| 1 |
1
기판 상에 포토레지스트를 형성하고, 상기 기판 상에 형성된 포토레지스트를 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴 상에 유기 발광체 및 라디칼 개시제를 포함하는 유기 발광 용액을 도포하는 단계;상기 라디칼 개시제를 이용하여 상기 유기 발광체를 가교시켜 유기 발광 박막을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 리프트 오프 공정으로 유기 발광 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 유기 발광체는 가교 기능단을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 패턴의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 라디칼 개시제를 이용하여 상기 유기 발광체를 가교시켜 유기 발광 박막을 형성하는 단계는 상기 유기 발광체의 가교 반응을 유도하여 상기 유기 발광 패턴이 네트워크 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 패턴의 제조 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 유기 발광체는 경화성 인광 호스트, 경화성 인광 도펀트 및 활성 지연 형광(TADF; Thermally Activated Delayed Fluorescence) 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 패턴의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 라디칼 개시제는 열 개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 패턴의 제조 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 라디칼 개시제를 이용하여 상기 유기 발광체를 가교시켜 유기 발광 박막을 형성하는 단계의 가교 온도는 60℃ 내지 130℃인 것을 특징으로 하는 유기 발광 패턴의 제조 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 라디칼 개시제의 활성화 온도에 따라 상기 가교 온도가 제어되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 패턴의 제조 방법
|
| 7 |
7
제4항에 있어서,상기 열 개시제는 아조비스이소부티로니트릴(Azobisisobutyronitrile; AIBN), 벤조일 퍼옥사이드(Benzoyl peroxide; BPO), 쿠밀 퍼옥시네오데카노에이트(Cumyl peroxyneodecanoate; CNP), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레오나이트릴(2,2'-Azobis(2,4-dimethylvaleronitrile); V-65) 및 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레오나이트릴(2,2'-Azobis(4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile); V-70) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 패턴의 제조 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 라디칼 개시제는 광 개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 패턴의 제조 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 광 개시제는 2,2-디메톡시-2-페닐 아세토페논(2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone; DMPA), 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일) 포스핀 옥사이드(Diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphine oxide; TPO), 페닐비스(2,4,6-트리메틸벤조일)포스핀 옥사이드(Phenylbis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide; XBPO), 티오크산톤(Thioxanthone; Thioxanthen-9-one), 벤조페논(Benzophenone; Diphenyl ketone), 트리에틸아민(Triethylamine; TEA), 2-(디에틸아미노)에탄올(2-(Diethylamino)ethanol), 트리에틸렌디아민(Triethylenediamine; TEDA), 메틸 디에탄올아민(Methyl diethanolamine), 디부틸아민(Dibutylamine), N-페닐글리신(N-Phenylglycine), 디에틸메틸아민(Diethylmethylamine), N,N-디메틸아닐린(N,N-Dimethylaniline), 파르베네이트(Parbenate), 에틸[4-(디에틸아미노)페틸]아세테이트(Ethyl [4-(dimethylamino)phenyl]acetate) 및 2-디메틸아미노에틸 벤조에이트(2-Dimethylaminoethyl Benzoate) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 패턴의 제조 방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 가교 기능단은 비닐벤질기, 비닐기, 비닐기 유도체, 옥세탄기, 보론산기(Boronic acid), 트라이플루오로 비닐 에테르, 벤조사이클로부텐 및 에폭사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 패턴의 제조 방법
|
| 11 |
11
제3항에 있어서,상기 경화성 인광 도펀트는 상기 가교 기능단이 결합된 금속 착제 화합물이고,상기 금속 착제 화합물은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 금(Au), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로폼(Eu), 터븀(Tb), 팔라듐(Pd) 또는 틀륨(Tm) 중 적어도 어느 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 패턴의 제조 방법
|
| 12 |
12
제3항에 있어서,상기 경화성 인광 호스트는 상기 가교 기능단이 결합된 호스트 화합물이고,상기 호스트 화합물은 카바졸계 화합물, 안트라센계 화합물, 플루오렌계 화합물, 트리아릴아민계 화합물, 디벤조퓨란계 화합물, 디벤조티오펜계 화합물, 디벤조실롤계 화합물, 트리아진계 화합물, 트리아졸계, 이미다졸계, 옥사진계 화합물, 아릴아민계 화합물, 히드라존계 화합물, 스틸벤계 화합물, 스타버스트계 화합물, 옥사디아졸계 화합물, 포스핀 옥사이드계 화합물, 비피리미딘계 화합물, 실란계 화합물 및 카볼린계 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 패턴의 제조 방법
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,기판 상에 포토레지스트를 형성하고, 상기 기판 상에 형성된 포토레지스트를 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 내지 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 유기 발광 패턴을 형성하는 단계를 적어도 1회 이상 반복 수행하여, 상기 유기 발광 패턴이 적색 유기 발광 패턴, 녹색 유기 발광 패턴 및 청색 유기 발광 패턴 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 패턴의 제조 방법
|
| 14 |
14
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 패턴의 제조 방법을 통해 제조된 유기 발광 패턴
|
| 15 |
15
제1 전극;제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되고, 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 패턴의 제조 방법을 통해 제조된 유기 발광 패턴을 포함하는 유기 발광층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 유기 발광층은 적색 유기 발광 패턴, 녹색 유기 발광 패턴 및 청색 유기 발광 패턴 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
|
