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갈륨 전구체 물질을 포함한 용액을 제작하는 단계;기판을 준비하고 세척하는 단계;상기 갈륨 전구체 물질을 포함한 용액을 기판 상에 스핀 코팅하여 박막을 형성 한 후 핫 플레이팅을 통해 박막을 경화시키는 단계; 및RTA(Rapid Thermal Annealing)을 이용하여 광학 어닐링을 수행하는 단계를 포함하는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 갈륨 전구체 물질을 포함한 용액을 제작하는 단계는,갈륨 전구체 물질로 갈륨 나이트레이트 수화물(gallium nitrate hydrate)를 사용하고 안정제로 2-metoxyethanol 및 mono-ethanolamine을 사용하여 교반하여 갈륨 전구체 물질을 포함한 용액을 준비하는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 2-metoxyethanol 및 mono-ethanolamine은 1:1의 비율로 이용되고, 60℃에서 2시간 동안 교반이 진행되는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판이 이용되는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 갈륨 전구체 물질을 포함한 용액을 기판 상에 스핀 코팅하여 박막을 형성 한 후 핫 플레이팅을 통해 박막을 경화시키는 단계는 5회 내지 10회 반복되는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 RTA을 이용하여 광학 어닐링을 수행하는 단계는 900℃ 이상의 온도 분위기를 만들어주고 약 15분간 유지하는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 RTA을 이용하여 광학 어닐링을 수행하는 단계 이후,약 15분 동안 상온으로 온도를 쿨링하는,RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 RTA 광학 어닐링을 이용한 β상 Ga2O3 박막의 제조 방법을 이용하여 제조되는,차량용 반도체용 β상 Ga2O3 박막
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