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Ar 가스를 통해 챔버 내부에 생성된 Ar 플라즈마를 이용한 물리적 건식식각방식으로, 마스크 패턴을 이용하여 리튬나이오베이트를 식각하는 공정을 포함하되,상기 리튬나이오베이트를 식각하는 공정에서 상기 챔버의 공정 압력은 1mtorr 내지 20mtorr으로 유지되는, 리튬나이오베이트의 식각방법
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Ar 가스와 02 가스를 1:0
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 리튬나이오베이트 상에 마스크 패턴을 형성하는 공정을 더 포함하되, 상기 마스크 패턴은 HSQ 레지스트를 포함하는 리튬나이오베이트의 식각방법
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제 3 항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 상기 리튬나이오베이트의 상부에 코팅된 HSQ 레지스트와, 상기 HSQ 레지스트 상부에 형성된 전도층 박막을 포함하는 리튬나이오베이트의 식각방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 리튬나이오베이트 상에 마스크 패턴을 형성하는 공정을 더 포함하고, 상기 마스크 패턴을 형성하는 공정은,상기 리튬나이오베이트 상에 접착막을 형성하는 공정;상기 접착막 상에 HSQ 레지스트를 스핀 코팅하는 공정;상기 HSQ 레지스트 상에 전도층 용액을 스핀 코팅하여 전도층 박막을 형성하는 공정; 상기 전도층 박막과 상기 HSQ 레지스트를 패터닝하는 공정; 및상기 전도층 박막과 상기 HSQ 레지스트를 현상하는 공정;을 포함하는 리튬나이오베이트의 식각방법
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제 5 항에 있어서, 상기 마스크 패턴을 형성하는 공정은,상기 접착막을 형성하는 공정 후 상기 접착막의 표면에 O2 플라즈마 처리하는 공정; 및상기 HSQ 레지스트를 스핀 코팅하는 공정 후 핫 플레이트를 이용하여 가열하는 공정;을 더 포함하는 리튬나이오베이트의 식각방법
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제 5 항에 있어서, 상기 접착막은 PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방식을 이용하여 이산화실리콘막(SiO2)으로 형성되는 리튬나이오베이트의 식각방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 리튬나이오베이트를 식각하는 공정은 ICP-식각장비를 사용하여 실시하고, 이 때 ICP 전력은 300W 내지 1000W이고, 바이어스 전력은 50W 내지 300W인 리튬나이오베이트의 식각방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 리튬나이오베이트를 식각하는 공정은 마그네트론 플라즈마 식각장비를 사용하여 실시하고, 이 때 전자석 세기는 10Gauss 내지 70Gauss이고, 바이어스 전력은 50W 내지 300W인 리튬나이오베이트의 식각방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 리튬나이오베이트를 식각하는 공정 이전에, 다중 Ar 퍼지공정을 실시하여 상기 챔버를 안정화시키는 공정을 더 포함하는 리튬나이오베이트의 식각방법
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제 10 항에 있어서, 상기 다중 Ar 퍼지공정은,대기압 조건 하에서 진공 펌프를 가동한 후, 상기 챔버 내부 압력이 100torr가 될 때까지 Ar 가스를 주입하고 나서, 다시 상기 진공 펌프를 가동하는 Ar 퍼지공정을 적어도 3회 반복 수행하는 공정; 및 Ar 가스를 상기 공정 압력까지 주입하는 공정;을 포함하는 리튬나이오베이트의 식각방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 따른 리튬나이오베이트의 식각방법을 이용하여, 리튬나이오베이트 패턴을 형성하는 공정; 및상기 리튬나이오베이트 패턴을 형성하는 공정에서 발생된 부산물이 상기 리튬나이오베이트 패턴에 재증착된 재증착층을 제거하는 클리닝 공정;을 포함하는 리튬나이오베이트 패턴의 형성방법
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제 12 항에 있어서, 상기 클리닝 공정은 KOH 수용액을 이용하여 실시하는 리튬나이오베이트 패턴의 형성방법
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제 12 항에 있어서, 상기 리튬나이오베이트 패턴을 형성하는 공정 후, 열처리 공정을 실시하여 상기 리튬나이오베이트를 식각하는 공정에서 발생되는 데미지로 인해 변화되는 상기 리튬나이오베이트의 투명도를 복원하는 공정을 더 포함하는 리튬나이오베이트 패턴의 형성방법
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제 14 항에 있어서, 상기 열처리 공정은 02 플로우 가스 환경 하에서 500℃ 내지 900℃에서 실시하는 리튬나이오베이트 패턴의 형성방법
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