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고열전도성 입자를 이용한 복사냉각 소자

  • 기술번호 : KST2023008288
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광학적으로 높은 냉각 성능 및 높은 열전도율을 동시에 구현하여 효율적인 냉각 성능을 보이는 고분자-입자 구조의 복사냉각 소자가 개시된다. 본 발명은 열전도율이 100 W/m·K 이상인 고열전도성 입자가 분산된 고분자를 포함하고, 파장 범위 8 내지 13 ㎛의 적외선에 대하여 평균 방사율 0.5 내지 1인 적외선 방사층; 및 상기 적외선 방사층 하부에 위치하여 태양광을 반사시키는 금속 반사층;을 포함하여, 열을 제거하고자 하는 물체를 선택적으로 복사냉각시키는 복사냉각 소자를 제공한다.
Int. CL F25B 23/00 (2022.01.01) F28F 13/18 (2006.01.01) B32B 15/08 (2006.01.01) B32B 15/085 (2006.01.01) B32B 15/09 (2006.01.01) B32B 15/082 (2006.01.01) B32B 15/095 (2006.01.01) B32B 27/18 (2006.01.01)
CPC F25B 23/003(2013.01) F28F 13/18(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/085(2013.01) B32B 15/09(2013.01) B32B 15/082(2013.01) B32B 15/095(2013.01) B32B 27/18(2013.01) B32B 2307/30(2013.01)
출원번호/일자 1020220033449 (2022.03.17)
출원인 롯데케미칼 주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0135895 (2023.09.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 롯데케미칼 주식회사 대한민국 서울특별시 송파구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송영민 광주광역시 북구
2 김도현 광주광역시 북구
3 허세연 광주광역시 북구
4 박선아 대전 유성구
5 안준규 대전 유성구
6 최병두 대전 유성구
7 최창휴 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 * (대치동) *층(신라특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2022-0289942-80
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2022.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2022-0296422-14
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.08.18 수리 (Accepted) 4-1-2023-5215111-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
열전도율이 100 W/m·K 이상인 고열전도성 입자가 분산된 고분자를 포함하고, 파장 범위 8 내지 13 ㎛의 적외선에 대하여 평균 방사율 0
2 2
제1항에 있어서,상기 고열전도성 입자는 질화 알루미늄(Aluminium nitride, AlN), 질화 붕소(Boron nitride, BN) 및 산화 베릴륨(Beryllium oxide, BeO)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 복사냉각 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 고열전도성 입자는 평균 입경이 0
4 4
제1항에 있어서,상기 고열전도성 입자는 10 내지 50 중량% 함량으로 상기 고분자에 분산된 것을 특징으로 하는 복사냉각 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 고분자는 PET(Polyethylene terephthalate), PETG(Glycol-modified polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), PVDF(Polyvinylidene fluoride), PTFE(Polytetrafluoroethylene), PFA(Perfluoroalkoxyalkane), PCTFE(Polychlorotrifluoroethylene), ECTFE(Ethylene chlorotrifluoroethylene), ETFE(Ethylene Tetra fluoro Ethylene), FEP(Fluorinated ethylene propylene), THV(Terpolymer of tetrafluoroethylene, hexafluoropropylene 및 vinylidene fluoride), PMMA(Polymethyl methacrylate), PDMS(Polydimethylsiloxane), PVC(Polyvinyl chloride), PVDC(Polyvinylidene chloride), PU(Polyurethane), PUA(Poly(urethane acrylate)), PC(Polycarbonate), PE(Polyethylene) 및 PP(Polypropylene)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 복사냉각 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.