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이차원 반도체 물질을 포함하는 제1 이차원 물질층;상기 제1 이차원 물질층과 연결되게 마련되는 것으로, 상기 제1 이차원 물질층보다 두꺼운 두께를 가지며, 도핑된 이차원 반도체 물질을 포함하는 복수의 제2 이차원 물질층; 및상기 복수의 제2 이차원 물질층에 마련되는 복수의 전극;을 포함하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 이차원 물질층 및 상기 제2 이차원 물질층 각각은 TMD(Transition Metal Dichalcogenide)를 포함하는 반도체 소자
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제 2 항에 있어서,상기 TMD(Transition Metal Dichalcogenide)는 Mo, W, Nb, V, Ta, Ti, Zr, Hf, Tc, Re, Cu, Ga, In, Sn, Ge 및 Pb 으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 금속 원소와 S, Se 및 Te으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 칼코겐 원소를 포함하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 이차원 물질층은 1층 내지 3층의 층수를 포함하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제2 이차원 물질층은 4층 이상의 층수를 포함하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제2 이차원 물질층은 4층 이상 10층 이하의 층수를 포함하는 반도체 소자
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7
제 1 항에 있어서,상기 제2 이차원 물질층에 포함되는 도펀트는 전이금속을 포함하는 반도체 소자
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8
기판에 이차원 반도체 물질을 포함하는 제1 이차원 물질층을 마련하는 단계;상기 제1 이차원 물질층의 일부에 상기 제1 이차원 물질층보다 두꺼운 두께를 가지며, 도핑된 이차원 반도체 물질을 포함하는 복수의 제2 이차원 물질층을 형성하는 단계; 및상기 복수의 제2 이차원 물질층에 복수의 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 복수의 제2 이차원 물질층을 형성하는 단계는,상기 제1 이차원 물질층의 일부를 제거하여 상기 기판을 노출시키는 단계; 및상기 노출된 기판에 복수의 제2 이차원 물질층을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제1 이차원 물질층의 일부를 제거하는 단계는,상기 제1 이차원 물질층에 패터닝된 마스크를 마련하는 단계; 및상기 마스크를 통해 노출된 상기 제1 이차원 물질층의 일부를 식각하여 제거하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제1 이차원 물질층을 어닐링(annealing)하는 단계;를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 어닐링(annealing)을 수행하는 온도는 300℃ 이상 900℃ 이하인 반도체 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제1 이차원 물질층 및 상기 제2 이차원 물질층 각각은 TMD(Transition Metal Dichalcogenide)를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제1 이차원 물질층은 1층 내지 3층의 층수를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제2 이차원 물질층은 4층 이상의 층수를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1 도전성 반도체 물질을 포함하는 제1 이차원 물질층; 및상기 제1 이차원 물질층과 연결되게 마련되는 것으로, 상기 제1 이차원 물질층보다 두꺼운 두께를 가지며, 제2 도전성 반도체 물질을 포함하는 복수의 제2 이차원 물질층;을 포함하는 반도체 소자
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제 16 항에 있어서,상기 제1 도전성 반도체 물질은 n형 도펀트를 포함하고, 상기 제2 도전성 반도체 물질은 p형 도펀트를 포함하는 반도체 소자
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제 16 항에 있어서,상기 제1 도전성 반도체 물질은 p형 도펀트를 포함하고, 상기 제2 도전성 반도체 물질은 n형 도펀트를 포함하는 반도체 소자
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제 16 항에 있어서,상기 제1 도전성 반도체 물질을 포함하는 제1 이차원 물질층은 1층의 층수를 포함하는 반도체 소자
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제 16 항에 있어서,상기 제2 도전성 반도체 물질을 포함하는 제2 이차원 물질층은 3층 이상의 층수를 포함하는 반도체 소자
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제 16 항에 있어서,상기 제2 도전성 반도체 물질을 포함하는 제2 이차원 물질층은 3층 이상 내지 10층 이하의 층수를 포함하는 반도체 소자
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제 16 항에 있어서,상기 제1 이차원 물질층 및 상기 제2 이차원 물질층 각각은 TMD(Transition Metal Dichalcogenide)를 포함하는 반도체 소자
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기판에 제1 도전성 반도체 물질을 포함하는 제1 이차원 물질층을 마련하는 단계; 및상기 제1 이차원 물질층과 연결되게 마련되는 것으로, 상기 제1 이차원 물질층보다 두께운 두께를 가지며, 제2 도전성 반도체 물질을 포함하는 복수의 제2 이차원 물질층을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,상기 복수의 제2 이차원 물질층을 형성하는 단계는,상기 제1 이차원 물질층의 일부를 제거하여 상기 기판을 노출시키는 단계; 및상기 노출된 기판에 복수의 제2 이차원 물질층을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,상기 제1 이차원 물질층의 일부를 제거하는 단계는,상기 제1 이차원 물질층에 패터닝된 마스크를 마련하는 단계; 및상기 마스크를 통해 노출된 상기 제1 이차원 물질층의 일부를 식각하여 제거하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,상기 제1 이차원 물질층을 어닐링(annealing)하는 단계;를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,상기 제1 도전성 반도체 물질을 포함하는 제1 이차원 물질층은 1층의 층수를 포함하여 형성되는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,상기 제2 도전성 반도체 물질을 포함하는 제2 이차원 물질층은 3층 이상의 층수를 포함하여 형성되는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,상기 제1 이차원 물질층 및 상기 제2 이차원 물질층 각각은 TMD(Transition Metal Dichalcogenide)를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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