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전극;상기 전극 상에 위치하는 제1 레이어; 및상기 제1 레이어 상에 위치하는 제2 레이어를 포함하고,상기 제1 레이어는 국소적으로 형성된 상변화 물질 영역을 포함하는 것이고,상기 상변화 물질 영역은 상기 제1 레이어의 물질과 상기 제2 레이어의 물질의 결합물로 구성되는 것이고,상기 제1 레이어의 물질은 14족 원소를 포함하고, 상기 제2 레이어의 물질은 15족 또는 16족 원소를 포함하는 것인, 상변화 메모리
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제1항에 있어서, 상기 제2 레이어 상에 위치하는 상부 전극을 더 포함하는 상변화 메모리
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제1항에 있어서, 상기 제1 레이어의 물질은 Si를 포함하고, 상기 제2 레이어의 물질은 Te를 포함하는 것인, 상변화 메모리
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제1항에 있어서, 상기 제2 레이어는 상부 전극으로서 기능하는 것인, 상변화 메모리
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제1항에 있어서, 상기 상변화 물질 영역은 나노스케일의 필라멘트 형태를 갖는 것인, 상변화 메모리
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8
제1항에 있어서, 상기 상변화 물질 영역은 상기 제2 레이어에 가해지는 전압에 의해 상기 제2 레이어의 물질이 상기 제1 레이어에 제공되어 형성되는 것인, 상변화 메모리
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전극;상기 전극 상에 위치하는 제1 레이어; 및상기 제1 레이어 상에 위치하는 제2 레이어를 포함하고,상기 제1 레이어는 국소적으로 형성된 나노 필라멘트를 포함하고, 상기 나노 필라멘트는 상변화 물질 특성을 갖는 것이고,상기 나노 필라멘트는 상기 제1 레이어의 물질과 상기 제2 레이어의 물질의 결합물로 구성되는 것이고,상기 제1 레이어의 물질은 14족 원소를 포함하고, 상기 제2 레이어의 물질은 15족 또는 16족 원소를 포함하는 것인, 상변화 메모리
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전극을 형성하는 단계;상기 전극 상에 제1 레이어를 형성하는 단계;상기 제1 레이어 상에 제2 레이어를 형성하는 단계; 및상기 제2 레이어에 가해지는 전압에 의해 상기 제1 레이어에 국소적으로 상변화 물질 영역을 형성하는 단계를 포함하고,상기 상변화 물질 영역은 상기 제1 레이어의 물질과 상기 제2 레이어의 물질의 결합물로 구성되는 것이고,상기 제1 레이어의 물질은 14족 원소를 포함하고, 상기 제2 레이어의 물질은 15족 또는 16족 원소를 포함하는 것인, 상변화 메모리 제조 방법
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