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하기 화학식 3으로 표시되는 테트라페닐에틸렌계 화합물로 이루어진 방열 나노복합체용 유기 화합물
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제1항에 있어서,상기 유기 화합물은 하기 화학식 4a 또는 5a인 것인 방열 나노복합체용 유기 화합물
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제2항에 있어서,상기 화학식 4a 또는 5a는 5 내지 80 MPa의 압력에서 수직방향으로 응집되는 H형 화합물인 것인 방열 나노복합체용 유기 화합물
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제1항에 있어서,상기 유기 화합물은 하기 화학식 4b 또는 5b인 것인 방열 나노복합체용 유기 화합물
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제2항에 있어서,상기 화학식 4b 또는 5b는 5 내지 80 MPa의 압력에서 수평방향으로 응집되는 J형 화합물인 것인 방열 나노복합체용 유기 화합물
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6
제1항 내지 제5항 중에서 선택된 어느 한 항의 유기 화합물; 충진제; 에폭시 수지; 및 경화제;를 포함하는 방열 나노복합체 조성물
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7
제6항에 있어서,상기 충진제는 육방질화붕소(hexagonal boron nitride, h-BN), 그래핀, 탄소나노튜브 및 셀룰로오스 나노섬유로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 방열 나노복합체 조성물
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8
제6항에 있어서,상기 에폭시 수지는 비스페놀 A형 글리시딜에테르 수지, 비스페놀 A-에피플로로히드린 수지, 에폭시 노블락 수지, 지방족 에폭시 수지 및 글리시딜에스테르 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 방열 나노복합체 조성물
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제6항에 있어서,상기 경화제는 1,6-디아미노헥산, 2,6-디메틸아닐린, 헥사메틸렌디아민, 이소포론디아민, 디아미노디페닐술폰, 1,3-벤젠디메탄아닌 및 디시안디아미드로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 방열 나노복합체 조성물
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10
제6항에 있어서,상기 방열 나노복합체 조성물은 유기 화합물 5 내지 15 중량%, 충진제 8 내지 35 중량%, 에폭시 수지 40 내지 79 중량% 및 경화제 8 내지 10 중량%를 포함하는 것인 방열 나노복합체 조성물
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11
제10 항의 방열 나노복합체 조성물을 열 압력 하에 경화하여 얻어진 방열 나노복합체
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12
제11항에 있어서,상기 방열 나노복합체는 상기 유기 화합물이 화학식 4a 또는 5a일 때 5 내지 80 MPa의 압력에서 수직(axial) 방향으로 응집되어 0
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13
제11항에 있어서,상기 유기 화합물이 화학식 4b 또는 5b일 때 5 내지 80 MPa의 압력에서 수평(radial) 방향으로 응집되어 0
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14
제11항에 있어서,상기 방열 나노복합체는 상기 유기 화합물이 화학식 4a 또는 5a일 때 분자간 거리가 4
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15
제11항의 방열 나노복합체를 포함하는 전자 부품
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유기용매에 하기 화학식 1로 표시되는 할로겐계 화합물 및 제1 촉매를 포함하는 혼합물을 반응시켜 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 제조하는 단계; 및상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 전구체 화합물 및 제2 촉매와 반응시켜 하기 화학식 3으로 표시되는 테트라페닐에틸렌계 화합물로 이루어진 방열 나노복합체용 유기 화합물을 제조하는 단계;를 포함하는 방열 나노복합체용 유기 화합물의 제조방법
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17
제16항에 있어서,상기 유기용매는 디클로로메탄, 테트라히드로푸란, 헥사메틸포스포르아미드, 헥산, 톨루엔, 에탄올 및 1,4-다이옥센으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 방열 나노복합체용 유기 화합물의 제조방법
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18
제16항에 있어서,상기 제1 촉매는 아연, 칼륨, 구리, 수산화리튬, 사염화 타이타늄, 타이타늄(III) 클로라이드, 티타늄(II) 염화물 및 사염화주석으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 방열 나노복합체용 유기 화합물의 제조방법
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19
제16항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 제조하는 단계는 맥머리 반응에 의해 60 내지 120 ℃에서 20 내지 28 시간 동안 수행하는 것인 방열 나노복합체용 유기 화합물의 제조방법
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20
제16항에 있어서,상기 전구체 화합물은 4-(티오펜-3-일)페닐, 4-(디페닐아미노)페닐, 디히드록시-6-인데닐, 4-(1-나프틸)페닐, (4-시클로펜틸페닐), 4-시아노페닐, (4-(N'-히드록시카르바미도일)페닐), [4-(3,5-디메틸페닐)페닐], 4-디메틸아미노벤젠 및 4-(시클로펜틸옥시)페닐로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 페닐계 화합물을 함유한 전구체인 것인 방열 나노복합체용 유기 화합물의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 제2 촉매는 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 초산팔라듐 및 염화팔라듐으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 방열 나노복합체용 유기 화합물의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 방열 나노복합체용 유기 화합물을 제조하는 단계는 스즈키-미야우라 커플링 반응에 의해 80 내지 130 ℃에서 60 내지 80 시간 동안 반응시키는 것인 방열 나노복합체용 유기 화합물의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 유기용매는 테트라히드로푸란이고,상기 제1 촉매는 사염화 타이타늄이고,상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 제조하는 단계는 맥머리 반응에 의해 65 내지 100 ℃에서 22 내지 26 시간 동안 수행하고,상기 전구체 화합물은 4-시아노페닐보론산 또는 4-(디페닐아미노)페닐보론산이고,상기 제2 촉매는 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐이고,상기 방열 나노복합체용 유기 화합물을 제조하는 단계는 스즈키-미야우라 커플링 반응에 의해 85 내지 110 ℃에서 65 내지 76 시간 동안 반응시키는 것이고,상기 유기 화합물은 하기 화학식 4b 또는 5b인 것인 방열 나노복합체용 유기 화합물의 제조방법
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제16항 내지 제23항 중에서 선택된 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 유기 화합물, 충진제, 에폭시 수지 및 경화제를 포함하는 방열 나노복합체 조성물을 제조하는 단계; 및상기 방열 나노복합체 조성물을 열 압력 하에 경화하여 방열 나노복합체를 제조하는 단계; 를 포함하는 방열 나노복합체의 제조방법
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제24항에 있어서,상기 방열 나노복합체 조성물은 유기 화합물 5 내지 15 중량%, 충진제 8 내지 35 중량%, 에폭시 수지 40 내지 79 중량% 및 경화제 8 내지 10 중량%를 포함하는 것인 방열 나노복합체의 제조방법
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제24항에 있어서,상기 방열 나노복합체를 제조하는 단계에서 경화는 5 내지 80 MPa의 압력 및 80 내지 120 ℃의 온도에서 30분 내지 3 시간 동안 수행하는 것인 방열 나노복합체의 제조방법
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