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상부 또는 하부 반사체가 분산 브래그 반사경인 패브리-페로 필터를 포함하는 필터부;상기 필터부 상에 위치하며, 적외선을 투과시키고, 열전도를 차단하는 기판; 및상기 기판 상에 위치하며, 볼로미터(Bolometer)와 전극을 포함하는 감지부;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 밴드패스필터 일체형 MEMS 기반의 적외선 센서
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제1항에 있어서,상기 분산 브래그 반사경은, 고굴절률을 갖는 제1반사층과 저굴절률을 갖는 제2반사층이 교대하여 반복 적층되며,상기 제1반사층은, 비정질 실리콘(a-Si), 게르마늄(Ge), 산화 지르코늄(ZrO2) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하며,상기 제2반사층은, 산화 규소(SiO2), 질화 규소(SiNx), 불화 마그네슘(MgF2) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 밴드패스필터 일체형 MEMS 기반의 적외선 센서
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제2항에 있어서,상기 제1반사층의 두께는, 135nm 이상 344nm 이하인 것을 특징으로 하는, 밴드패스필터 일체형 MEMS 기반의 적외선 센서
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제3항에 있어서,상기 적외선 센서는, 2μm 내지 5μm 파장의 적외선을 감지하는 것을 특징으로 하는, 밴드패스필터 일체형 MEMS 기반의 적외선 센서
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제1항에 있어서,상기 분산 브래그 반사경은, 상기 제1반사층과 상기 제2반사층이 교대하며 4회 내지 6회 적층된 것을 특징으로 하는, 밴드패스필터 일체형 MEMS 기반의 적외선 센서
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제1항에 있어서,상기 기판은, 유리기판, 사파이어 기판, 실리콘 기판, 용융 실리카 기판, 게르마늄 기판 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 밴드패스필터 일체형 MEMS 기반의 적외선 센서
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제1항에 있어서,상기 볼로미터는, 오산화 바나듐(Va2O5), 비정질 실리콘(a-Si), 게르마늄(Ge) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 밴드패스필터 일체형 MEMS 기반의 적외선 센서
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제1항에 있어서,상기 전극은, 알루미늄, 금, 백금, 구리, 티타늄, 황동 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 밴드패스필터 일체형 MEMS 기반의 적외선 센서
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(i) 기판을 준비하는 단계;(ii) 상기 기판의 일면에 상부 또는 하부 반사체가 분산 브래그 반사경인 패브리-페로 필터를 포함하는 필터부를 형성하는 단계; 및(iii) 상기 기판의 타면에 볼로미터(Bolometer)와 전극을 포함하는 감지부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 밴드패스필터 일체형 MEMS 기반의 적외선 센서 제조방법
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제9항에 있어서,상기 (ii) 단계와 상기 (iii) 단계 사이에,(ii-i) 상기 상부 반사층 상에 감광제(photoresist)를 코팅하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 밴드패스필터 일체형 MEMS 기반의 적외선 센서 제조방법
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제9항에 있어서,상기 (ii) 단계의 패브리-페로 필터는 증발법, 스퍼터링, 이온 빔 스퍼터링, 원자층 증착법, 화학기상증착법 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 밴드패스필터 일체형 MEMS 기반의 적외선 센서 제조방법
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