및상기 제1 희생층 및 상기 제2 희생층을 패터닝하여 제1 희생 패턴 및 상기 제1 희생 패턴 위에 배치되는 제2 희생 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,상기 역용매에 의해 상기 제1 희생 패턴이 용해되고, 상기 제2 희생 패턴이 팽창하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치의 형성 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 제1 희생층은 폴리(메틸 메타크릴레이트)로 형성되고, 상기 제2 희생층은 폴리이미드로 형성되며,상기 역용매는 클로로포름을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치의 형성 방법
13 13
제 10 항에 있어서,상기 페로브스카이트층을 형성하기 전에 상기 기판 위에 예비 전하 수송층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 희생 패턴의 팽창에 의해 상기 예비 전하 수송층이 패터닝되어 전하 수송층이 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치의 형성 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 예비 전하 수송층과 상기 페로브스카이트층은 동시에 패터닝되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 장치의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서울대학교 산학협력단 기초과학연구원연구운영비지원(R&D) 나노입자의 합성과 의료, 에너지 분야 응용