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리튬 황 전지용 분리막 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2023009225
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 리튬 황 전지용 분리막 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 리튬 황 전지용 분리막은 고분자 분리막 및 상기 고분자 분리막 위에 배치되는 금속 황화물층을 포함한다. 상기 리튬 황 전지용 분리막의 형성 방법은 고분자 분리막 위에 금속 황화물층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 금속 황화물층을 형성하는 단계는 금속 황화물 파우더를 러빙하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01M 50/451 (2021.01.01) H01M 50/431 (2021.01.01) H01M 50/403 (2021.01.01) H01M 10/42 (2014.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01)
CPC H01M 50/451(2013.01) H01M 50/431(2013.01) H01M 50/403(2013.01) H01M 10/4235(2013.01) H01M 10/052(2013.01)
출원번호/일자 1020220044359 (2022.04.11)
출원인 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0145691 (2023.10.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.04.11)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성영은 서울특별시 관악구
2 김국한 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강문호 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ** (반포동) 우주빌딩 *층(다민특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2022-0382358-30
2 보정요구서
Request for Amendment		 2022.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2022-0061843-71
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2022.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2022-0492256-84
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2022-5189083-38
5 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.10.07 수리 (Accepted) 4-1-2022-5235636-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고분자 분리막; 및상기 고분자 분리막 위에 배치되는 금속 황화물층을 포함하는 리튬 황 전지용 분리막
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 황화물층은 금속 황화물 파우더를 러빙하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 리튬 황 전지용 분리막
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속 황화물층은, 제1 금속 황화물 파우더를 러빙하여 상기 제1 금속 황화물 파우더보다 작은 제2 금속 황화물 파우더를 형성하고, 상기 제2 금속 황화물 파우더를 러빙하여 형성되는 것을 특징으로 하는 리튬 황 전지용 분리막의 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속 황화물은 MoS2를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 황 전지용 분리막
5 5
고분자 분리막 위에 금속 황화물층을 형성하는 단계를 포함하는 리튬 황 전지용 분리막의 형성 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 금속 황화물층을 형성하는 단계는 금속 황화물 파우더를 러빙하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 황 전지용 분리막의 형성 방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 금속 황화물층을 형성하는 단계는,제1 금속 황화물 파우더를 러빙(제1 러빙)하여 상기 제1 금속 황화물 파우더보다 작은 제2 금속 황화물 파우더를 형성하는 단계, 및상기 제2 금속 황화물 파우더를 러빙(제2 러빙)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 황 전지용 분리막의 형성 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 제1 러빙은 샌드 페이퍼가 고정된 유리판과 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 필름이 고정된 유리판을 이용하여 수행되고,상기 제2 러빙은 상기 고분자 분리막 위에 상기 제2 금속 황화물 입자를 배치하고 라텍스를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 리튬 황 전지용 분리막의 형성 방법
9 9
제 5 항에 있어서,상기 금속 황화물은 MoS2를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 황 전지용 분리막의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서울대학교 산학협력단 기초과학연구단사업 나노입자의 합성과 의료, 에너지 분야 응용