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마이크로파를 생성하는 마이크로파 발생기;상기 마이크로파를 수신하여 가열되는 마이크로파 흡수 층;상기 마이크로파 흡수 층 상에 제공되는 온도 측정 층;상기 온도 측정 층의 상부 및 내부에 제공되어 상기 온도 측정 층의 온도를 감지하는 센서; 및상기 센서 및 상기 마이크로파 발생기에 연결되어 상기 센서의 감지 신호를 이용하여 상기 마이크로파 흡수 층의 온도를 판별하고, 상기 마이크로파 흡수 층의 상기 온도에 근거하여 상기 마이크로파 발생기에서 제공되는 상기 마이크로파의 파워를 제어하는 제어부를 포함하는 마이크로파 가열 장치
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제 1 항에 있어서,상기 마이크로파 흡수 층과 상기 온도 측정 층 사이의 열 계면 층을 더 포함하는 마이크로파 가열 장치
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제 2 항에 있어서,상기 열 계면 층은 방열 계면 물질을 포함하는 마이크로파 가열 장치
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제 1 항에 있어서,상기 마이크로파 흡수 층은:고내열성 고분자; 및상기 고내열성 고분자 내의 마이크로파 흡수 입자를 포함하는 마이크로파 가열 장치
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제 4 항에 있어서,상기 마이크로파 흡수 층은:상기 마이크로파 흡수 입자를 저장하는 마이크로파 투과 용기; 및상기 마이크로파 투과 용기 내에 제공되는 고내열성 수지를 더 포함하는 마이크로파 가열 장치
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제 4 항에 있어서, 상기 마이크로파 흡수 입자는 graphene, SWCNT, MWCNT, fullerene, BN, 또는BNNT를 포함하는 마이크로파 가열 장치
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제 1 항에 있어서,상기 마이크로파 흡수 층은 마이크로파 메타물질 흡수체를 포함하는 마이크로파 가열 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 마이크로파 흡수 층은:하부 마이크로파 흡수 층; 및상기 하부 마이크로파 흡수 층 상의 상부 마이크로파 흡수 층을 포함하는 마이크로파 가열 장치
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제 8 항에 있어서,상기 하부 마이크로파 흡수 층은:제 1 하부 마이크로파 흡수 층;상기 제 1 하부 마이크로파 흡수 층의 일측에 제공되고, 상기 제 1 마이크로파 흡수 층의 열전환율과 다른 열전환율을 갖는 제 2 하부 마이크로파 흡수 층; 및상기 제 1 하부 마이크로파 흡수 층의 타측에 제공되고, 상기 제 1 및 제 2 마이크로파 흡수 층들의 열전환율들과 다른 열전환율을 갖는 제 3 하부 마이크로파 흡수 층을 포함하는 마이크로파 가열 장치
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제 9 항에 있어서,상기 상부 마이크로파 흡수 층은:제 1 상부 마이크로파 흡수 층;상기 제 1 상부 마이크로파 흡수 층의 일측에 제공되고, 상기 제 1 마이크로파 흡수 층의 열전환율과 다른 열전환율을 갖는 제 2 상부 마이크로파 흡수 층; 및상기 제 1 상부 마이크로파 흡수 층의 타측에 제공되고, 상기 제 1 및 제 2 마이크로파 흡수 층들의 열전환율들과 다른 열전환율을 갖는 제 3 상부 마이크로파 흡수 층을 포함하는 마이크로파 가열 장치
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반도체 소자를 제조하는 단계; 및마이크로파 가열 장치를 이용하여 상기 반도체 소자를 가열하는 단계를 포함하되,상기 마이크로파 가열 장치는: 마이크로파를 생성하는 마이크로파 발생기;상기 마이크로파를 수신하여 가열되는 마이크로파 흡수 층;상기 마이크로파 흡수 층 상에 제공되는 온도 측정 층;상기 온도 측정 층의 상부에 제공되어 상기 온도 측정 층의 온도를 감지하는 센서; 및상기 센서 및 상기 마이크로파 발생기에 연결되어 상기 센서의 감지 신호를 이용하여 상기 마이크로파 흡수 층의 온도를 판별하고, 상기 마이크로파 흡수 층의 상기 온도에 근거하여 상기 마이크로파 발생기에서 제공되는 상기 마이크로파의 파워를 제어하는 제어부를 포함하는 반도체 패키징 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 반도체 소자의 외주면 상에 몰드 층을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 반도체 소자를 가열하는 단계는 상기 몰드 층을 경화하는 단계를 포함하는 반도체 패키징 제조 방법
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