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전파가 송수신되는 도파관이 형성된 금속 지그;상기 금속 지그에 형성된 도파관에 배치되어 상기 도파관의 내부에서 전파를 송수신하기 위한 복수의 회로들로 구성된 송수신 칩; 및상기 송수신 칩의 동작에 필요한 바이어스를 제공하는 회로 기판을 포함하고,상기 금속 지그는,상기 도파관을 가로지르는 방향으로 상기 송수신 칩의 측면에 전파 흡수체의 배치를 위한 트렌치 구조를 포함하는 도파관 모듈
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제1항에 있어서,상기 전파 흡수체는,전파 흡수 구조물을 상기 트렌치 구조에 대응하여 가공함으로써 생성되거나, 전파 흡수 페이스트를 상기 트렌치 구조에 대응하여 경화시킴으로써 생성되는 도파관 모듈
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제1항에 있어서,상기 회로 기판은,상기 전파 흡수체의 상면과 전도성 접착체를 통해 연결되는 도파관 모듈
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제1항에 있어서,상기 전파 흡수체의 상면에 배치되는 단층 커패시터(Single Layer Capacitor, SLC)를 더 포함하고,상기 단층 커패시터는,상기 송수신 칩 및 회로 기판과 와이어 본딩(Wire-Bonding) 방식을 통해 서로 연결되는 도파관 모듈
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제1항에 있어서,상기 송수신 칩의 측면에 배치되는 전파 흡수체와 상기 트렌치 구조 사이의 간격은,전도성 접착제 또는 전파 흡수 접착제를 통해 메꿔지는 도파관 모듈
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전파가 송수신 되는 도파관 및 상기 도파관을 가로지르는 방향으로 전파 흡수체의 배치를 위한 트렌치 구조가 형성되는 금속 지그;상기 금속 지그에 형성된 도파관에 배치되어 상기 도파관의 내부에서 전파를 송수신하기 위한 복수의 회로들로 구성된 송수신 칩; 및상기 송수신 칩의 동작에 필요한 바이어스를 제공하는 회로 기판을 포함하고,상기 트렌치 구조에 배치되는 전파 흡수체의 윗면 높이는,상기 송수신 칩의 윗면 높이 보다 낮게 결정되는 도파관 모듈
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제6항에 있어서,상기 전파 흡수체의 윗면 높이는,상기 송수신 칩을 구성하는 도파관 트랜지션에 가까울수록 낮게 형성되고, 상기 도파관 트랜지션에 멀어질수록 높게 형성되는 도파관 모듈
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제6항에 있어서,상기 전파 흡수체는,전파 흡수 구조물을 상기 트렌치 구조에 대응하여 가공함으로써 생성되거나, 전파 흡수 페이스트를 상기 트렌치 구조에 대응하여 경화시킴으로써 생성되는 도파관 모듈
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제6항에 있어서,상기 회로 기판은,상기 전파 흡수체의 상면과 전도성 접착체를 통해 연결되는 도파관 모듈
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제6항에 있어서,상기 전파 흡수체의 상면에 배치되는 단층 커패시터(Single Layer Capacitor, SLC)를 더 포함하고,상기 단층 커패시터는,상기 송수신 칩 및 회로 기판과 와이어 본딩(Wire-Bonding) 방식을 통해 서로 연결되는 도파관 모듈
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제6항에 있어서,상기 송수신 칩의 측면에 배치되는 전파 흡수체와 상기 트렌치 구조 사이의 간격은,전도성 접착제 또는 전파 흡수 접착제를 통해 메꿔지는 도파관 모듈
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전파가 송수신되는 도파관이 형성된 금속 지그;상기 금속 지그에 형성된 도파관에 배치되어 상기 도파관의 내부에서 전파를 송수신하기 위한 복수의 회로들로 구성된 송수신 칩; 및상기 송수신 칩의 동작에 필요한 바이어스를 제공하는 회로 기판을 포함하고,상기 금속 지그는,상기 도파관을 가로지르는 방향으로 상기 송수신 칩의 측면에 금속 구조물의 배치를 위한 트렌치 구조를 포함하고,상기 트렌치 구조에 배치되는 금속 구조물의 윗면 높이는,상기 송수신 칩의 윗면 높이 보다 낮으면서, 상기 송수신 칩을 구성하는 도파관 트랜지션에 가까울수록 낮게 형성되고, 상기 도파관 트랜지션에 멀어질수록 높게 형성되는 도파관 모듈
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제12항에 있어서,상기 금속 구조물은,금속을 상기 트렌치 구조에 대응하여 가공함으로써 생성되거나, 전도성 페이스트를 상기 트렌치 구조에 대응하여 경화시킴으로써 생성되는 도파관 모듈
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