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RTA 광학 어닐링을 이용한 BETA상 Ga2O3 박막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 차량용 반도체

  • 기술번호 : KST2023008115
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 RTA 광학 어닐링 효과를 적용한 고효율 EV 차량 반도체용 β-Ga2O3 박막 제조 공정으로 기존의 박막 열처리 공정인 전기로(Electric furnace)를 RTA로 대체하여 짧은 시간에 상온에서 열처리가 가능한 β-Ga2O3 박막 공정 방법이다. 보다 상세하게는 기존에 박막 공정에 주로 사용되는 전기로를 활용한 열 어닐링 방법을 대체하여 RTA 공정을 도입함으로써 광학 에너지를 박막 표면에 조사하여 짧은 시간에 고온 분위기 형성 후 β-Ga2O3 결정성장을 통한 박막 제조가 가능한 급속 박막 공정이다. 기존 공정과 비교하였을 때 80 % 이상의 공정시간을 줄일 수 있으며 XRD, FE-SEM 분석을 통해서도 기존 공정과 비교하였을 때 우수한 결정성을 가지는 것을 확인할 수 있다. 또한 박막 제조를 위해 소모되는 열 에너지, 장비에 가동되는 전기에너지를 줄여줌으로써 탄소 중립 (Net-Zero)에 도움이 될 수 있는 친환경 기술이다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) C30B 29/16 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02661(2013.01) H01L 21/02664(2013.01) C30B 29/16(2013.01) C30B 11/003(2013.01)
출원번호/일자 1020220006417 (2022.01.17)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0110901 (2023.07.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.01.17)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고중혁 서울특별시 양천구
2 배민성 경기도 고양시 일산동구
3 이광섭 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 차상윤 대한민국 서울 영등포구 경인로 *** (문래동*가) *동 ***호(엔씨국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, 비동****호(가산동,한라원앤원타워)(특허법인 태백)
3 남건필 대한민국 서울 영등포구 경인로 *** (문래동*가) *동 ***호(엔씨국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2022-0056403-95
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2022.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2022-0571162-77
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2022.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2023-0006455-02
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2023.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0039637-09
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2023.03.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2023-0259658-15
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2023.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2023-0259657-69
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2023.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0579428-84
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2023.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2023-1037080-19
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2023.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2023-1037068-60
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번호 청구항
1 1
갈륨 전구체 물질을 포함한 용액을 제작하는 단계;기판을 준비하고 세척하는 단계;상기 갈륨 전구체 물질을 포함한 용액을 기판 상에 스핀 코팅하여 박막을 형성 한 후 핫 플레이팅을 통해 박막을 경화시키는 단계; 및RTA(Rapid Thermal Annealing)을 이용하여 광학 어닐링을 수행하는 단계를 포함하는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 갈륨 전구체 물질을 포함한 용액을 제작하는 단계는,갈륨 전구체 물질로 갈륨 나이트레이트 수화물(gallium nitrate hydrate)를 사용하고 안정제로 2-metoxyethanol 및 mono-ethanolamine을 사용하여 교반하여 갈륨 전구체 물질을 포함한 용액을 준비하는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 2-metoxyethanol 및 mono-ethanolamine은 1:1의 비율로 이용되고, 60℃에서 2시간 동안 교반이 진행되는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판이 이용되는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 갈륨 전구체 물질을 포함한 용액을 기판 상에 스핀 코팅하여 박막을 형성 한 후 핫 플레이팅을 통해 박막을 경화시키는 단계는 5회 내지 10회 반복되는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 RTA을 이용하여 광학 어닐링을 수행하는 단계는 900℃ 이상의 온도 분위기를 만들어주고 약 15분간 유지하는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 RTA을 이용하여 광학 어닐링을 수행하는 단계 이후,약 15분 동안 상온으로 온도를 쿨링하는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법을 이용하여 제조되는,차량용 반도체용 β상 Ga2O3 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 중앙대학교 산학협력단 산업혁신인재성장지원(R&D) 고효율 고신뢰성 EV차량용 반도체 개발을 위한 미래형 인력양성 과제
2 과학기술정보통신부 중앙대학교산학협력단 정보통신방송혁신인재양성 디지털 트윈 기반 스마트 에너지 시티 융합 기술 개발 및 인력양성