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육방정계 질화붕소를 이용한 열전도성 복합소재

  • 기술번호 : KST2023008610
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 육방정계 질화붕소를 이용한 열전도성 복합소재에 관한 것으로, 열전도성 복합소재는 축방향 및 축방향에 수직한 일 면을 갖도록 형성되는 고분자 매트릭스, 상기 고분자 매트릭스에 첨가되는 제1 h-BN 및 상기 고분자 매트릭스에 첨가되며, 상기 제1 h-BN보다 작은 크기를 갖는 제2 h-BN을 포함할 수 있다.
Int. CL C08K 3/38 (2006.01.01) C08L 101/00 (2006.01.01) C08L 83/04 (2006.01.01) C01B 21/064 (2006.01.01)
CPC C08K 3/38(2013.01) C08L 101/00(2013.01) C08L 83/04(2013.01) C01B 21/064(2013.01) C08K 2003/385(2013.01) C08K 2201/001(2013.01) C08K 2201/005(2013.01)
출원번호/일자 1020220149134 (2022.11.10)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0139295 (2023.10.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020220037234   |   2022.03.25
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.11.10)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 좌용호 경기도 성남시 분당구
2 문형진 경기도 수원시 영통구
3 박지영 경기도 안산시 단원구
4 임민섭 서울특별시 도봉구
5 조홍백 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김준석 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동) 에이스비즈포레 ***-***호(키움특허법률사무소)
2 박민욱 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동) 에이스비즈포레 ***-***호 ***호(키움특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2022-1194245-04
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.09.06 수리 (Accepted) 4-1-2023-5233653-65
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번호 청구항
1 1
축방향 및 축방향에 수직한 일 면을 갖도록 형성되는 고분자 매트릭스;상기 고분자 매트릭스에 첨가되는 제1 h-BN; 및상기 고분자 매트릭스에 첨가되며, 상기 제1 h-BN보다 작은 크기를 갖는 제2 h-BN;을 포함하는 열전도성 복합소재
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 h-BN은 마이크로 크기이고, 상기 제2 h-BN은 나노 크기인 열전도성 복합소재
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 h-BN이 상기 일 면에 수직 배향하도록 형성되는 것을 특징으로 하는열전도성 복합소재
4 4
제3항에 있어서,상기 제2 h-BN은,상기 제1 h-BN 표면 또는 상기 제1 h-BN간 사이에 위치하여, 상기 제1 h-BN이 상기 일 면에 수직 배향하도록 하는 열전도성 복합소재
5 5
제1항에 있어서,상기 제2 h-BN은,상기 제1 h-BN 표면 또는 상기 제1 h-BN간 사이에 위치하는 열전도성 복합소재
6 6
제5항에 있어서,상기 제2 h-BN이 상기 제1 h-BN간 공극을 감소시켜 열전도성을 높이는 열전도성 복합소재
7 7
제1항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는,PDMS, PE, PP, PMMA, PC 및 이들의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는열전도성 복합소재
8 8
제1항에 있어서,상기 고분자 매트릭스의 함량이 40 vol% 내지 70 vol% 인 것을 특징으로 하는 열전도성 복합소재
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 h-BN 및 상기 제2 h-BN의 함량비가 1:1 인 것을 특징으로 하는 열전도성 복합소재
10 10
축방향 및 축방향에 수직한 일 면을 갖도록 형성되는 고분자 매트릭스를 준비하는 단계;상기 고분자 매트릭스에 제1 h-BN을 첨가하는 단계; 및상기 고분자 매트릭스에 상기 제1 h-BN보다 작은 크기의 제2 h-BN을 첨가하는 단계; 를 포함하는 열전도성 복합소재 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 제1 h-BN은 마이크로 크기이고, 제2 h-BN은 나노 크기인 열전도성 복합소재 제조방법
12 12
제10항에 있어서,상기 제1 h-BN이 상기 일 면에 수직 배향하도록 형성되는 것을 특징으로 하는열전도성 복합소재 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 제2 h-BN은,상기 제1 h-BN 표면 또는 상기 제1 h-BN간 사이에 위치하여, 상기 제1 h-BN이 상기 일 면에 수직 배향하도록 하는 열전도성 복합소재 제조방법
14 14
제10항에 있어서,상기 제2 h-BN은,상기 제1 h-BN 표면 또는 상기 제1 h-BN간 사이에 위치하여상기 제2 h-BN이 상기 제1 h-BN간 공극을 감소시키는 열전도성 복합소재 제조방법
15 15
제10항에 있어서,상기 고분자 매트릭스는,PDMS, PE, PP, PMMA, PC 및 이들의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는열전도성 복합소재 제조방법
16 16
제10항에 있어서,상기 고분자 매트릭스의 함량이 40 vol% 내지 70 vol% 인 것을 특징으로 하는 열전도성 복합소재 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 제1 h-BN 및 상기 제2 h-BN의 함량비가 1:1 인 것을 특징으로 하는 열전도성 복합소재 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)포인트엔지니어링 전략핵심소재자립화기술개발 AAO를 이용한 DRAM 프로브카드용 MLA 기판 및 AP 프로브카드용 가이드플레이트 개발
2 과학기술정보통신부 한양대학교(ERICA캠퍼스) 나노소재기술개발 (2022M3H4A3082849) 내산화, 내수화성 AlN 소재용 passivation 및 이종코팅기술 개발