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제1 유연기판 상에 제1 전극을 형성하는 것;상기 제1 전극 상에 전기변색층을 형성하는 것;상기 전기변색층을 식각하여 전기변색 픽셀 패턴들을 형성하는 것;상기 제1 전극을 식각하여 제1 미세패턴 전극 부분들 및 제2 미세패턴 전극 부분들을 포함하는 미세패턴 전극들을 형성하는 것;상기 제2 미세패턴 전극부분들의 상면들 상에 절연막을 형성하는 것; 및상기 절연막 및 상기 전기변색 픽셀 패턴들 상에 전해질층을 형성하는 것을 포함하되,상기 전기변색 픽셀 패턴들은 상기 제1 미세패턴 전극 부분들의 상면들 상에 배치되고, 상기 제1 전극을 식각하는 것 및 상기 전기변색층을 식각하는 것은 단일 공정에서 수행되는 전기변색 소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전기변색 픽셀 패턴들은 상기 제2 미세패턴 전극 부분들의 상기 상면들을 노출시키는 전기변색 소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 절연막은 상기 전기변색 픽셀 패턴들의 상면들을 덮지 않는 전기변색 소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전기변색층은 전도성 고분자를 포함하는 전기변색 소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전기변색 픽셀 패턴들을 형성하는 것 및 상기 미세패턴 전극들을 형성하는 것은 단일 레이저 에칭 공정에 의해 수행되는 전기변색 소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 절연막을 형성하는 것은 마스크를 이용한 이빔 진공 증착법에 의하여 수행되는 전기변색 소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전해질층은 접착성 고분자 겔 전해질을 포함하는 전기변색 소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 절연막은 실리콘 산화물(SiO2) 또는 금속 산화물을 포함하는 전기변색 소자 제조방법
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제 1항에 있어서,제2 유연기판 하면에 제2 전극을 형성하는 것;상기 제2 전극 하면에 이온저장층을 형성하는 것; 및상기 전해질층과 상기 이온저장층을 결합하는 것을 포함하는 전기변색 소자 제조방법
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10
제 1항에 있어서,상대전극 연결부분을 형성하는 것을 더 포함하는 전기변색 소자 제조방법
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11
제 10항에 있어서,전극 연결부분을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 전극 연결부분은 상기 상대전극 연결부분과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결하는 전기변색 소자 제조방법
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12
제11 항에 있어서,본딩 부분을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 본딩 부분은 상기 상대전극 연결부분 및 상기 제2 미세패턴 전극 부분들에 전기적으로 연결되는 전기변색 소자 제조방법
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13
제12 항에 있어서,상기 제1 유연기판 하면에 제1 유리층을 형성하는 것; 및상기 제2 유연기판 상면에 제2 유리층을 형성하는 것을 더 포함하는 전기변색 소자 제조방법
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제1 유연기판;상기 제1 유연기판 상에 배치되고, 제1 미세패턴 전극 부분들 및 제2 미세패턴 전극 부분들을 포함하는 미세패턴 전극들;상기 제1 미세패턴 전극 부분들의 상면들 상에 배치되는 전기변색 픽셀 패턴들;상기 제2 미세패턴 전극 부분들의 상면들을 덮는 절연막;상기 절연막 및 상기 전기변색 픽셀 패턴들 상에 배치되는 전해질층;상기 전해질층 상에 배치되는 이온저장층;상기 이온저장층 상에 배치되는 제2 전극; 및 상기 제2 전극 상에 배치되는 제2 유연기판을 포함하되,상기 전기변색 픽셀 패턴들은 전도성 고분자를 포함하는 전기변색 소자
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제 14항에 있어서, 상기 전기변색 픽셀 패턴들은 상기 제2 미세패턴 전극 부분들의 상면들을 노출시키는 전기변색 소자
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제 14항에 있어서,상기 절연막은 상기 전기변색 픽셀 패턴들의 상면들을 덮지 않는 전기변색 소자
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제 14항에 있어서,상대전극 연결부분을 더 포함하는 전기변색 소자
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제 17항에 있어서, 전극 연결부분을 더 포함하되, 상기 전극 연결부분은 상기 상대전극 연결부분과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결하는 전기변색 소자
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19
제 18항에 있어서,본딩 부분을 더 포함하되,상기 본딩 부분은 상대전극 연결부분 및 상기 제2 미세패턴 전극 부분들에 전기적으로 연결되는 전기변색 소자
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제 14항에 있어서,상기 제1 유연기판 하면에 배치되는 제1 유리층; 및상기 제2 유연기판 상면에 배치되는 제2 유리층을 더 포함하는 전기변색 소자
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