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인접하여 나란하게 정렬된 복수 개의 기지 분자 (matrix molecule); 및 상기 복수 개의 기지 분자 사이에 팩킹된 강화 분자 (reinforcement molecule);를 포함하는 이종 혼합 단분자 박막으로서,상기 기지 분자는 하기 [화학식 1]로 표시되고, 상기 강화 분자는 하기 [화학식 2]로 표시되는 것을 특징으로 하는 이종 혼합 단분자 박막:[화학식 1]HS - (CnH2n+1) - Head Group[화학식 2]HS - (CmH2m+1)상기 [화학식 1]과 [화학식 2]에서,Head Group은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기 중에서 선택되는 어느 하나이며,n 및 m은 각각 1 내지 50의 정수이고, 단, n 003e# m이다
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제1항에 있어서,상기 [화학식 1]로 표시되는 기지 분자는 HS - (C11H23) - Head Group이고, 상기 [화학식 2]로 표시되는 강화 분자는 HS - (C8H17)인 것을 특징으로 하는 이종 혼합 단분자박막
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제1항에 있어서,상기 Head Group은 치환 또는 비치환된 바이피리딘일기인 것을 특징으로 하는 이종 혼합 단분자박막
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하기 과정을 포함하는 이종 혼합 단분자박막의 제조방법:(ⅰ) 하기 [화학식 1]로 표시되는 기지 분자를 이용하여 기판 상에서 기지분자로 구성된 자가조립 단분자막 (self-assembled monolayer, SAM)을 형성하는 과정;[화학식 1]HS - (CnH2n+1) - Head Group(ⅱ) 상기 (ⅰ) 과정을 통해 만들어진 SAM을 하기 [화학식 2]로 표시되는 강화 분자 용액에 담궈서 표면 내에서 치환 반응을 유도하여 중간 단계의 이종 혼합 단분자막 (intermediate mixed SAM)을 형성하는 과정;[화학식 2]HS - (CmH2m+1)(ⅲ) 상기 (ⅱ) 단계를 통해 형성된 중간 단계의 이종 혼합 단분자막을 다시 기지 분자 용액에 담구어 패킹이 증진된 틈새형 이종 혼합 단분자막 (interstitial mixed SAM)을 형성하는 과정; 및(ⅳ) 상기 (ⅱ) ~ (ⅲ) 단계의 과정을 n차 반복하여 분자반복치환 (repeated surface exchange of molecules, n ReSEM cycles)을 유도하여 초분자 결함이 최소화된 틈새형 이종 혼합 단분자박막을 형성하는 과정 (상기 n은 2 이상의 정수임);상기 [화학식 1]과 [화학식 2]에서,Head Group은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기 중에서 선택되는 어느 하나이며,n 및 m은 각각 1 내지 50의 정수이고, 단, n 003e# m이다
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제4항에 있어서,상기 기판은 평탄한 템플레이트-스트립된 금속 칩인 것을 특징으로 하는 이종 혼합 단분자박막의 제조방법
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제4항에 따른 제조방법으로 제조된 이종 혼합 단분자박막을 포함하는 분자 전자 소자로서,상부 전극, 상기 상부 전극에 대향하는 하부 전극 및 상기 하부 전극 상에 형성되는 분자층을 포함하고,상기 분자층은 제4항에 따른 제조방법으로 제조된 이종 혼합 단분자박막인 것을 특징으로 하고,상기 상부 전극은 액체 금속 공융 갈륨인듐 (Eutectic Gallium-Indium, EGaIn) 합금 기반의 전극인 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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제6항에 있어서,상기 분자 전자 소자는 항복전압 (breakdown voltage, VBD)의 크기가 |2
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