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축합 다환 화합물 및 이를 포함하는 발광 소자

  • 기술번호 : KST2023008049
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명이 일 실시예에 따른 발광 소자는 제1 전극, 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 발광층을 포함하고, 발광층은 화학식 1로 표시되는 제1 화합물을 포함한다. [화학식 1]
Int. CL H10K 99/00 (2023.01.01) C07F 19/00 (2006.01.01) H10K 50/00 (2023.01.01) C07F 5/02 (2006.01.01)
CPC H10K 85/361(2013.01) C07F 19/00(2013.01) H10K 50/11(2013.01) H10K 85/322(2013.01) C07F 5/02(2013.01)
출원번호/일자 1020220031001 (2022.03.11)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 경희대학교 산학협력단, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0134067 (2023.09.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전미은 경기도 화성
2 추창웅 경기도 화성시
3 박수영 서울특별시 관악구
4 박종욱 서울특별시 강남구
5 박동민 서울특별시 관악구
6 유치현 서울특별시 관악구
7 정세영 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2022-0268133-23
2 보정요구서
Request for Amendment		 2022.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2022-0042438-03
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2022.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2022-0332932-22
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.04.04 수리 (Accepted) 4-1-2022-5079741-71
5 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2022.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2022-0812970-83
6 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2022-5189083-38
7 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.10.07 수리 (Accepted) 4-1-2022-5235636-01
8 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2023.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2023-0117818-27
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2023.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2023-0512704-31
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번호 청구항
1 1
제1 전극; 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 하기 화학식 1로 표시되는 제1 화합물을 포함하는 발광 소자: [화학식 1]상기 화학식 1에서, A, B, 및 C는 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 단환의 방향족 탄화수소 고리, 또는 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 단환의 방향족 헤테로 고리이고, X1은 B, P, P=O, P=S, Al, Ga, As, SiR4, 또는 GeR5이고, X2 및 X3는 각각 독립적으로 O, S, Se, 또는 NR6이고, R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기, 또는 하기 화학식 2로 표시되는 치환기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표시되는 치환기이고, R4 내지 R6은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, n1 및 n2는 각각 독립적으로 1 이상 4 이하의 정수이고,n3은 1 이상 3 이하의 정수이고: [화학식 2]상기 화학식 2에서, Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, L은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고, 는 상기 화학식 1과 연결되는 위치이다
2 2
제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 상기 제1 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 발광 소자: [화학식 3]상기 화학식 3에서, R1a 내지 R1d, R2a 내지 R2d, 및 R3a 내지 R3c는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기, 또는 상기 화학식 2로 표시되는 치환기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고, R1a 내지 R1d, R2a 내지 R2d, 및 R3a 내지 R3c 중 적어도 하나는 상기 화학식 2로 표시되는 치환기이고, X1 내지 X3는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다
3 3
제2항에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 상기 제1 화합물은 하기 화학식 4-1 내지 화학식 4-4 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자: [화학식 4-1][화학식 4-2][화학식 4-3][화학식 4-4]상기 화학식 4-1 내지 화학식 4-4에서, X1 내지 X3, L, Ra 내지 Rc, R1a 내지 R1d, R2a 내지 R2d, 및 R3a 내지 R3c는 상기 화학식 1, 상기 화학식 2 및 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다
4 4
제2항에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 상기 제1 화합물은 하기 화학식 5-1 내지 화학식 5-4 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자: [화학식 5-1][화학식 5-2][화학식 5-3][화학식 5-4]상기 화학식 5-1 내지 화학식 5-4에서, R1b-1, R2b-1, R1c-1, R2c-1, 및 R3a-1 내지 R3c-1는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기, 또는 상기 화학식 2로 표시되는 치환기이고, X1 내지 X3, R1a 내지 R1d, R2a 내지 R2d, 및 R3a 내지 R3c는 상기 화학식 1 및 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다
