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기판;기판 상에 형성되고, 질소 도핑된 그래핀 양자점을 도입한 TiO2 필름; 및질소 도핑된 그래핀 양자점을 도입한 TiO2 필름 상에 증착된 CdSe 양자점을 포함하는 포토애노드
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제1항에 있어서,TiO2 필름은 메조다공성 필름인 포토애노드
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제1항에 있어서,질소 도핑된 그래핀 양자점을 도입한 TiO2 필름은 Ti 17 내지 23 원자%, O 44 내지 50 원자%, N 1 내지 5 원자%, C 26 내지 32 원자%를 포함하는 포토애노드
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제1항에 있어서,질소 도핑된 그래핀 양자점을 도입한 TiO2 필름에서 N/C 원자 비율은 8 내지 14%인 포토애노드
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제1항에 있어서,포토애노드의 광학적 밴드갭은 1
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제1항에 따른 포토애노드의 제조방법으로서,그래핀 산화물로부터 질소 도핑된 그래핀 양자점을 합성하는 단계;기판 상에 TiO2 필름을 형성하는 단계;TiO2 필름에 질소 도핑된 그래핀 양자점을 도입하는 단계; 및질소 도핑된 그래핀 양자점을 도입한 TiO2 필름 상에 CdSe 양자점을 증착하는 단계를 포함하는 포토애노드 제조방법
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제6항에 있어서,질소 도핑된 그래핀 양자점은 수열 방법을 이용하여 합성하는 포토애노드 제조방법
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제6항에 있어서,질소 도핑된 그래핀 양자점을 함유하는 용액에 TiO2 필름을 담근 후 어닐링함으로써, TiO2 필름에 질소 도핑된 그래핀 양자점을 도입하는 포토애노드 제조방법
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제6항에 있어서,연속 이온층 흡착 및 반응(SILAR) 기술을 이용하여 CdSe 양자점을 증착하는 포토애노드 제조방법
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제9항에 있어서,연속 이온층 흡착 및 반응(SILAR) 기술의 사이클 수는 6 내지 9 사이클인 포토애노드 제조방법
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제1항에 따른 포토애노드;상대전극; 및포토애노드와 상대전극과 사이에 배치되는 전해질을 포함하는 태양전지
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제11항에 있어서,태양전지는 양자점 감응 태양전지인 태양전지
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제11항에 있어서,상대전극은 Cu2S 상대전극이고, 전해질은 폴리설파이드인 태양전지
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제11항에 있어서,태양전지의 전력 변환 효율(PCE)은 4% 이상, 단락-회로 전류 밀도(Jsc)는 15 mA/㎠ 이상, 개방 회로 전압(Voc)은 0
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제11항에 있어서,태양전지의 전자 확산 계수는 1×10-4 ㎠/s 이상, 전자 수명은 11 ms 이상, 전하 집전 효율은 70% 이상, 전자 확산 거리는 12 ㎛ 이상, TiO2/양자점/전해질 계면에서의 전하 이동 저항(R2)은 80 Ω 이하인 태양전지
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