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제1 레이어 기판;상기 제1 레이어 기판상에 형성되는 방사패치;상기 제1 레이어 기판 하부에 결합되며, 상부에 제1 접지면이 형성되는 제2 레이어 기판; 및상기 제2 레이어 기판 하부에 결합되고 상부 또는 하부에 전송 선로가 형성되는 제3 레이어 기판을 포함하되,상기 제1 레이어 기판은 상대적으로 손실이 낮은 유전체로 이루어지고, 상기 제2 레이어 기판 및 상기 제3 레이어 기판은 상대적으로 손실이 높은 유전체로 이루어지는 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 안테나
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제1항에 있어서, 상기 제1 레이어 기판은 테프론 물질로 이루어지고, 상기 제2 레이어 기판 및 상기 제3 레이어 기판은 에폭시 물질로 이루어지는 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 안테나
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제2항에 있어서,상기 제1 레이어 기판의 두께는 상기 제2 레이어 기판 및 상기 제2 레이어 기판의 두께에 비해 상대적으로 크게 설정되는 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 안테나
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제3항에 있어서,상기 제2 레이어 기판 하부에는 제2 접지면이 형성되고, 상기 전송 선로는 접지 선로 및 신호 선로를 포함하는 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 안테나
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5
제4항에 있어서,상기 제1 T형 프로브의 종단에는 상기 제1 레이어 기판 내지 상기 제3 레이어 기판을 관통하여 상기 신호 선로와 전기적으로 결합하는 제1 급전 비아핀이 결합되고, 상기 제2 T형 프로브의 종단에는 상기 제1 레이어 기판 내지 상기 제3 레이어 기판을 관통하여 상기 신호 선로와 전기적으로 결합하는 제2 급전 비아핀이 결합되는 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 안테나
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6
제5항에 있어서,상기 제1 레이어 기판에는 상기 제1 T형 프로브와 인접하여 배치되고 전기적으로 접지 전위를 가지는 제1 접지 패턴이 형성되고, 상기 제2 T형 프로브와 인접하여 배치되고 전기적으로 접지 전위를 가지는 제2 접지 패턴이 형성되는 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 안테나
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7
제4항에 있어서,상기 제1 접지면에는 상기 방사 패치의 제1 모서리와 상하로 정렬되는 제1 슬롯이 형성되고, 상기 제1 모서리는 상기 제1 및 제2 T형 프로브와 인접하는 측면들이 교차하는 모서리인 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 안테나
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8
제7항에 있어서,상기 제1 접지면에는 상기 제1 모서리와 대각선으로 대향하는 제2 모서리와 상하로 정렬되는 제2 슬롯이 형성되는 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 안테나
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9
제1 레이어 기판;상기 제1 레이어 기판상에 형성되는 방사패치;상기 제1 레이어 기판 하부에 결합되며, 상부에 제1 접지면이 형성되는 제2 레이어 기판; 및상기 제2 레이어 기판 하부에 결합되고 상부 또는 하부에 전송 선로가 형성되는 제3 레이어 기판을 포함하는 단일 안테나가 배열되는 서브 어레가 형성되고, 상기 서브 어레이가 다수개 배열되어 전체적인 어레이가 형성되며,상기 제1 레이어 기판은 테프론 물질로 이루어지고, 상기 제2 레이어 기판 및 상기 제3 레이어 기판은 에폭시 물질로 이루어지는 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 배열 안테나
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10
제9항에 있어서,상기 제1 레이어 기판은 테프론 물질로 이루어지고, 상기 제2 레이어 기판 및 상기 제3 레이어 기판은 에폭시 물질로 이루어지는 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 배열 안테나
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11
제10항에 있어서,상기 서브 어레이에 포함된 단일 안테나들은 서로 다른 방향에서 커플링 급전을 받는 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 배열 안테나
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12
제11항에 있어서,상기 제1 접지면에는 상기 방사 패치의 제1 모서리와 상하로 정렬되어 제1 슬롯이 형성되고, 상기 제2 접지면에는 상기 1 모서리와 대각선으로 대향하는 제2 모서리와 상하로 정렬되어 제2 슬롯이 형성되는 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 배열 안테나
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13
제12항에 있어서, 상기 제1 접지면에는 상기 서브 어레이 영역별로 X자형 슬릿이 형성되는 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 배열 안테나
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14
제13항에 있어서,상기 전체적인 어레이를 둘러싸도록 배치되는 다수의 기생 소자를 더 포함하는 밀리미터 웨이브 대역 멀티레이어 배열 안테나
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