5 5
제2항에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 상기 제1 화합물은 하기 화학식 6-1 내지 화학식 6-4 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자: [화학식 6-1][화학식 6-2][화학식 6-3][화학식 6-4]상기 화학식 6-1 내지 화학식 6-4에서, R3a-1은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, Ra-1 내지 Rc-1, 및 Ra-2 내지 Rc-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고, X1 내지 X3, L, Ra 내지 Rc, R1a 내지 R1d, R2a 내지 R2d, 및 R3a 내지 R3c는 상기 화학식 1, 상기 화학식 2, 및 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다
6 6
제5항에 있어서, 상기 화학식 6-1에서, 상기 R3a-1는 하기 화학식 7-1 내지 화학식 7-4 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자: [화학식 7-1][화학식 7-2][화학식 7-3][화학식 7-4]상기 화학식 7-1 내지 화학식 7-4에서,R21 내지 R26은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, m1, m4, 및 m6은 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이고, m3은 0 이상 9 이하의 정수이고, m2는 0 이상 4 이하의 정수이고, m5는 0 이상 3 이하의 정수이다
7 7
제2항에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 상기 제1 화합물은 하기 화학식 8-1 내지 화학식 8-3 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자: [화학식 8-1][화학식 8-2][화학식 8-3]상기 화학식 8-1 내지 화학식 8-3에서, R1b-1, R2b-1, R1c-1, R2c-1, 및 R3a-1 내지 R3c-1은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 t-부틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 카바졸기, 또는 상기 화학식 2로 표시되는 치환기이고, R1b-1, R2b-1, R1c-1, R2c-1, 및 R3a-1 내지 R3c-1 중 적어도 어느 하나는 상기 화학식 2로 표시되고,X1 내지 X3은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다
8 8
제2항에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 상기 제1 화합물은 하기 화학식 9-1 내지 화학식 9-6 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자: [화학식 9-1][화학식 9-2][화학식 9-3][화학식 9-4][화학식 9-5][화학식 9-6]상기 화학식 9-1 내지 화학식 9-6에서, Z는 NR17, O, 또는 S이고, R11 내지 R17은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, n11 내지 n13은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,n14는 0 이상 3 이하의 정수이고, n15 및 n16은 각각 독립적으로 0 이상 6 이하의 정수이고, X1 내지 X3, Ra 내지 Rc, R1a 내지 R1d R2a 내지 R2d, 및 R3a 내지 R3c는 상기 화학식 1, 상기 화학식 2, 및 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다
9 9
제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 상기 제1 화합물은 하기 화학식 10-1 내지 화학식 10-6 중 어느 하나로 표시되는 발광 소자: [화학식 10-1][화학식 10-2][화학식 10-3][화학식 10-4][화학식 10-5][화학식 10-6]상기 화학식 10-1 내지 화학식 10-6에서, R1-1 및 R2-1은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기, 또는 상기 화학식 2로 표시되는 치환기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고, R1-1a, R1-1b, R2-1a, 및 R2-1b는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 t-부틸기, t-부틸기로 치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기이고,R3-1a 내지 R3-1c는 각각 독립적으로 상기 화학식 2로 표시되고, n21 및 n22는 각각 독립적으로 0 이상 3 이하의 정수이고,X2 및 X3은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다
10 10
제1항에 있어서,상기 발광층은 하기 화학식 H-1로 표시되는 제2 화합물을 더 포함하는 발광 소자: [화학식 H-1]상기 화학식 H-1에서, La는 직접 결합(direct linkage), 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고, Ar1은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, R31 및 R32는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, m11 및 m12는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이다
11 11
제1항에 있어서, 상기 발광층은 하기 화학식 D-1로 표시되는 제3 화합물을 더 포함하는 발광 소자: [화학식 D-1]상기 화학식 D-1에서, Q1 내지 Q4는 각각 독립적으로 C 또는 N이며, C1 내지 C4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 탄화수소 고리, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 고리이고, R41 내지 R44는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고, a1 내지 a4는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고, L11 내지 L13은 각각 독립적으로 직접 결합, , , , , 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 2가의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고, b1 내지 b3는 각각 독립적으로 0 또는 1이다
12 12
제1항에 있어서, 상기 발광층은 하기 화학식 D-2로 표시되는 제4 화합물을 더 포함하는 발광 소자: [화학식 D-2]화학식 D-2에서, Y1 내지 Y4는 각각 독립적으로 NR56, O 또는 S이고, R51 내지 R56는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 티오기, 치환 또는 비치환된 옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 고리를 형성하고, d1 및 d4는 각각 독립적으로 0 이상 3 이하의 정수이고, d2 및 d3은 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,d5는 0 이상 2 이하의 정수이다
