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산소 공공(vacancy, Vo) 바나듐 산화물 나노입자; 및상기 산소 공공 바나듐 산화물 나노입자의 격자 내에 삽입된 물(H2O);을 포함하는, 아연-이온 전지용 바나듐 산화물계 음극재
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제1항에 있어서,상기 바나듐 산화물의 계면(interfacial)은 순수한(bare) 바나듐 산화물로부터 분할(split)된 것인, 아연-이온 전지용 바나듐 산화물계 음극재
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제2항에 있어서,상기 순수한 바나듐 산화물의 직경은 0
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제2항에 있어서,상기 분할된 바나듐 산화물의 두께는 20 nm 이하인 것인, 아연-이온 전지용 바나듐 산화물계 음극재
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제2항에 있어서,상기 분할된 바나듐 산화물의 층간 간격은, 0
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제1항에 있어서,상기 산소 공공 바나듐 산화물은 계면 산소 공공이 포함된 바나듐 산화물인 것인,아연-이온 전지용 바나듐 산화물계 음극재
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제1항에 있어서,상기 바나듐 산화물 나노입자는, V2O5, V2O3, V3O7, V4O7, V5O9, V6O11, V6O13 및 V7O13로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,아연-이온 전지용 바나듐 산화물계 음극재
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금속 호일 상에 바나듐 산화물 나노입자를 코팅하는 단계; 및상기 바나듐 산화물 나노입자 코팅된 금속 호일을 작업전극으로 포함하는 전지를 풀 셀(full cell) 조건에서 충방전 반응을 수행하여 물(H2O) 삽입된 나노 크기 분할된 바나듐 산화물을 제조하는 단계;를 포함하는,아연-이온 전지용 바나듐 산화물계 음극재의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속 호일은, 스테인레스 스틸(SUS), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 크롬(Cr) 및 코발트(Co)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 아연-이온 전지용 바나듐 산화물계 음극재의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 전지는, Zn 상대전극 및 ZnSO4 전해질을 포함하는 것인, 아연-이온 전지용 바나듐 산화물계 음극재의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 충방전 반응은,30 사이클 내지 100사이클 동안 0
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제8항에 있어서,상기 물(H2O) 삽입된 나노 크기 분할된 바나듐 산화물을 제조하는 단계 이후에,상기 금속 호일로부터 상기 물(H2O) 삽입된 나노 크기 분할된 바나듐 산화물을 분리하는 단계;상기 분리된 물(H2O) 삽입된 나노 크기 분할된 바나듐 산화물을 분쇄한 분말, 바인더 및 전도성 물질과 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계; 및상기 혼합물을 집전체 상에 형성하는 단계;를 더 포함하는, 아연-이온 전지용 바나듐 산화물계 음극재의 제조방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 아연-이온 전지용 바나듐 산화물계 음극재 또는 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 아연-이온 전지용 바나듐 산화물계 음극재의 제조방법에 의해 제조된 아연-이온 전지용 바나듐 산화물계 음극재를 포함하는 음극;아연-이온 전지용 양극; 상기 음극 및 상기 아연-이온 전지용 양극 사이에 개재되는 분리막; 및전해질;을 포함하는, 아연-이차전지
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