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절연성 기판;상기 절연성 기판 상에 형성되고, 베타 산화갈륨(β-Ga2O3)을 가지는 채널층;상기 채널층 상에 형성되고, Pt를 포함하는 촉매 게이트층; 및상기 촉매 게이트층과 이격되어 형성되고, 상기 채널층의 일부를 커버하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 채널층은 상부 표면이 (1 0 0)면인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 채널층은 상기 촉매 게이트층과 십자형 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 채널층의 일부는 상기 촉매 게이트층의 측면에서 노출되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 채널층은 n형으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 채널층은 산화갈륨 웨이퍼의 박리를 통해 추출되는 플레이크인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제6항에 있어서, 상기 채널층의 두께는 10 nm 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 소스 전극 또는 드레인 전극은 Ti/Au 인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 촉매 전극층에 수소 가스가 접촉되면 발열 반응인 분해 반응이 일어나고, 상기 촉매 전극층과 상기 채널층 사이의 계면에는 양이온이 분포되는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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베타 산화갈륨 웨이퍼의 측면으로부터 산화갈륨 플레이크를 박리하는 단계;상기 산화갈륨 플레이크를 절연성 기판 상에 전사하는 단계;상기 절연성 기판 상의 상기 산화갈륨 플레이크를 식각하여 두께가 조절된 채널층을 형성하는 단계;상기 촉매 게이트층이 형성된 영역 이외의 상기 채널층의 측면을 커버하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하되, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 서로 대향하도록 배치시키는 단계; 및상기 채널층 상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 이격된 Pt 재질의 촉매 게이트층을 형성하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 박리된 산화갈륨 플레이크는 상부면이 (1 0 0)면인 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 채널층은 상기 촉매 게이트층과 십자형 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
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