13 13
제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 상기 제1 화합물은 하기 화합물군 1의 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자: [화합물군 1]
14 14
하기 화학식 1로 표시되는 축합 다환 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서, A, B, 및 C는 각각 독립적으로 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 단환의 방향족 탄화수소 고리, 또는 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 단환의 방향족 헤테로 고리이고, X1은 B, P, P=O, P=S, Al, Ga, As, SiR4 또는 GeR5이고,X2 및 X3는 각각 독립적으로 O, S, Se, 또는 NR6이고, R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기, 또는 하기 화학식 2로 표시되는 치환기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표시되는 치환기이고, R4 내지 R6은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, n1 및 n2는 각각 독립적으로 1 이상 4 이하의 정수이고,n3은 1 이상 3 이하의 정수이고: [화학식 2]상기 화학식 2에서, Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, L은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고, 는 상기 화학식 1과 연결되는 위치이다
15 15
제14항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 축합 다환 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 축합 다환 화합물: [화학식 3]상기 화학식 3에서, R1a 내지 R1d, R2a 내지 R2d, 및 R3a 내지 R3c는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 이상 20 이하의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기, 또는 상기 화학식 2로 표시되는 치환기이거나, 또는 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성하고, R1a 내지 R1d, R2a 내지 R2d, 및 R3a 내지 R3c 중 적어도 하나는 상기 화학식 2로 표시되는 치환기이고, X1 내지 X3는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다
16 16
제15항에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 축합 다환 화합물은 하기 화학식 4-1 내지 화학식 4-4 중 어느 하나로 표시되는 축합 다환 화합물: [화학식 4-1][화학식 4-2][화학식 4-3][화학식 4-4]상기 화학식 4-1 내지 화학식 4-4에서, X1 내지 X3, L, Ra 내지 Rc, R1a 내지 R1d, R2a 내지 R2d, 및 R3a 내지 R3c는 상기 화학식 1, 상기 화학식 2 및 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다
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제15항에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 축합 다환 화합물은 하기 화학식 6-1 내지 화학식 6-4 중 어느 하나로 표시되는 축합 다환 화합물: [화학식 6-1][화학식 6-2][화학식 6-3][화학식 6-4]상기 화학식 6-1 내지 화학식 6-4에서, R3a-1은 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, Ra-1 내지 Rc-1, 및 Ra-2 내지 Rc-2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴렌기이고, X1 내지 X3, L, Ra 내지 Rc, R1a 내지 R1d, R2a 내지 R2d, 및 R3a 내지 R3c는 상기 화학식 1, 상기 화학식 2, 및 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다
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제15항에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 축합 다환 화합물은 하기 화학식 8-1 내지 화학식 8-3 중 어느 하나로 표시되는 축합 다환 화합물: [화학식 8-1][화학식 8-2][화학식 8-3]상기 화학식 8-1 내지 화학식 8-3에서, R1b-1, R2b-1, R1c-1, R2c-1, 및 R3a-1 내지 R3c-1은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 t-부틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 카바졸기, 또는 상기 화학식 2로 표시되는 치환기이고, R1b-1, R2b-1, R1c-1, R2c-1, 및 R3a-1 내지 R3c-1 중 적어도 어느 하나는 상기 화학식 2로 표시되고,X1 내지 X3은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다
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제15항에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 축합 다환 화합물은 하기 화학식 9-1 내지 화학식 9-6 중 어느 하나로 표시되는 축합 다환 화합물: [화학식 9-1][화학식 9-2][화학식 9-3][화학식 9-4][화학식 9-5][화학식 9-6]상기 화학식 9-1 내지 화학식 9-6에서, Z는 NR17, O, 또는 S이고, R11 내지 R17은 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로 아릴기이고, n11 내지 n13는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이고,n14는 0 이상 3 이하의 정수이고, n15 및 n16은 각각 독립적으로 0 이상 6 이하의 정수이고, X1 내지 X3, Ra 내지 Rc, R1a 내지 R1d, R2a 내지 R2d, 및 R3a 내지 R3c는 상기 화학식 1, 상기 화학식 2, 및 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다
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제14항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 축합 다환 화합물은 하기 화합물군 1의 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자: [화합물군 1]
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