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기판 상에 실리콘 소재의 1층 채널, 2층 채널, 3층 채널의 3 개의 채널을 포함하고 있는 나노시트 반도체 소자에서, 각 채널 주위를 감싸고 있는 제1 절연층;상기 제1 절연층을 감싸고 있는 제2 절연층; 및상기 제2 절연층을 감싸고 있는 게이트 전극을 포함하며, 각 나노시트 반도체 소자를 분리하기 위해, 나노시트 반도체 소자 사이에 형성된 STI(Shallow Trench Isolation)가 구비되고,상기 STI는 나노시트 반도체 소자 사이에서 중앙이 함몰된 부위인 함몰부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노시트 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 함몰부 상에 순차적으로 제1 절연층, 제2 절연층 및 게이트 전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노시트 반도체 소자
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청구항 2에 있어서, 상기 제1 절연층은 SiO2로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노시트 반도체 소자
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청구항 2에 있어서, 상기 제2 절연층은 HfO2로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노시트 반도체 소자
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청구항 2에 있어서, 상기 게이트 전극은 TiN으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노시트 반도체 소자
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청구항 2에 있어서, 상기 STI는 SiO2 산화막을 증착시키는 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노시트 반도체 소자
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