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네트워크 장비용 비휘발성 복합 메모리 및 비휘발성 복합 메모리 동작 방법

  • 기술번호 : KST2023007840
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 복합 메모리로서, 패킷을 저장하는 비휘발성의 제1 메모리, 그리고 상기 제1 메모리와 상이한 제2 메모리를 포함하는 패킷 버퍼, 그리고 패킷을 저장할 메모리를 제1 메모리 또는 제2 메모리 중 어느 하나의 메모리로 결정하고, 패킷을 분할한 복수의 셀들을 결정한 메모리에 저장할 셀 주소를 매핑하는 패킷 버퍼 제어부를 포함한다. 여기서 제1 메모리는 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)이고, 제2 메모리는 PCM(Phase Change Memory)이다.
Int. CL G06F 12/02 (2018.01.01) H04L 49/90 (2022.01.01) G06F 12/1009 (2016.01.01) G06F 3/06 (2006.01.01)
CPC G06F 12/0292(2013.01) H04L 49/9078(2013.01) G06F 12/1009(2013.01) G06F 3/0614(2013.01) G06F 3/0685(2013.01) G06F 3/067(2013.01) G06F 3/0653(2013.01) G06F 3/0631(2013.01) G06F 9/5016(2013.01)
출원번호/일자 1020220028700 (2022.03.07)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0131614 (2023.09.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이혁준 서울특별시 용산구
2 송용운 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2022-0247491-16
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2022-5144444-29
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2022-5174303-48
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2022-5195690-28
5 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2022-5274937-97
6 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2022-5300080-29
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번호 청구항
1 1
비휘발성 복합 메모리로서,패킷을 저장하는 비휘발성의 제1 메모리, 그리고 상기 제1 메모리와 상이한 제2 메모리를 포함하는 패킷 버퍼, 그리고상기 패킷을 저장할 메모리를 상기 제1 메모리 또는 제2 메모리 중 어느 하나의 메모리로 결정하고, 상기 패킷을 분할한 복수의 셀들을 상기 결정한 메모리에 저장할 셀 주소를 매핑하는 패킷 버퍼 제어부를 포함하며,상기 제1 메모리는 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)이고, 상기 제2 메모리는 PCM(Phase Change Memory)인, 비휘발성 복합 메모리
2 2
제1항에 있어서,상기 패킷 버퍼 제어부는,상기 패킷을 저장할 메모리를 상기 제1 메모리 또는 제2 메모리 중 어느 하나의 메모리로 결정하는 패킷 맵퍼, 그리고 상기 패킷 맵퍼에서 결정한 메모리에 상기 복수의 셀들을 저장할 셀 주소를 매핑하는 주소 변환기를 포함하는, 비휘발성 복합 메모리
3 3
제2항에 있어서,상기 패킷 맵퍼는,상기 패킷의 크기 그리고 상기 제1 메모리의 메모리 사용량을 기초로, 상기 제1 메모리 또는 제2 메모리 중 상기 패킷을 저장할 메모리를 결정하는, 비휘발성 복합 메모리
4 4
제3항에 있어서,상기 주소 변환기는,상기 패킷을 분할하여 생성한 상기 복수의 셀들을 상기 패킷 버퍼의 메모리의 행에 우선 매핑하는, 비휘발성 복합 메모리
5 5
제4항에 있어서,상기 패킷 버퍼는,복수의 MRAM들과 복수의 PCM들이 독립 형태의 칩으로 구현되는, 비휘발성 복합 메모리
6 6
제4항에 있어서,상기 패킷 버퍼는,복수의 PCM들이 독립 형태의 칩으로 구현되고, 하나의 MRAM이 상기 패킷 버퍼 제어부와 상기 제1 메모리 또는 제2 메모리 간의 신호들을 버퍼링하는 버퍼 디바이스에 내장되어 있는, 비휘발성 복합 메모리
7 7
제1 메모리와 제2 메모리로 구성된 비휘발성 복합 메모리의 동작 방법으로서,패킷을 수신하고, 상기 패킷의 크기를 확인하는 단계,상기 패킷의 크기와 상기 제1 메모리의 메모리 점유율을 기초로, 상기 패킷을 저장할 메모리를 상기 제1 메모리 또는 제2 메모리 중 어느 하나의 메모리로 결정하는 단계, 그리고결정한 메모리에 상기 패킷을 저장할 주소를 매핑하는 단계를 포함하고,상기 제1 메모리는 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)이고, 상기 제2 메모리는 PCM(Phase Change Memory)인, 동작 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 메모리로 결정하는 단계는,상기 제1 메모리의 점유율을 기초로 상기 제1 메모리가 임의의 패킷에 의해 모두 점유되어 있는지 확인하는 단계, 그리고상기 제1 메모리가 상기 임의의 패킷에 의해 모두 점유되어 있으면, 상기 제2 메모리를 상기 패킷을 저장할 메모리로 결정하는 단계를 포함하는, 동작 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 패킷을 저장할 메모리로 결정하는 단계는,상기 제1 메모리가 상기 임의의 패킷에 의해 모두 점유되어 있지 않고, 상기 제1 메모리의 점유율이 미리 설정한 제1 임계값 이하이면, 상기 제1 메모리를 상기 패킷을 저장할 메모리로 결정하는 단계를 포함하는, 동작 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 패킷을 저장할 메모리로 결정하는 단계는,상기 제1 메모리의 점유율이 상기 제1 임계값 이상이면, 상기 패킷의 크기가 미리 설정한 제2 임계값보다 큰지 확인하는 단계를 포함하는, 동작 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 제2 임계값보다 큰지 확인하는 단계는,상기 패킷의 크기가 상기 제2 임계값 보다 크면, 상기 제1 메모리를 상기 패킷을 저장할 메모리로 결정하고,상기 패킷의 크기가 상기 제2 임계값 보다 작으면, 상기 제2 메모리를 상기 패킷을 저장할 메모리로 결정하는, 동작 방법
12 12
제7항에 있어서,상기 주소를 매핑하는 단계는,상기 패킷을 분할하여 복수의 셀들을 생성하는 단계, 그리고상기 복수의 셀들을 메모리의 행에 우선 매핑하는 단계를 포함하는, 동작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.