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능동형 유기 발광 다이오드의 화소 회로

  • 기술번호 : KST2023008570
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 인가되는 전원으로 공급되는 전류에 의해 소정의 휘도로 발광하는 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로에 있어서, 주사 신호의 라인이 되는 제1 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 데이터 전압을 제공하는 데이터 라인에 일 전극이 연결되며, 구동 트랜지스터(TD)에 타 전극이 연결된 제1 스위칭 트랜지스터(T1); 주사 신호의 제1 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 타 전극이 유기 발광 다이오드 소자와 연결된 스위칭 트랜지스터(TE2)에 연결되며, 일 전극은 상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 연결된 제2 스위칭 트랜지스터(T2); 주사 신호의 제1 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 일 전극이 전원 전압(ELVDD)단에 연결되며, 타 전극이 하기의 제4 스위칭 트랜지스터(T4)에 연결된 제3 스위칭 트랜지스터(T3); 펄스 전원 또는 다음 화소의 주사 신호의 라인이 되는 제2 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 일 전극이 상기 제3 스위칭 트랜지스터(T3)와 연결되고 타 전극은 고정 전압(Vo) 또는 상기 제2 스캔 신호 라인에 연결된 제4 스위칭 트랜지스터(T4); 이전 화소의 주사 신호의 라인이 되는 제3 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 일 전극이 전원 전압(ELVDD)단에 연결되며 타 전극이 상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 연결된 제5 스위칭 트랜지스터(T5); 일단이 상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극과 연결되고, 타단이 전원 전압(ELVDD)에 연결된 제1 커패시터(Cst); 및 상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극과 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T4)의 일전극에 연결되어 스트레칭을 보상하는 제2 커패시터(Cs);를 포함하여, 상기 제2 커패시터(Cs)가 스트레칭 커패시터이며, 패널의 길이 또는 면적 연신에 따라 커패시턴스가 변화하는 것을 일 특징으로 한다.
Int. CL G09G 3/3233 (2016.01.01) G09G 3/3266 (2016.01.01) G09G 3/00 (2006.01.01)
CPC G09G 3/3233(2013.01) G09G 3/3266(2013.01) G09G 3/035(2013.01) G09G 2300/043(2013.01) G09G 2320/0233(2013.01) G09G 2300/0842(2013.01)
출원번호/일자 1020220034909 (2022.03.21)
출원인 호서대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0137136 (2023.10.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.03.21)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 호서대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배병성 충청남도 아산시
2 이혁수 경기도 안양시 만안구
3 강서진 경기도 시흥시 정왕신길로*

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호(문정동, 에이치비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2022-0303446-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2023.03.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2023.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2023-0139962-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2023.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0693016-28
5 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2023.10.04 접수중 (On receiving) 1-1-2023-1087396-36
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
