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하기 [화학식 A] 로 표시되는 유기 주석 화합물을 포함하는, 주석 칼코게나이드 박막형성을 위한 용액공정용 조성물
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제1항에 있어서,상기 R1, R2, R5, R6, R9, R10, R13 및 R14는 각각 동일하거나 상이하고 서로 독립적으로, C1-C2의 선형 알킬기; C1-C2의 선형 할로겐화된 알킬기; C3-C6의 분지형 또는 고리형 알킬기; 및 C3-C6의 분지형 또는 고리형 할로겐화된 알킬기; 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 용액 공정용 조성물
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제1항에 있어서,상기 R1, R2, R5, R6, R9, R10, R13 및 R14는 각각 동일하거나 상이하고 서로 독립적으로, CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 용액 공정용 조성물
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제1항에 있어서,상기 R3, R4, R7, R8, R11, R12, R15 및 R16은 각각 동일하거나 상이하고 서로 독립적으로, C1-C2의 선형 알킬기; C1-C2의 선형 할로겐화된 알킬기; C3-C6의 분지형 또는 고리형 알킬기; 및 C3-C6의 분지형 또는 고리형 할로겐화된 알킬기; 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 용액 공정용 조성물
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5
제1항에 있어서,상기 R3, R4, R7, R8, R11, R12, R15 및 R16은 각각 동일하거나 상이하고 서로 독립적으로, CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 용액 공정용 조성물
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6
제1항에 있어서,상기 n1 내지 n4는 각각 1 또는 2인 것을 특징으로 하는 용액 공정용 조성물
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7
제1항에 있어서,상기 X1 내지 X4는 서로 동일하고,상기 치환기 R1 내지 R4를 포함하는 리간드; 상기 치환기 R5 내지 R8을 포함하는 리간드; 상기 치환기 R9 내지 R12를 포함하는 리간드; 및 상기 치환기 R13 내지 R16을 포함하는 리간드;는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 용액 공정용 조성물
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8
제1항에 있어서,상기 용액 공정용 조성물은 유기 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 용액 공정용 조성물
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9
제8항에 있어서,전체 조성물을 기준으로, 상기 [화학식 A] 로 표시되는 유기 주석 화합물을 0
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10
(a) 제1항 내지 제9항 중에서 선택되는 어느 하나의 용액 공정용 조성물을 기판에 코팅하는 단계; 및(b) 상기 용액 공정용 조성물이 코팅된 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 주석 칼코게나이드 박막의 제조방법
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11
제10항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 열처리 하는 단계는 200 내지 700 ℃의 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 주석 칼코게나이드 박막의 제조방법
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12
제10항에 있어서,상기 (a) 단계 이전에, 상기 기판은 기판의 표면을 친수성 처리한 것을 특징으로 하는 주석 칼코게나이드 박막의 제조방법
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13
제10항에 따른 주석 칼코게나이드 박막의 제조방법에 의해 제조된, 주석 칼코게나이드 박막
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14
제14항의 주석 칼코게나이드 박막을 포함하는 광센서
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제14항의 주석 칼코게나이드 박막을 포함하는 전자 소자(Device)
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