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대향하는 웨이퍼들 사이에 가스 분위기에서 플라즈마 방전을 시행하여 웨이퍼 표면을 활성화하는 웨이퍼 활성화 단계; 및상기 플라즈마 방전을 유지하면서 웨이퍼 표면이 활성화된 대향하는 웨이퍼들을 접합하여 화학 결합을 형성하는 웨이퍼 접합 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 가스는 헬륨 가스, 네온 가스, 아르곤 가스, 크립톤 가스 및 제논 가스로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것이고,상기 대향하는 웨이퍼의 활성화되는 표면의 반대면에 단락 방지층을 구비하여, 상기 단락 방지층이 웨이퍼와 접촉하는 면의 반대면에 전극을 접촉시켜 상기 플라즈마 방전을 시행 및 유지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
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제 1항에 있어서,상기 가스는 산소, 질소 및 수증기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
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제 1 항에 있어서,상기 웨이퍼 접합 단계 후 접합된 웨이퍼들을 어닐링하는 어닐링 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
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제 4 항에 있어서,상기 어닐링 단계는 10시간 이하의 시간 동안 500℃이하의 온도에서 어닐링하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
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제 1 항에 있어서,상기 웨이퍼 활성화 단계 전 또는 상기 웨이퍼 활성화 단계에서 상기 웨이퍼를 가열하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
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제 1항에 있어서,상기 단락 방지층은 세라믹 및 석영으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
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대향하는 웨이퍼들 사이에 가스 분위기에서 플라즈마 방전을 시행하여 웨이퍼 표면을 활성화하는 플라즈마 방전부;상기 플라즈마 방전을 유지하면서 웨이퍼 표면이 활성화된 대향하는 웨이퍼들을 접합하여 화학 결합을 형성하도록 하는 웨이퍼 가압고정부; 및상기 대향하는 웨이퍼의 활성화되는 표면의 반대면에 단락 방지층을 구비하는 단락 방지부를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 가스는 헬륨 가스, 네온 가스, 아르곤 가스, 크립톤 가스 및 제논 가스로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것이고,상기 단락 방지부에서, 상기 단락 방지층이 웨이퍼와 접촉하는 면의 반대면에 전극을 접촉시켜 상기 플라즈마 방전을 시행 및 유지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 시스템
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제 9항에 있어서,상기 가스는 산소, 질소 및 수증기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 시스템
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제 9 항에 있어서,상기 웨이퍼 접합 후 접합된 웨이퍼들을 어닐링하는 어닐링부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 시스템
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제 12 항에 있어서,상기 어닐링부는 10시간 이하의 시간 동안 500℃이하의 온도에서 어닐링하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 시스템
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제 9 항에 있어서,상기 웨이퍼를 가열하는 웨이퍼 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 시스템
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제 9항에 있어서,상기 단락 방지층은 세라믹 및 석영으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 시스템
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