인가되는 전원으로 공급되는 전류에 의해 소정의 휘도로 발광하는 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로에 있어서,주사 신호의 라인이 되는 제1 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 데이터 전압을 제공하는 데이터 라인에 일 전극이 연결되며, 구동 트랜지스터(TD)에 타 전극이 연결된 제1 스위칭 트랜지스터(T1);주사 신호의 제1 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 일 전극이 유기 발광 다이오드 소자와 연결된 스위칭 트랜지스터(TE2)의 일 전극에 연결되며, 타 전극은 상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 연결된 제2 스위칭 트랜지스터(T2);주사 신호의 제1 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 일 전극이 전원 전압(ELVDD)단에 연결되며, 타 전극이 하기의 제4 스위칭 트랜지스터(T4)의 일 전극에 연결된 제3 스위칭 트랜지스터(T3);펄스 전원 또는 다음 화소의 주사 신호의 라인이 되는 제2 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 일 전극이 상기 제3 스위칭 트랜지스터(T3)의 일 전극과 연결되고 타 전극은 고정 전압(Vo) 또는 상기 제2 스캔 신호 라인에 연결된 제4 스위칭 트랜지스터(T4);이전 화소의 주사 신호의 라인이 되는 제3 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 일 전극이 전원 전압(ELVDD)단에 연결되며 타 전극이 상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 연결된 제5 스위칭 트랜지스터(T5);일단이 상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극과 연결되고, 타단이 전원 전압(ELVDD)에 연결된 제1 커패시터(Cst); 및상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극과 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T4)의 일단에 연결되어 스트레칭을 보상하는 제2 커패시터(Cs);를 포함하여,상기 제2 커패시터(Cs)가 스트레칭 커패시터이며, 패널의 길이 또는 면적 연신에 따라 커패시턴스가 변화하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제4 스위칭 트랜지스터(T4)는,게이트 전극과 일 전극이 서로 연결되어 단방향성의 전류가 흐를 수 있는 다이오드로 기능하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제4 스위칭 트랜지스터(T4)는,펄스 전원에 게이트 전극이 연결되고, 상기 제2 커패시터(Cs)에 일 전극이 연결되며, 상기 제2 스캔 라인에 타 전극이 연결되어,상기 제2 커패시터(Cs)에 전압이 충전되는 통로 기능을 수행하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제1 커패시터(Cst)는,상기 구동 트랜지스터(TD)에 공급되는 데이터 전압에 대응되는 전압을 저장하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제2 커패시터(Cs)는,일단이 상기 제3 스위칭 트랜지스터(T3)의 일 전극에 연결되고, 타단이 상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 연결된 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
6 6
제 1 항에 있어서,일 전극이 상기 구동 트랜지스터(TD)의 일 전극에 연결되고, 타 전극이 전원 전압(ELVDD)단에 연결된 제6 스위칭 트랜지스터(TE1)를 더 포함하고,상기 스위칭 트랜지스터(TE2)는 일 전극이 유기 발광 다이오드 소자와 연결되고, 타 전극이 상기 구동 트랜지스터(TD)의 타 전극에 연결된 제7 스위칭 트랜지스터(TE2)이며,상기 제6, 7 스위칭 트랜지스터(TE1, TE2)는 상기 구동 트랜지스터(TD)에 흐르는 전류를 온/오프 제어하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제1 스위칭 트랜지스터(T1)는,게이트 전극을 통해 상기 제1 스캔 신호 라인으로부터 공급되는 스캔 펄스에 따라 턴온 되며, 상기 데이터 라인으로부터 전송되는 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극과 상기 제1, 2 커패시터(Cst, Cs)에 인가하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
8 8
제 7 항에 있어서,상기 제5 스위칭 트랜지스터(T5)를 통해 상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트에 저장된 전원 전압이 상기 제2 스위칭 트랜지스터(T2)와 상기 구동 트랜지스터(TD), 상기 제1 스위칭 트랜지스터(T1)를 통해 데이터 전압으로 낮아지면서 상기 구동 트랜지스터(TD)의 문턱전압 보상이 이루어지는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
9 9
제 1 항에 있어서,상기 구동 트랜지스터(TD)는,상기 제1 스위칭 트랜지스터(T1)를 거쳐 공급되는 데이터 전압에 따라 전류가 제어되어, 상기 유기 발광 다이오드 소자로 흐르는 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
10 10
제 1 항에 있어서,상기 제1 커패시터(Cst)는,상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 공급되는 데이터 전압에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 상기 구동 트랜지스터(TD)를 턴온 시키는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
