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탄화수소를 공급하여, 촉매의 존재 하에서 상기 탄화수소를 산화시켜 합성가스를 제조하고, 상기 촉매에 탄소가 침적되는 단계, 그리고상기 촉매의 임계 탄소 침적량에 도달하기 전에 이산화탄소를 공급하여, 상기 촉매에 침적된 탄소와 상기 이산화탄소를 반응시켜 일산화탄소를 제조하고, 상기 촉매에 침적된 탄소를 제거하는 단계를 포함하며, 상기 촉매의 임계 탄소 침적량은 상기 촉매에 탄소가 침적될 때 상기 촉매의 전기 저항이 변화되는 시점에서 상기 촉매의 무게 증가를 측정함으로써 얻어지는, 탄소 스윙 흡착을 이용한 합성가스의 제조 방법
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제1항에서,상기 탄화수소는 C1 내지 C20의 알칸(alkane), C1 내지 C20의 알켄(alkene), C1 내지 C20의 알킨(alkyne), C4 내지 C30의 방향족 화합물, 또는 이들의 조합을 포함하는, 합성가스의 제조 방법
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제1항에서, 상기 촉매는 Ni, Fe, Cu, Co, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Zn, Au, Pt, Ir, Os, W, Cr 이들의 산화물, 또는 이들의 조합을 포함하는 활성 입자, 및상기 활성 입자를 담지하며, SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, CeO2, Y2O3, 또는 이들의 조합을 포함하는 담지체를 포함하는, 합성가스의 제조 방법
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제3항에서, 상기 활성 입자는 상기 촉매 전체 중량에 대하여 30 중량% 내지 60 중량%로 포함되는, 합성가스의 제조 방법
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제3항에서,상기 촉매는 이트륨(Y)이 도핑된 지르코니아(ZrO2) 담지체에, 니켈(Ni) 금속이 담지된, 합성가스의 제조 방법
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제5항에서, 상기 이트륨(Y)은 상기 지르코니아 전체에 대하여 5 몰% 내지 10 몰%로 도핑되는, 합성가스의 제조 방법
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제5항에서,상기 지르코니아는 란탄계 원소, 알칼리 토금속 원소, 또는 이들의 조합을 포함하는 도핑 원소를 더 포함하고,상기 도핑 원소는 상기 지르코니아 전체에 대하여 0
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제3항에서, 상기 촉매는 SiO2, Al2O3, MgO, MgAl2O4, La2O3, CeO2, ZrO2, 또는 이들의 조합을 포함하는 금속 산화물 코팅층을 더 포함하는, 합성가스의 제조 방법
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제1항에서,상기 촉매의 임계 탄소 침적량은 상기 임계 탄소 침적량을 초과하여 상기 촉매에 탄소가 침적되면 상기 촉매 내부로 상기 탄소의 침투가 개시되는 촉매 표면의 탄소 침적량인, 합성가스의 제조 방법
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제1항에서,상기 촉매의 임계 탄소 침적량 전후에서의 전기 저항의 변화량은 초기 전기 저항의 10 배 이하인, 합성가스의 제조 방법
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제1항에서,상기 촉매의 전기 저항의 변화는 전기 저항의 증가 또는 전기 저항의 기울기 증가를 측정하는, 합성가스의 제조 방법
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제1항에서,상기 합성가스의 제조 방법에서, 상기 탄화수소의 공급과 상기 이산화탄소의 공급은 교대로 이루어지는, 합성가스의 제조 방법
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제12항에서,상기 합성가스의 제조 방법은 상기 탄화수소의 공급과 상기 이산화탄소의 공급을 한 사이클로하여, 복수 사이클 동안 진행되는, 합성가스의 제조 방법
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제1항에서,상기 공급되는 탄화수소와 이산화탄소의 몰비는 1
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제1항에서,상기 탄화수소를 이산화탄소에 의해서 산화시키는 반응은 500 ℃ 내지 1000 ℃의 온도 조건에서 이루어지는, 합성가스의 제조 방법
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