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진공 챔버;상기 챔버 내부에 배치되는, 기판 지지부재;상기 챔버 내부에 가스를 주입하는, 가스 공급부재;상기 챔버 내부에 배치되고, 상기 챔버 내부에서 플라즈마가 발생할 때 제1 금속의 이온 또는 라디컬을 포함하는 금속성 부산물을 발생시키는 소모품부;상기 챔버 내부에 플라즈마를 발생시키기 위해 전력이 인가되는 제1 전극;상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극; 및상기 제1 및 제2 전극에 전력을 공급하는 전원;을 포함하는,식각용 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 금속의 이온 또는 라디컬은 상기 기판에 플라즈마 증착되는 고분자 물질과 결합하여 상기 기판에 증착되는,식각용 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 소모품부는, 상기 챔버의 상부에 위치하고 가스 토출 구멍이 하나 이상 형성되는 샤워 헤드에 설치된,식각용 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 소모품부는, 상기 기판 지지부재에 배치되는 기판의 가장자리를 둘러싸도록 상기 챔버의 하부에 배치되는 엣지 링에 설치된,식각용 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 소모품부는, 상기 챔버의 내벽에 설치된,식각용 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 소모품부는, 상기 제1 금속을 함유하는 규소(Si) 화합물 또는 혼합물을 포함하는, 식각용 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 금속은, 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 아연(Zr), 테크네튬(Tc), 루비듐(Rb), 로듐(Rh), 하프늄(Hf), 오스뮴(Os), 및 이리듐(Ir) 중 하나 또는 그 이상을 포함하는, 식각용 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 소모품부에 전력을 인가하여 상기 제1 금속의 이온 또는 라디컬의 생성을 촉진하는 소모품부 연결 전원을 추가로 포함하는,식각용 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 장치는 이중 주파수 용량성 결합 플라즈마(CCP, Capacitively Coupled Plasma) 장치, 유도 결합 플라즈마(ICP, inductively coupled plasma) 장치, 전자파(microwave) 플라즈마 장치, 헬리콘(Helicon) 플라즈마 장치, 전자 사이클로트론 공명(ECR, Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마 장치 및 리모트(remote) 플라즈마 장치 중 어느 하나인,식각용 플라즈마 처리 장치
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