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하부 개구부를 포함하는 하부 플레이트;상기 하부 개구부를 덮는 상부 플레이트;상기 상부 플레이트 상의 타겟 물질층;상기 상부 플레이트와 상기 타겟 물질층 사이의 하부 전극층;상기 타겟 물질층 상의 상부 전극층; 및상기 상부 전극층 및 하부 전극층과 전기적으로 연결되는 배선 패턴을 포함하는 현미경 시편
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제 1항에 있어서,상기 타겟 물질층은 상기 하부 개구부와 수직적으로 중첩하는 현미경 시편
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제 1항에 있어서,상기 상부 플레이트는 상부 개구부를 포함하고,상기 타겟 물질층은 상기 상부 개구부와 수직적으로 중첩하는 현미경 시편
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제 1항에 있어서,상기 타겟 물질층의 적어도 일부가 상기 상부 전극층과 수직적으로 중첩하는 현미경 시편
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제 1항에 있어서,상기 상부 플레이트의 두께는 0nm보다 크고, 300nm 이하인 현미경 시편
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제 1항에 있어서,상기 타겟 물질층은 칼코제나이드, 금속 산화물, 질화물, 그래핀 및 그래파이트 중 적어도 하나를 포함하는 현미경 시편
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제 1항에 있어서,상기 타겟 물질층의 두께는 0nm보다 크고, 300nm 이하인 현미경 시편
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제 1항에 있어서,상기 상부 전극층 및 하부 전극층 각각의 두께는 0nm보다 크고, 300nm 이하인 현미경 시편
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9
제 1항에 있어서,상기 하부 전극층 및 상기 상부 전극층은 단결정 물질 및 비정질 물질 중 적어도 하나를 포함하는 현미경 시편
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10
제 1항에 있어서,상기 타겟 물질층과 상기 하부 전극층 사이에 개재되는 하부 절연층 또는 상기 타겟 물질층과 상기 상부 전극층 사이에 개재되는 상부 절연층 중 적어도 하나를 더 포함하는 현미경 시편
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제 10항에 있어서,상기 하부 절연층 및 상기 상부 절연층은 단결정 물질 및 비정질 물질 중 적어도 하나를 포함하는 현미경 시편
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12
(a) 현미경 내 시편을 위치시키는 것;(b) 상기 시편을 투과하는 전자빔을 조사하는 것; 및(c) 상기 투과된 전자빔 중 회절된 전자빔으로부터 분석 정보를 획득하는 것을 포함하되,상기 시편은:하부 개구부를 포함하는 하부 플레이트;상기 하부 개구부를 덮는 상부 플레이트;상기 상부 플레이트 상의 타겟 물질층; 및상기 플레이트와 상기 타겟 물질층 사이의 하부 전극층을 포함하고,상기 (b) 단계에서 상기 전자빔은 상기 타겟 물질층, 상기 하부 전극층, 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트를 차례로 투과하는 분석 방법
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제 12항에 있어서,상기 (b) 단계에서 상기 전자빔은 상기 하부 플레이트의 상기 하부 개구부를 투과하는 분석 방법
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제 12항에 있어서,상기 상부 플레이트는 상부 개구부를 포함하고,상기 (b) 단계에서 상기 전자빔은 상기 상부 플레이트의 상기 상부 개구부를 투과하는 분석 방법
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15
제 12항에 있어서,상기 시편은 상기 타겟 물질층 상의 상부 전극층을 더 포함하고,상기 타겟 물질층의 적어도 일부는 상기 상부 전극층과 수직적으로 중첩하는 분석 방법
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제 15항에 있어서,상기 (b) 단계에서 상기 전자빔은 상기 상부 전극층을 더 투과하는 분석 방법
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제 12항에 있어서,상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계를 번갈아가며 반복적으로 수행하는 분석 방법
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제 17항에 있어서,(d) 상기 하부 전극층에 전압을 인가하는 것을 더 포함하되,상기 (d) 단계에서 상기 전압은 상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계의 반복 수행 중 연속적으로 인가되는 분석 방법
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제 17항에 있어서,(d) 상기 하부 전극층에 전압을 인가하는 것을 더 포함하되,상기 (d) 단계는 상기 (c) 단계의 수행 이후, 상기 (b) 단계의 반복 수행 이전에 수행되는 분석 방법
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제 12항에 있어서,상기 (b) 단계는 전자를 2MV 이하의 전압으로 가속하여 상기 전자빔을 발생시키는 것을 포함하는 분석 방법
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