11 11
제 1 항에 있어서,상기 유기 발광 다이오드 소자는,상기 구동 트랜지스터(TD)의 일 전극에 전기적으로 접속되어 전원 전압(ELVDD)단으로부터 공급되는 전류에 의해서 발광하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
12 12
제 1 항에 있어서,상기 제3 스위칭 트랜지스터(T3)는,게이트 전극이 상기 제1 스캔 신호 라인과 연결되고, 일 전극으로부터 인가되는 전원 전압으로 타 전극에 연결된 상기 제2 커패시터(Cs)를 충전시키는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
13 13
제 1 항에 있어서,상기 제3 스위칭 트랜지스터(T3)는,충전용 트랜지스터로서 일 전극이 상기 제2 커패시터(Cs)와 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T4)가 연결된 노드에 연결되며, 타 전극이 전원 전압(ELVDD)단과 연결된 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
14 14
제 1 항에 있어서,상기 제1 커패시터(Cst)는 저장용량 커패시터인 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
15 15
제 1 항에 있어서,상기 제4 스위칭 트랜지스터(T4)는, 게이트 전극이 펄스 전압원에 연결되고, 일 전극이 상기 제2 스캔 신호라인에 연결되어, 게이트에 인가된 전압 펄스에 맞추어 턴온되며, 타 전극이 제2 커패시터(Cs)의 일단에 연결된 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
16 16
제 1 항에 있어서,상기 제4 스위칭 트랜지스터(T4)는, 게이트 전극이 상기 제2 스캔 신호 라인에 연결되고, 일 전극이 상기 제2 커패시터(Cs)에 연결되며, 타 전극이 고정 전원 전압(Vo)단에 연결된 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
17 17
제 1 항에 있어서,상기 제4 스위칭 트랜지스터(T4)는, 게이트 전극이 상기 제2 스캔 신호 라인에 연결되고, 일 전극이 상기 제2 커패시터(Cs)에 연결되며, 타 전극이 상기 제2 스캔 신호 라인에 연결된 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
18 18
제 1 항에 있어서,상기 제5 스위칭 트랜지스터(T5)는,게이트 전극을 통해 인가된 스캔 펄스로 턴온되어, 전원 전압이 상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 충전되도록 하는 것을 특징으로 하는 능동형 유기 발광 다이오드의 스트레칭 보상 화소 회로
19 19
인가되는 전원으로 공급되는 전류에 의해 소정의 휘도로 발광하는 유기 발광 다이오드 소자;전원 전압의 전원 라인 및 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제1 스캔 신호 라인;다음 화소의 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제2 스캔 신호 라인;이전 화소의 주사 신호의 신호 라인 역할을 하는 제3 스캔 신호 라인;상기 유기발광 다이오드 소자의 발광을 위한 데이터 전압을 제공하는 데이터 라인;상기 제1 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 상기 데이터 라인에 일 전극이 연결되며, 구동 트랜지스터(TD)에 타 전극이 연결된 제1 스위칭 트랜지스터(T1);상기 제1 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 일 전극이 유기 발광 다이오드 소자와 연결된 스위칭 트랜지스터(TE2)의 일 전극에 연결되며, 타 전극은 상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 연결된 제2 스위칭 트랜지스터(T2);상기 제1 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 전원 전압(ELVDD)단에 일 전극이 연결되며, 하기의 제4 스위칭 트랜지스터(T4)에 타 전극이 연결된 제3 스위칭 트랜지스터(T3); 상기 제2 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 일 전극이 상기 제3 스위칭 트랜지스터(T3)와 연결된 제4 스위칭 트랜지스터(T4);상기 제3 스캔 신호 라인에 게이트 전극이 연결되고, 일 전극이 전원 전압(ELVDD)단에 연결되며 타 전극이 상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극에 연결된 제5 스위칭 트랜지스터(T5); 상기 구동 트랜지스터(TD)에 공급되는 데이터 전압에 대응되는 전압을 저장하는 제1 커패시터(Cst); 및상기 구동 트랜지스터(TD)의 게이트 전극과 상기 제4 스위칭 트랜지스터(T4)의 일 전극에 연결되어 스트레칭을 보상하는 제2 커패시터(Cs);를 포함하여,상기 제2 커패시터(Cs)가 스트레칭 커패시터이며, 패널의 길이 또는 면적 연신에 따라 커패시턴스가 변화하는 것을 특징으로 하는 스트레처블 표시 장치
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1 교육부 (대전세종충남지역혁신플랫폼)충남대학교 지자체-대학협력기반지역혁신사업 (대전세종충남지역혁신플랫폼)충남대학교