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기판;상기 기판 상의 활성층;상기 기판과 상기 활성층 사이에 제공되는 스페이서; 상기 활성층과 연결되는 제1 전극; 및상기 기판과 상기 스페이서 사이에 제공되며, 상기 스페이서를 사이에 두고 상기 활성층과 수직적으로 이격되는 제2 전극을 포함하되,상기 기판은 변형 가능한 폴리머를 포함하고,상기 기판은 그의 상면의 일부가 오목하게 함입된 제1 덴트를 갖고,상기 활성층은 상기 제1 덴트와 정렬된 위치에, 그의 상면의 일부가 오목하게 함입된 제2 덴트를 갖는 전기 구동 단일 광자원
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제 1 항에 있어서,상기 활성층은 단일 원자층 구조의 TMDC(transition metal dichalcogenide)를 포함하는 전기 구동 단일 광자원
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제 2 항에 있어서,상기 활성층은 WSe2(tungsten diselenide)를 포함하는 전기 구동 단일 광자원
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제 1 항에 있어서,상기 스페이서는 hBN(hexagonal boron nitride)을 포함하는 전기 구동 단일 광자원
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제 1 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 그래핀(graphene)을 포함하는 전기 구동 단일 광자원
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제 1 항에 있어서,상기 제2 덴트의 깊이는 10 nm 내지 40 nm인 전기 구동 단일 광자원
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제 1 항에 있어서,상기 스페이서는 상기 제1 덴트 및 상기 제2 덴트와 정렬된 위치에, 그의 상면의 일부가 오목하게 함입된 제3 덴트를 갖고,상기 제2 전극은 상기 제1 내지 제3 덴트들과 정렬된 위치에, 그의 상면의 일부가 오목하게 함입된 제4 덴트를 갖는 전기 구동 단일 광자원
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제 1 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 서로 이격되고,상기 스페이서의 적어도 일부는 상기 기판과 접촉하는 전기 구동 단일 광자원
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제 1 항에 있어서,서로 정렬되는 상기 제1 덴트 및 상기 제2 덴트는 발광점으로 지칭되고,상기 발광점은 상기 기판 상에 복수로 제공되고,상기 발광점들은 서로 이격되는 전기 구동 단일 광자원
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제 9 항에 있어서,상기 발광점들 각각의 g(2)(0) 값은 0
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희생 기판 상에 제1 전극, 활성층, 스페이서 및 제2 전극을 포함하는 이종 결합 구조를 형성하는 것;상기 이종 결합 구조를 덮는 폴리머층을 형성하는 것;상기 이종 결합 구조 및 상기 폴리머층을 상기 희생 기판으로부터 떼어내고, 위아래를 뒤집어 제1 기판 상에 전사하는 것;상기 폴리머층에 대한 열 처리 공정을 수행하여 상기 제1 기판 상에 제2 기판을 형성하는 것; 및AFM 장비의 팁 부분으로 상기 이종 결합 구조의 중심부를 누르는 것을 포함하되,상기 이종 결합 구조의 중심부를 누르는 것에 의해 상기 제2 기판의 제1 덴트, 상기 활성층의 제2 덴트가 형성되는 전기 구동 단일 광자원의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 그래핀으로 형성되고,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 단층 그래핀을 건식 전사법으로 전사하는 것에 의해 형성되는 전기 구동 단일 광자원의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 활성층은 단일 원자층 구조의 TMDC로 형성되고,상기 스페이서는 hBN으로 형성되는 전기 구동 단일 광자원의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 활성층 및 상기 스페이서 각각은 기계적 박리법에 의해 박리되어, 상기 희생 기판 상에 결합되는 전기 구동 단일 광자원의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 희생 기판 상에 상기 이종 결합 구조를 형성하는 것은:상기 희생 기판 상에 상기 제1 전극을 전사하는 것;상기 희생 기판 상에 상기 제1 전극과 접촉하는 상기 활성층을 형성하는 것;상기 활성층을 덮는 상기 스페이서를 형성하는 것; 및상기 스페이서를 덮는 상기 제2 전극을 전사하는 것을 포함하는 전기 구동 단일 광자원의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 폴리머층은 스핀 코팅 방식으로 상기 이종 결합 구조 상에 형성되는 전기 구동 단일 광자원의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 이종 결합 구조 및 상기 폴리머층을 상기 제1 기판 상에 전사하는 것은 용액 기반의 전사 방법에 의해 수행되는 전기 구동 단일 광자원의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 열 처리 공정에 의해 상기 제2 기판은 평평한 상면 및 균일한 조성을 갖는 전기 구동 단일 광자원의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 AFM 장비의 상기 팁 부분으로 상기 이종 결합 구조의 중심부를 누르는 힘은 1000 nN 내지 8000 nN이고,상기 AFM 장비의 상기 팁 부분의 직경은 1 nm 내지 20 nm인 전기 구동 단일 광자원의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 제2 덴트의 깊이는 10 nm 내지 40 nm인 전기 구동 단일 광자원의 제조 방법
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