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PbxLa1-x([Zr1-YSnY]ZTi1-Z) 조성을 갖는 고전압 반강유전체
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제1항에 있어서,상기 X는 0
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제1항에 있어서,상기 Y는 0
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제1항에 있어서,상기 Z는 0
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제1항에 있어서,상기 반강유전체의 밀도는 7
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6
제1항에 있어서,상기 반강유전체의 유전율(Permittivity, ε)은 900 내지 1000 인 고전압 반강유전체
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7
제1항에 있어서,상기 반강유전체의 항복전압(Breakdown Voltage)은 9
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8
제1항에 있어서,상기 반강유전체의 소결온도는 900℃ 내지 1100℃인 고전압 반강유전체
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9
유전체의 전구체를 혼합하여 전구체 혼합물을 제조하는 단계;상기 전구체 혼합물을 하소하는 단계;상기 하소된 결과물을 가압하여 성형물을 제조하는 단계; 및상기 성형물을 소결하여 소결체를 제조하는 단계; 를 포함하고,PbxLa1-x([Zr1-YSnY]ZTi1-Z) 조성을 갖는 고전압 반강유전체의 제조방법
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10
제9항에 있어서,상기 유전체의 전구체는산화납(PbO) 50중량% 내지 60중량%,산화지르코늄(ZrO2) 15중량% 내지 30중량%,산화티타늄(TiO2) 1중량% 내지 5중량%,산화란타늄(La2O5) 8중량% 내지 14중량%, 및 산화주석(SnO2) 1중량% 내지 16중량%를 포함하는 고전압 반강유전체의 제조방법
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11
제9항에 있어서,상기 소결체를 제조하는 단계는 소결재를 첨가하고,상기 소결재는 ZnO(산화아연) 1중량% 내지 4중량% 및 PbO(산화납) 1중량% 내지 10중량%를 포함하는 고전압 반강유전체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 X는 0
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제9항에 있어서,상기 Y는 0
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제9항에 있어서,상기 Z는 0
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제9항에 있어서,상기 반강유전체의 밀도는 7
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제9항에 있어서,상기 반강유전체의 유전율(Permittivity, ε)은 900 내지 1000 인 고전압 반강유전체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 반강유전체의 항복전압(Breakdown Voltage)은 9
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제9항에 있어서,상기 반강유전체의 소결온도는 900℃ 내지 1100℃인 것인 고전압 반강유전체의 제조방법
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상기 청구항 1의 반강유전체; 및상기 반강유전체의 표면에 제공된 전극;을 포함하고,상기 전극은 구리(Cu)를 포함하는 것은 특징으로 하는 캐패시터
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